“曹海要”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果26个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种（TiNbCrWTa）Cx-CN202210748957.9有效
发明人：战再吉;董梦昆;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷及其制备方法，属于高熵碳化物陶瓷技术领域，所述高熵陶瓷为单相面心立方结构的陶瓷；所述制备方法包括：S1：将一种金属和四种碳化物原料粉末混合均匀，得到混合粉末A；S2：将混合粉末A放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，得到高熵陶瓷（TiNbCrWTa）Cx。本发明选用Ti粉和Cr3C2粉相结合，既降低了烧结过程的烧结温度，又保证了高熵碳化物的碳源来源，还有利于各元素的扩散，使最终产物有着较高的致密度和均匀性，最终形成具有单相的固溶体，制备的高熵陶瓷具有优异的机械、物理和化学性能。
一种 tinbcrwta base sub

[发明专利]一种激光原位合成洋葱碳的制备方法-CN202210757772.4在审
发明人：战再吉;武龙鹏;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光原位合成洋葱碳的制备方法，属于激光加工与材料合成技术领域，步骤包括：（1）原料粉末的配制：原料粉末由金属Ni粉和碳化物SiC粉末组成；（2）金属基板的预处理：选用纯铜基板，进行表面处理，用试样袋封装，避免表面氧化；（3）激光原位合成洋葱碳的制备：将步骤（1）所得的原料粉末预置在步骤（2）所得的金属基板表面，并在氩气保护气氛中进行激光加工，在金属基板表面进行原位合成反应生成洋葱碳。本发明利用激光加工技术和原位合成反应，在镍金属中合成了纳米/微米级洋葱碳，制备的洋葱碳在金属基体中均匀分散，结构完整，其直径从400纳米到2微米。
一种激光原位合成洋葱制备方法

[发明专利]一种利用激光熔覆制备铜基非晶复合涂层的方法-CN202110762818.7有效
发明人：战再吉;钱政;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用激光熔覆制备铜基非晶复合涂层的方法，属于材料表面强化技术领域，包括4个制备步骤：熔炼合金粉末的制备、铜基体预处理、粉末预置处理和激光熔覆加工。本发明有效的改善了纯铜硬度低、摩擦性差等缺点，实现了铜基非晶复合涂层与纯铜基体的良好冶金结合，形成的复合涂层具有结构致密、组织均匀、硬度高、耐磨性好、无裂纹和高非晶含量等优点。
一种利用激光制备铜基非晶复合涂层方法

[发明专利]一种高熵低硼化物陶瓷及其制备方法-CN202110710799.3有效
发明人：战再吉;秦启蒙;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种高熵低硼化物陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域，所述高熵低硼化物陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8为单相四方结构，其制备方法主要包括两个步骤：将各原料粉末混合均匀，制备得到混合粉末；采用热压烧结技术，将制备的混合粉末放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，烧结结束后，冷却至室温，得到高熵陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8。本发明利用硼化物和纯金属粉末为原料制备了块状高熵低硼化物，可以有效便利的控制体系中硼元素的含量；采用了较低熔点的纯金属元素作为粘结相，有效降低烧结温度，利用硼化物在烧结过程中可以保持良好的热稳定性，得到的高熵陶瓷致密性好、硬度高。
一种高熵低硼化物陶瓷及其制备方法

[发明专利]稀土氧化物增强铜基多尺度晶粒结构复合材料的制备方法-CN202110971119.3有效
发明人：战再吉;张烁杭;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了稀土氧化物增强铜基多尺度晶粒结构复合材料的制备方法，涉及复合材料制备技术领域，包括以下步骤：制备Cu‑Gd2O3粉末；Cu‑Gd2O3粉末与纯铜粉末的均匀混合；采用热压烧结技术使Cu‑Gd2O3粉末与铜粉之间发生冶金结合和自组装，形成具有多尺度晶粒结构的Gd2O3/Cu多尺度晶粒结构复合材料。本发明制备的铜基多尺度晶粒结构复合材料组织结构致密，内氧化制备的Gd2O3起到了钉扎位错的作用，超细晶Cu与粗晶Cu结合性好，明显的起到了传递载荷和增强作用，显著提高了复合材料的强度；而粗晶Cu的高位错积累能力，提高了复合材料的韧性，实现了复合材料的强度‑延性协同。
稀土氧化物增强基多尺度晶粒结构复合材料制备方法

