“施正宗”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]有效补偿电路的时间歪斜的电路架构-CN201010191800.8有效
发明人： 施正宗 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明是有关于一种有效补偿电路的时间歪斜的电路架构，其结构包括：一待补偿电路、两个待补偿电路的复制电路及一时间歪斜检测及补偿产生电路，主要将同步的逻辑讯号0及1的差动讯号分别输入于两复制电路，接着，时间歪斜检测及补偿产生电路检测两复制电路输出的第一检测讯号及第二检测讯号间的时间歪斜，致使产生一补偿讯号至待补偿电路，以缩小或消除待补偿电路在逻辑讯号0与1间所存在的时间歪斜。
有效补偿电路时间歪斜架构

[发明专利]转换装置-CN201010112438.0无效
发明人：夏浚;施正宗;陈和颖 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种转换装置，其具有一第一输入端、一第二输入端与一输出端，该转换装置包含有一第一电路与一第二电路。该第一电路是耦接第一输入端与输出端，用以依据第一输入端接收的一第一输入讯号来决定是否对该输出端充电，以产生一输出讯号。而第二电路是耦接该第二输入端与该输出端，用以依据第二输入端接收的一第二输入讯号，决定是否对该输出端放电，以产生该输出讯号。可仅通过差动讯号之上升缘或下降缘，来控制单端输出讯号，进而达成改善讯号品质的功效。
转换装置

[发明专利]一种熔丝电路-CN200710152186.2有效
发明人： 施正宗 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2007-09-18 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明是一种熔丝电路，其包含有：至少一熔丝电路单元以及一电流阻断模组。该熔丝电路单元包含有：一电压建立模组，耦接至一第一参考电压源，该电压建立模组包含有：一熔丝，其一端耦接于一节点，用来根据一初始设定信号选择性地熔断，其中该电压建立模组是根据该熔丝的熔断状态，在该节点建立一电压电位；以及一闩锁器，利用该节点耦接至该电压建立模组，用来将该节点所对应的该电压电位进行闩锁操作，以产生该输出信号。该电流阻断模组耦接在一第二参考电压源与该熔丝的另一端之间，用来在进行该初始设定时，阻断流经该熔丝的电流。
一种电路

[发明专利]应用于内存读取路径的自我反馈控制的管线架构-CN200610172244.3有效
发明人：王明弘;施正宗 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明为一种应用于内存读取路径的自我反馈控制的管线架构，是具有独立的外部频率频率，其数据传送时间不受外部频率执行周期所限制，且内部控制的时序可允许弹性选择行，且外部频率讯号及内部位线感测就绪讯号间无时序上的冲突；内存读取装置具有一数据读取路径电路及一内存读取控制装置；数据读取路径电路是连接内存，以取得从该内存读取所选择的数据，且同步所选择的数据，并从该内存传输所选择的数据；内存读取控制装置是连接数据读取路径电路，以从内存中选择读取的数据，且提供自我反馈讯号，以同步传输内存中所选择的数据。
应用于内存读取路径自我反馈控制管线架构

[发明专利]保险丝控制电路的低功率设计结构-CN200510084501.3有效
发明人： 施正宗;戎博斗 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2005-07-15 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：一种保险丝控制电路的低功率设计结构，主要是以一阻断单元插接于一保险丝控制逻辑电路的控制单元以及保险丝单元之间，该阻断单元具有一可于供电程序当中阻断直流电流通的切换装置，因而得以避免电源供给电压的遽降，并导致不正确的地址、功能和计时选项，藉由该阻断单元的设置，得以排除于保险丝单元未完全烧断时的不确定的逻辑状态，因此于电路的输出上可确保正确的电压水平。
保险丝控制电路功率设计结构

[发明专利]用于记忆体积体电路的晶圆等级烧录-CN03153020.6有效
发明人： 施正宗;戎博斗;刘士晖 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种具烧录功能的记忆体元件包括一记忆体单元陈列和一烧录测试区块，其中该烧录测试区块又包含一记忆体位址产生器、一资料模式产生器、及一指令模式产生器，而此烧录测试区块可将资料写入至该记忆体单元中、可启动陈列中的字线至ON的状态、并可将此陈列箝制在一静态模式中。本发明并揭露藉此元件来进行晶圆等级烧录的方法。
用于记忆体积体电路等级

[发明专利]相容于SRAM界面的DRAM的延迟读取/储存模式-CN03142979.3有效
发明人： 施正宗 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明是有关于一种内部式执行外部初始化存取动态内存阵列，而该陈列包括需要周期性更新的多个动态记忆体存格的方法，该方法包括：第一，确定该动态内存阵列是否已经启动；第二，插入一读写待机时间的等待期，其中该读写待机时间是为列存取时间以及列预充电时间的总和。并且候待更新是于读写待机时间当中进行。候待写入存取得于读写待机时间当中进行。最后，在读写待机时间后，再将外部的存取于动态内存阵列内进行内部式执行的方法和电路。
相容 sram 界面 dram 延迟读取储存模式

[发明专利]最小脉冲宽度侦测与重生电路-CN03142981.5无效
发明人： 施正宗 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H03K5/00 文献下载
摘要：本发明是一种最小脉冲宽度侦测与重生电路。首先，该电路包括一脉冲宽度侦测器，其能够侦测一输入讯号脉冲是否在最小宽度与最大宽度之间的范围内；其次，如果输入讯号脉冲在该范围内，脉冲宽度延伸器能够延伸输入讯号脉冲宽度至该最大宽度。最后，如果输入讯号脉冲小于最小宽度，干扰讯号滤波器能够滤除输入讯号脉冲。
最小脉冲宽度侦测重生电路

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top