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[发明专利]RRAM器件的制备方法-CN202310432634.3在审
发明人：崔凯;乔夫龙;赵刘明;张适杰;何兆兴 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种RRAM器件的制备方法，采用低功率的IBE刻蚀，可有效简化工艺流程，有效去除侧壁BE造成的沾污，无需进行药液清洗步骤，可避免材料侧掏的现象，且低功率步骤对TE损伤较小，进一步的通过调整刻蚀过程中基底的倾斜角度，还可加强对侧壁的清理能力，从而提供一种低成本、高质量、高性能的RRAM器件的制备方法。
rram 器件制备方法

[发明专利]基于ReRAM的电路耦合单元及电路耦合方法-CN202310450085.2在审
发明人：鹿益铭 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于ReRAM的电路耦合单元及电路耦合方法，包括：第一ReRAM电路和第二ReRAM电路；第一ReRAM电路包括第一ReRAM结构和第一晶体管；第一ReRAM结构的一端连接有第一供电电压，另一端与第一晶体管的输入端连接，第一晶体管的输出端接地；第二ReRAM电路包括第二ReRAM结构和第二晶体管；第二ReRAM结构的一端连接有第二供电电压，另一端与第二晶体管的输入端连接，第二晶体管的输出端接地。利用本发明能够解决现有技术中，1T1R结构在ReRAM为LRS时，流经ReRAM的电流非常大，增加电流消耗，从而导致1T1R的电路结构不适合长时间开启的场景的技术问题。
基于 reram 电路耦合单元方法

[发明专利]非易失性SRAM单元及数据读写方法-CN202310450766.9在审
发明人：鹿益铭 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性SRAM单元及数据读写方法，包括SRAM存储单元，SRAM存储单元包括第一反相器和第二反相器；第一反相器与第二反相器首尾连接构成锁存结构；RRAM电路，RRAM电路包括第三MOS管、第四MOS管和ReRAM结构；第三MOS管的非栅极的两端分别连接位线电压VBL和所述ReRAM结构的一端；第四MOS管的两端分别连接ReRAM结构的另一端和源线电压VSL；和，传输电路，传输电路基于电压负载，有选择性地将SRAM存储单元电耦合到RRAM电路。利用本发明能够解决现有技术中，使用的T/R数量较多，存在整体功耗和面积大等问题。
非易失性 sram 单元数据读写方法

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202310450080.X在审
发明人：高飞;仇圣棻;杨芸;陈亮 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，通过改变研磨停止点，在沉积阻变存储器的阻变层前设置一道预设厚度的通孔填充层。实现化学机械研磨仅需要研磨通孔填充层至预设厚度即可，避免了下电极通孔的填充结构的凹陷或凸起的发生，进而减少了对阻变层的影响；从而达到减少同一片晶圆上阻变结构与阻变结构之间功能和结构之间的差异的技术效果。
存储器及其制备方法

[发明专利]比特值更新方法、计数方法、装置、介质及电子设备-CN202310437421.X在审
发明人：周煜梁 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请提供一种比特值更新方法、计数方法、装置、介质及电子设备。所述比特值更新方法包括：获取存储在存储器中的待更新比特值组合；基于循环编码模式对所述待更新比特值组合进行更新，以获取更新后的比特值组合，所述循环编码模式下每次更新前后的两个比特值组合的汉明距离为1，在所述循环编码模式下更新比特位在一个变换周期内的变换过程为：从所述预设比特位的最低位逐位变换至所述预设比特位的最高位，所述更新比特位为在所述预设比特位中比特值发生改变的比特位。所述比特值更新方法能够通过所述循环编码模式提高存储器的寿命。
比特更新方法计数装置介质电子设备

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202310450651.X在审
发明人：高飞;仇圣棻;杨芸;陈亮 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，在研磨后的膜层上增加了一层金属层；实现了隔离研磨后的膜层的平整度对阻变层的影响，达到使得阻变层尽量少受到环境因素的影响，从而改善阻变存储器的电性和工艺的稳定性技术效果。
存储器及其制备方法

[发明专利]一种PUF电路结构及存储介质-CN202310369805.2在审
发明人：周旭东;高夫 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明提供一种PUF电路结构及存储介质至少包括：第一控制模块通过接收第一驱动信号输出对应的控制信号；第二控制模块通过接收第二驱动信号输出对应的控制信号；第一存储模块与第二存储模块基于第一控制模块输出的控制信号生成对应的表征信息；第三存储模块与第四存储模块基于第二控制模块输出的控制信号生成对应的表征信息；锁存模块通过对表征信息进行监测、锁存以及解除锁存的操作，使PUF电路结构实现数据的物理随机。通过锁存模块对第一存储模块、第二存储模块、第三存储模块及第四存储模块的表征信息进行监测、锁存以及解除锁存的操作，实现了数据的物理随机，增强了存储的安全性，极大提高了数据吞吐速率。结构简单，便于扩展。
一种 puf 电路结构存储介质

[发明专利]阻变式存储元件及其制备方法-CN202310463167.0在审
发明人：戴威锋 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变式存储元件及其制备方法。所述阻变式存储元件包括上下依次层叠的下极板层、阻变层、上极板层及上电极结构层，其中，所述上电极结构层包括上下依次堆叠的两个及以上含氮金属层，两个及以上含氮金属层中的含氮量沿远离上极板层的方向逐渐降低。本发明经改善的结构设计，使得上电极结构层在具有良好的阻挡能力的同时容易控制其阻值，有助于提升器件可靠性。本发明提供的阻变式存储元件结构简洁，便于制备，有助于其制造成本的降低。
阻变式存储元件及其制备方法