[发明专利]一种激光原位合成亚微米级球形石墨的制备方法-CN202011194615.4有效
发明人：战再吉;吕相哲;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C01B32/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光原位合成亚微米级球形石墨的制备方法，属于激光加工与材料合成技术领域，步骤包括：原料粉末的制备、金属基板的制备和激光原位合成亚微米级球形石墨的制备。本发明利用激光加工技术和原位合成反应，在金属基体内、没有形核剂的辅助下合成了亚微米级球形石墨，制备的球形石墨在金属基体中分散均匀，结构完整，无缺陷，其直径小于1μm；所采用的原位合成反应的原料粉末种类少，反应过程简单高效，并且可根据需要配置不同含量的混合粉末；通过调控加工工艺参数可合成无杂质的球形石墨，也可合成具有纳米铜金属夹层的特殊结构球形石墨。
一种激光原位合成微米球形石墨制备方法

[发明专利]一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法-CN202110168120.2有效
发明人：战再吉;程庭信;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法，属于高熵化合物材料制备技术领域，所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下摩尔比的氮化物：18％～22％的CrN、18％～22％的VN、18％～22％的NbN、18％～22％的TiN、其余为ZrN；所述制备方法包括三个步骤：预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度，实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结，得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷，丰富了陶瓷材料体系，制备的高熵陶瓷块体晶粒细小，断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。
一种 crzrtinbv 陶瓷块体及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法-CN201910857978.2有效
发明人：战再吉;曹海要;王振春;田锭坤;张丹丹 -专利权人：燕山大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备片状铜粉、石墨烯镀镍处理得到镀镍石墨烯；所述片状铜粉与镀镍石墨烯混合进行球磨处理得到混合粉末、在磁场下对所述混合粉末进行逆流旋转取向处理得到复合粉末压坯；所述复合粉末压坯烧结得到石墨烯增强铜基复合材料。本发明采用预先制备片状铜粉，同时对石墨烯进行镀镍处理，增加石墨烯的顺磁性；将片状铜粉和镀镍石墨烯混合粉末在磁场逆流旋转取向处理，热压烧结后制备出石墨烯定向增强铜基复合材料，提高了材料的力学及物理性能。
一种石墨增强复合材料制备方法

[发明专利]一种激光熔覆原位合成自润滑相复合涂层的制备方法-CN202110761681.3在审
发明人：战再吉;龙子豪;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光熔覆原位合成自润滑相复合涂层的制备方法，属于表面改性工程技术领域，包括5个处理步骤：基体预处理，配制熔覆粉末，混粉、球磨并干燥，粉末预置处理和激光熔覆。本发明将熔覆粉末在激光作用下原位反应生成自润滑相为CrS、TiS的复合涂层，该复合涂层与基体呈现良好的冶金结合，且复合涂层组织致密，无气孔和裂纹，具有良好的减摩抗磨性能，其显微硬度值HV0.5 550，是纯铜基体硬度的9倍以上，摩擦系数为0.23‑0.3，耐磨性能好。
一种激光原位合成润滑复合涂层制备方法

[发明专利]一种铜表面激光熔覆高熵合金涂层的方法-CN202110820992.2在审
发明人：战再吉;史鹏飞;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜表面激光熔覆高熵合金涂层的方法，属于金属材料表面改性技术领域，包括下列步骤：（1）将Al、Mo、Ti、Mn、Cr、Zr金属块进行处理后通过电弧熔炼制备高熵合金锭，破碎筛选合适粒径大小的合金粉末；（2）工件的准备，对纯铜基体表面进行预处理；（3）在AlMoTiMnCrxZry高熵合金粉末中加入粘结剂混合成糊状，预置涂覆在清洁后的基体表面，然后将该工件放入干燥箱中烘干；（4）利用光纤激光器，在氩气保护下选择适当的激光加工参数对预制涂层进行激光熔覆，然后打磨抛光。本发明通过调整合金中Cr元素和Zr元素的含量控制BCC和FCC相的相对含量，从而获得兼具强度和韧性的合金。
一种表面激光熔覆高熵合金涂层方法

