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[发明专利]显示面板-CN202211712835.0在审
发明人： 施佼佼 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，显示面板包括：基板；至少一条第一金属线，设置于基板上；至少一个绝缘层，至少一个绝缘层从第一金属线的一侧延伸至至少一条第一金属线在第一金属线的宽度方向上的至少一个侧壁上，并覆盖至少一条第一金属线的至少一个侧壁的至少部分；以及至少一条第二金属线，位于至少一条第一金属线远离基板的一侧，且与至少一条第一金属线重叠，第二金属线靠近绝缘层的侧壁相对于绝缘层远离第一金属线的侧壁更靠近第一金属线。
显示面板

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202210494354.0在审
发明人： 施佼佼;徐洪远;郭力;苏东明;张伟伟 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提出了一种阵列基板及显示面板；该阵列基板包括多条数据线和多条扫描线，多条数据线与多条扫描线围成多个子像素单元，子像素单元包括衬底、设置衬底上的公共电极层和位于公共电极层一侧的有源层，有源层包括至少一个第一有源层和至少一个第二有源层，第一有源层位于阵列基板的薄膜晶体管内，至少一个第二有源层不位于所述公共电极层与所述数据线交叠的位置；本申请通过去除部分公共电极层来减少公共电极层与有源构件的正投影的交叠位置数量，进而减小因有源层自身厚度导致正负帧显示下的耦合电容不对称性，有效改善正负帧显示时因耦合电容难以抵消而导致的水平串扰问题。
阵列显示面板

[发明专利]像素电极的制备方法、阵列基板以及显示面板-CN202111457638.4在审
发明人： 施佼佼;张婷 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请公开了一种像素电极的制备方法、阵列基板以及显示面板，所述像素电极的制备方法包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板的一侧沉积一光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理；对所述光刻胶层进行预润湿处理，在所述光刻胶层的表面和/或内部形成多个孔洞；在所述衬底基板上沉积一透明导电层，所述透明导电层覆盖所述光刻胶层；剥离所述光刻胶层以及覆盖于所述光刻胶层上的所述透明导电层，以形成图案化的像素电极。通过预润湿处理使所述光刻胶层的表面和/或内部形成多个孔洞，使所述光刻胶层上的所述像素电极更容易断裂，并且提高了所述光刻胶层的剥离效率。
像素电极制备方法阵列以及显示面板

[发明专利]一种单晶光纤的包层制备方法-CN201811179140.4有效
发明人：赵衡煜;徐军;侯文涛;施佼佼;罗平;王庆国 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶光纤的包层制备方法，包括以下步骤：(1)包层的制备：将单晶光纤作为预制棒原料，并在其中心轴线上钻孔，得到包层；(2)预制棒的制备：将外径与包层中心孔径相当的单晶体作为纤芯，插入包层中心孔内，得到预制棒；(3)单晶光纤的制备：将预制棒作为籽晶进行晶体生长，形成具备包层结构与纤芯结构的单晶光纤。与现有技术相比，本发明具有使用原料少，生长速度快，使用小尺寸的贵金属坩埚可降低成本等优点。
一种光纤包层制备方法

[发明专利]基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置及方法-CN201810902235.8有效
发明人：赵衡煜;徐军;侯文涛;施佼佼;罗平;王庆国 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置，包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7)，所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上，所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方，并与其一起置于石英筒(1)内，所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内，并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5)，氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比，本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体，并具有延长坩埚使用寿命，降低长晶成本等优点。
基于温度梯度稀土氧化物晶体生长装置方法

[发明专利]一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法-CN201711287883.9在审
发明人： 施佼佼;徐军;唐慧丽;王庆国;吴锋;罗平;刘斌 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为(Dy_xLu_1‑x)₂O₃，其中x的取值范围为0.00001～0.3，其晶胞参数为1.0411nm，密度为9.42g/cm³。采用光学浮区法生长掺镝氧化镥激光晶体，生长气氛为高纯氩。与现有技术相比，本发明掺镝氧化镥激光晶体可采用InGaN激光二极管泵浦，并且具有较大的黄光荧光分支比，有望实现可见波段的高效黄光输出。该发明可广泛应用于医疗、通讯、显微镜、生物医学等。
激光晶体氧化镥可见波段黄光制备激光二极管泵浦光学浮区法晶胞参数生长气氛生物医学分支比高纯氩晶体的荧光显微镜输出生长通讯医疗应用

[发明专利]一种基于孤子光谱边带测量光纤色散的方法-CN201510096154.X在审
发明人：赵鹭明;葛映婷;郭倩颖;施佼佼;陈旭涛;白云生;罗娇林;金鑫鑫;李雷;唐定远 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于孤子光谱边带测量光纤色散的方法，涉及超短脉冲测量领域。本发明通过波分复用器、增益光纤、偏振控制器、光纤隔离器、光纤起偏器、光纤耦合器、标准单模光纤、待测光纤和偏振控制器连接成环形腔来实现。使用光谱仪探测加载待测光纤前后激光器输出脉冲的凯利边带的变化情况，从光谱图得出各阶边带对中心波长的偏移量，利用最小二乘法线性拟合各阶边带对中心波长偏移量的平方与对应阶数的数据，即可得曲线的斜率，通过计算得到激光器加载待测光纤前后的总色散，简单数值计算即可求得待测光纤的色散。本发明适用于各种单模光纤色散的测量，可精确得出光纤的色散值，测量技术简单，计算方法简便。
一种基于孤子光谱边带测量光纤色散方法