[发明专利]基于模拟电路的装置的误差调整方法、选择器及装置-CN202310229578.3在审
发明人：何刚 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本申请提供一种基于模拟电路的装置的误差调整方法、选择器及装置，所述方法包括：获取传感数据；由预先存储的至少两个阈值范围中，确定所述传感数据所处的阈值范围；由预先存储的至少两个误差调整值中，选择与所处阈值范围对应的误差调整值；将所述误差调整值传送至工作电路，以使所述工作电路在所述误差调整值的修正下，执行与传感数据相关的检测分析工作。本申请提供了一种动态选择误差调整值的方法，可以使得芯片或设备等装置在不同的物理机制条件下都能达到最佳工作状态。
基于模拟电路装置误差调整方法选择器

[发明专利]基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片-CN202310301328.6在审
发明人：鹿益铭 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本申请提供一种基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片，所述反相器结构包括：PMOS单元和NMOS单元；忆阻器，所述忆阻器串联于所述PMOS单元和所述NMOS单元之间；所述PMOS单元、所述NMOS单元和所述忆阻器构成反相器结构，其中，所述忆阻器与所述PMOS单元的连接点作为反向输出端。本申请通过忆阻器构成的反相器，进而组建环形振荡器，有效提升了振荡的不稳定性。
基于忆阻器反相器结构振荡器随机数装置芯片

[发明专利]一种自适应环路振荡器结构及信号源-CN202310280823.3在审
发明人：周旭东;高夫 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明提供一种自适应环路振荡器结构及信号源包括：振荡器模块基于驱动信号生成振荡信号；第一调节模块通过设置偏置电流进而输出驱动信号，并基于振荡器模块反馈的工作状态对驱动信号进行正向调节；第二调节模块基于振荡器模块反馈的工作状态对驱动信号进行反向调节；其中，基于第一调节模块与第二调节模块的调节操作，使振荡信号的工作频率与环境温度及工艺角弱相关。通过第一调节模块及第二调节模块对振荡器模块的反馈调节，使振荡信号的工作频率与环境温度及工艺角弱相关，改善了传统环路振荡器对工艺角频率偏差以及环境温度变化极为敏感的问题。结构紧凑，易于进行系统集成。
一种自适应环路振荡器结构信号源

[发明专利]三态内容寻址存储器的加扰装置、加扰方法及芯片-CN202310188960.4在审
发明人：鹿益铭;孟凡生 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：本申请提供一种三态内容寻址存储器的加扰装置、加扰方法及芯片，所述装置包括：加扰模块，用于利用加扰信息对待输入数据进行加扰处理，生成加扰数据；第一输入模块，用于向三态内容寻址存储阵列输入所生成的加扰数据；三态内容寻址存储阵列，用于接收所述加扰数据。本申请提供了一种基于物理不可克隆函数的加扰存储方式，实现了不可预测且不可复制的加扰。
三态内容寻址存储器装置方法芯片

[发明专利]电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法-CN202310207630.5在审
发明人：刘业帆;张冠群;周烽;陈亮 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法，存储元件包括依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；所述第二电极的材料为MNx，所述阻变存储层的材料为MOy，其中，M选自于Ti、Ta和Al中的一种。本发明将第二电极的金属原子和阻变存储层的金属原子设置为相同的金属元子，同时和构成的导电通道具有相同的金属原子，可以有效避免参与构成导电通道的M金属原子过于富集，从而提高器件的寿命和耐久度，并提高器件的保持能力，进而获得更好的器件性能。本发明通过对第二电极中的N比例进行控制，可以实现第二电极具备导电性的同时，金属离子向阻变存储层中的迁移和扩散具有更高的可控性。
电阻随机存取存储元件器件及其制备方法

[发明专利]阻变随机存储器及其操作方法、存储介质及电子设备-CN202310177008.4在审
发明人：潘国华;邹微;仇圣棻;陈亮;谢鑫 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请提供一种阻变随机存储器及其操作方法、存储介质及电子设备。所述阻变随机存储器的操作方法包括：在上电或重启时，获取阻变随机存储器的温度；根据所述温度配置阻变随机存储器的写入算法，所述写入算法包括电压值、电压递进幅度、脉冲宽度、脉冲数量和/或限制电流；根据所述阻变随机存储器的写入算法控制写入电路对所述阻变随机存储器的存储器阵列进行写入操作。所述操作方法在不同温度下都能够将阻变随机存储器的写入失效率控制在较低的水平。
随机存储器及其操作方法存储介质电子设备

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制备方法-CN202310213609.6在审
发明人：张冠群;仇圣棻 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制备方法，电阻式随机存取存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第二电极包括：第一子电极层，设置于阻变存储层上；限制层，设置于第一子电极层上；第二子电极层，设置于限制层上；限制层用于限制金属原子从第二子电极层迁移到第一子电极层，第二子电极层的金属原子浓度大于第一子电极层的金属原子浓度，第一子电极层的金属原子浓度大于限制层的金属原子浓度。本发明能够提升电阻式随机存取存储器操作电压的均匀性，提高热稳定性的同时不牺牲操作电压，满足擦除出错率要求。
电阻随机存取存储器及其制备方法

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