[发明专利]一种摩擦实验装置-CN201911256150.8有效
发明人：王振春;董宗豪;鲍志勇;战再吉;张玉婷;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01N3/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种摩擦实验装置，包括：左侧外壳和右侧外壳，左侧外壳和右侧外壳之间，由上螺栓和上螺母，以及下螺栓和下螺母安装固定，左侧外壳与右侧外壳为非对称式结构；左侧外壳与右侧外壳之间形成的内部空间，从上至下，依次平行放置有绝缘板，上导电轨，上摩擦轨，下摩擦轨，下导电轨，下绝缘板；其中，上摩擦轨和下摩擦轨之间，分别由左侧轨道支撑绝缘板和右侧轨道支撑绝缘进行支撑，使得上摩擦轨和下摩擦轨，以及左侧轨道支撑绝缘板和右侧轨道支撑绝缘之间，形成用于电枢经过的内膛。采用上述摩擦实验装置，其中内膛作为电枢轨道，从而可以使得用于实验测试的电枢高速从内膛经过，实现对高速摩擦的研究。
一种摩擦实验装置

[发明专利]一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法-CN202011193479.7在审
发明人：战再吉;周天宇;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，包括如下步骤：S1、基体预处理将纯铜基体工作表面，用砂纸打磨、除油、除锈、清洗，然后黑化处理；S2、配制熔覆粉末配制含Mo粉、SiC粉、Ni粉和Cu粉的熔覆粉末，其中，Mo和SiC的含量占10‑30wt.％，Ni粉占30‑40wt.％，余量为Cu粉；并且Mo占85.67wt.％、SiC占14.33 wt.％；S3、混粉并干燥将步骤S2配制的熔覆粉末利用V型混料机混粉，然后将混合粉末干燥；S4、激光熔覆在保护气氛围下，进行激光熔覆，生成多相陶瓷。本发明所制备的陶瓷相增强铜基熔覆层组织致密，无气孔和裂纹，有很好的应用前景。
一种激光原位合成陶瓷增强铜基熔覆层制备方法

[发明专利]一种铜基非晶复合涂层及其制备方法-CN202010646843.4在审
发明人：战再吉;曹海要;卜令春 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜基非晶复合涂层及其制备方法，铜基合金粉末制备；铜基体预处理；将铜基合金粉末预置在预处理后的铜基体表面得到预置铜基合金粉末层；对预置铜基合金粉末层的进行激光预热至700℃后，采用激光熔覆加工。本发明提供的制备工艺接近实际工业化水平，工艺条件可控、制备简单，获得的涂层组织均匀，结构致密、无裂纹和无孔洞缺陷。铜基非晶复合涂层具有高强度高硬度以及耐摩擦磨损的优异性能，在国防工业中具有非常大的应用潜力。
一种铜基非晶复合涂层及其制备方法

[发明专利]轨道型电磁发射器的弹丸速度控制方法、装置及电子设备-CN202010749148.0在审
发明人：王振春;谭懿;鲍志勇;张玉婷;栾锋;战再吉;曹海要 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： F41B6/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种轨道型电磁发射器的弹丸速度控制方法，其中，供电电源包括多个脉冲电源模块，该多个脉冲电源模块中包括初始开启的第一类脉冲电源模块和受控开启的第二类脉冲电源模块，方法可以包括：在通过启动供电电源的第一类脉冲电源模块，触发弹丸启动发射后，获取弹丸经过轨道型电磁发射器的轨道的预设检测位置的检测速度；按照预先建立的弹丸经过预设检测位置的速度与第二类脉冲电源模块的启动时刻的关系式，基于检测速度计算第二类脉冲电源模块的实际启动时刻；在该实际启动时刻到达时，启动供电电源的第二类脉冲电源模块。采用本方案，能够控制弹丸的实际出口速度达到期望的弹丸出口速度，减少偏差，即实现对弹丸出口速度的精准控制。
轨道电磁发射器弹丸速度控制方法装置电子设备

[发明专利]一种高熵合金材料及其制备方法-CN202010646120.4在审
发明人：战再吉;曹海要;徐亮亮 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C22C30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵合金材料及其制备方法，属于表面工程领域。本发明的制备方法包括高熵合金粉末制备；铜基体预处理；将高熵合金粉末预置在预处理后的铜基体表面得到预置铜基合金粉末层；对预置铜基合金粉末层进行激光预热至450℃后，采用激光熔覆加工；所述高熵合金中各组分的原子百分比为：15‑20％的Cu、20‑23％的Ta、20‑22％的Nb、20％的Hf、20％的Zr，所有组分的质量百分比之和为100％。本发明制备的高熵合金粉末可以解决高熔点金属单质粉末在激光增材制造过程中，由于熔点相差较大导致不同元素的烧损率不同以及多元素造成的成分显微偏析等问题。具有硬度高、耐热性强等特点，具有较大的研究及应用前景。
一种合金材料及其制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 26 条