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[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备-CN200910226600.9无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。本发明还涉及从该半导体晶片中生产半导体器件的方法和设备。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备-CN200810131142.6无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备-CN200810130041.7无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：生产半导体器件的方法和设备，该半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

[发明专利]元件形成用衬底及其制造方法和半导体装置-CN200610000325.5无效
发明人：永野元;新田伸一;山田敬;佐藤力;丹泽胜二郎;水岛一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-01-17 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的是能在SOI衬底上形成高品质的非SOI区域，在同一半导体芯片上有效地集成逻辑电路和DRAM。该目的是通过下述方法实现的。在元件形成用衬底的制造方法中，在使各自的主面对置的状态下经氧化膜(111)、(121)将在主面上具有热氧化膜(111)的支撑侧衬底(110)与在主面上具有热氧化膜(121)的有源层侧衬底(120)接合后，从与有源层侧衬底(120)的主面相反一侧的面到氧化膜(111)中的任意位置为止有选择地刻蚀有源层侧衬底(120)和氧化膜(121)、(111)的一部分，其次，在有源层侧衬底(120)的刻蚀侧面部上形成侧壁绝缘膜145，其次，有选择地刻蚀有源层侧衬底(120)的正下方以外剩下的氧化膜(111)，其次，在由氧化膜的除去而露出的支撑侧衬底(110)上形成单晶半导体层。
元件形成衬底及其制造方法半导体装置

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片，及从中生产半导体器件的方法和设备-CN200510099508.2无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

[发明专利]元件形成用衬底及其制造方法和半导体装置-CN200410000996.2无效
发明人：永野元;新田伸一;山田敬;佐藤力;丹泽胜二郎;水岛一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-01-17 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的目的是能在SOI衬底上形成高品质的非SOI区域，在同一半导体芯片上有效地集成逻辑电路和DRAM。该目的是通过下述方法实现的。在元件形成用衬底的制造方法中，在使各自的主面对置的状态下经氧化膜(111)、(121)将在主面上具有热氧化膜(111)的支撑侧衬底(110)与在主面上具有热氧化膜(121)的有源层侧衬底(120)接合后，从与有源层侧衬底(120)的主面相反一侧的面到氧化膜(111)的中途的深度为止有选择地刻蚀有源层侧衬底(120)和氧化膜(121)、(111)的一部分，其次，在有源层侧衬底(120)的刻蚀侧面部上形成侧壁绝缘膜145，其次，有选择地刻蚀有源层侧衬底(120)的正下方以外剩下的氧化膜(111)，其次，在由氧化膜的除去而露出的支撑侧衬底(110)上形成单晶半导体层。
元件形成衬底及其制造方法半导体装置

[发明专利]具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件-CN03104114.0无效
发明人：山田敬;佐藤力;新田伸一;永野元;水岛一郎;亲松尚人;南良博;宫野信治;藤井修 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-02-13 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第1、第2半导体层和第1、第2MOS晶体管。第1半导体层，设置在半导体衬底上边，且已与上述半导体衬底电连起来。第2半导体层，设置在上述第1半导体层的附近，且与半导体衬底电隔离。第1、第2MOS晶体管，分别设置在上述第1、第2半导体层上边，分别具有与上述第1、第2半导体层的边界平行地配置的栅极电极。
具有部分绝缘体空洞外延构造半导体器件

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN02149518.1无效
发明人：山田敬;永野元;水島一郎;佐藤力;親松尚人;新田伸一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：半导体装置具有支持基片；在支持基片上的块状成长层形成第1元件的块状元件区域；在支持基片的埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域；位于这些区域的边界的边界层。在块状成长层形成元件的块状元件区域的元件形成面，与在埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域的元件形成面高度大致相等。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备-CN02124538.X无效
发明人：有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：半导体晶片具有倾斜轮廓,沿着半导体晶片的周边形成;形成在该晶片上的产品;和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
具有 id 标记半导体晶片从中生产半导体器件方法设备

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