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[发明专利]一种可调谐超材料偏振器及其制作方法-CN201910419793.3有效
发明人：闵力;王文进;罗文华;文于华;李照宇;邹新长;刘均 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐超材料偏振器及其制作方法。在衬底上的由掺杂半导体超材料共振单元构成的超材料阵列，共振单元的第一电源端口接调控电源的正极，共振单元的第二电源端口接调控电源的负极，避免了通过线偏振器和四分之一波片来构造偏振器，缩小了体积且易于集成。此外，通过外部电场调节半导体内部载流子的浓度，实现了动态调控超材料的电磁共振强度，从而满足了偏振器不同工作波长的需求，拓宽了工作波长的适用范围。
一种调谐材料偏振及其制作方法

[发明专利]一种基于超材料谐振腔的太赫兹马赫-曾德干涉仪-CN201910269071.4有效
发明人：闵力;陶家友;廖高华;王文进;文于华;陈灏;钱坤 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超材料谐振腔的太赫兹马赫‑曾德干涉仪，由输入波导、分束器、相位调制臂、合成器和输出波导构成，其特征在于：所述的相位调制臂为2个结构、材料完全一样的相位调制臂，并且每个相位调制臂都设有一个完全一致的超材料谐振腔，所述相位调制臂具有错向调节机制，其中一支相位调制臂为正向调节，另一支相位调制臂为反向调节。本发明不仅体积小，能更好地调控电磁波的强度和相位，同时引入错向调节机制，其工作效率、调制速率、探测灵敏度更加优良。
一种基于材料谐振腔赫兹马赫干涉仪

[发明专利]一种双介质控制装置-CN202111247979.9在审
发明人：高爱莲;刘增磊;张春燕;罗建新;王勇刚;文于华 -专利权人：湖南工学院
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：一种双介质控制装置，包括主阀部、平台；其中所述平台内设有供液通道、支路、供给腔、排液通道、避让槽、渗漏通道、弹簧、活塞、支架；所述主阀部包括阀体、阀盖、连接座、驱动装置、阀轴、阀芯、第一通道、第二通道、缺口、退离回油路、退离油路、供油通道、进给油路、进给回油路、冷却液供给路、冷却液出路；其中所述阀体上方设有阀盖，所述阀体中设有所述阀芯，所述阀盖上方设有所述连接座，所述连接座上方设有所述驱动装置，所述驱动装置通过所述阀轴输出动力，所述阀轴穿过所述连接座与所述阀盖连接至所述阀芯。
一种介质控制装置

[发明专利]一种基于激光共聚焦显微技术的细胞智能识别方法-CN202010558516.3在审
发明人： 文于华;胡新华;王文进;田芃;刘靖;刘清;胡宏亮;谢雅芳;杨大洲;杨紫君;刘轶;王可 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光共聚焦显微技术的细胞智能识别方法，包括以下步骤：（1）对细胞进行培养和荧光染色处理；（2）采用激光共聚焦显微镜获取细胞多荧光通道的层切图像；（3）对层切图像依次进行灰度化、去噪处理以及阈值分割，挑出细胞区域，同一个荧光通道的灰度数据存入一个三维矩阵；（4）采用区域随机生长模型，确定每个细胞区域并标号；（5）对标号的细胞按次序进行插值三维重建，并计算各细胞三维形态参数；（6）采用不同细胞重复（1）至（5）过程，再用机器学习方法对细胞三维形态特征进行学习，最终实现多种细胞的识别。本发明提出的识别方法，基于激光共聚焦显微技术获取的细胞三维形态特征，能快速有效的识别各种细胞。
一种基于激光聚焦显微技术细胞智能识别方法

[发明专利]一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法-CN201610366645.6有效
发明人： 文于华;刘阳 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法。该器件包括衬底层(1)、缓冲层(2)、非故意掺杂GaN(i‑GaN)外延层(3)、n‑AlGaN外延层(4)、n‑AlN导电层(5)与n‑AlN氧化层(6)、i‑GaN再生长层(7)、AlGaN再生长层(8)、栅极氧化层(9)、设置于(8)上的源极(10)、设置于(4)上的漏极(11)、设置于(9)上的栅极(12)。器件工作时，漏极电流须经过未氧化的n型AlN导电层流向源极，形成垂直导电结构的增强型器件。本发明具有击穿电压高、输出电流密度大、漏电流小等优点，适合于高功率电力电子领域应用。
一种垂直结构 gan 增强场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种二次外延生长制备氮化镓系材料的方法-CN201810018514.8在审
发明人： 文于华;刘阳;张梅;田芃;金佳鸿 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次外延生长制备氮化镓系材料的方法，包括以下步骤：（1）依次在衬底材料上生长出缓冲层、非故意掺杂的GaN外延层；（2）在GaN外延层上淀积一层介质掩蔽膜，光刻并通过湿法腐蚀方法去除部分掩蔽膜，形成二次外延生长区域；（3）将步骤（2）形成的材料进行等离子体处理，形成含有5~25%空位缺陷的GaN表层；（4）二次外延生长出由氮化镓系二元、三元和四元化合物半导体材料构成的同质或者异质结构。本发明在二次外延生长前，先将生长区域进行等离子体处理，引入满足条件的表面空位缺陷分布，从而诱导GaN材料在二次外延生长初期的层状生长，并且实施工艺简单，适合在氮化镓光电器件和电子器件制造领域应用。
外延生长氮化镓系材料等离子体处理空位缺陷制备氮化镓光电器件半导体材料电子器件制造外延生长区域介质掩蔽膜四元化合物层状生长衬底材料氮化镓系领域应用满足条件生长区域湿法腐蚀异质结构掺杂的缓冲层掩蔽膜淀积光刻同质去除诱导生长引入

[发明专利]一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管及其制作方法-CN200910193180.9无效
发明人：刘扬;文于华;李佳林;贺致远;江灏;张佰君;王钢 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： H01L21/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管的制作方法，包括：A、依次在衬底上生长缓冲层、GaN外延层、第一AlGaN层；B、在第一AlGaN层上生成掩蔽膜；C、在未被掩蔽的第一AlGaN层上生长第二AlGaN层，去除掩蔽膜形成凹槽；D、形成两个Ohmic电极并合金形成欧姆接触；E、蒸镀与两个Ohmic电极之一相连的Schottky电极。其中，Schottky电极蒸镀窗口通过选择区域生长(SAG)的方法形成。本发明还公开了一种复合结构AlGaN/GaN场效应二极管，该二极管采用Schottky-Ohmic复合结构实现对导电沟道的控制。当施加反向偏压时，Schottky接触可以耗尽二维电子气，关闭导电沟道；当施加正向偏压时，二维电子气导电沟道打开，形成导电通路。本发明器件结构简单、性能稳定、工艺流程中材料损伤少、可实现低的开启电压。
一种复合结构 algan gan 场效应二极管及其制作方法

[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法-CN200910036617.8有效
发明人：刘扬;江灏;文于华;张佰君;王钢 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强型AlGaN/GaN场效应管的制作方法，即采用二次生长AlGaN层来制作增强型AlGaN/GaN HFET的方法，其包括以下步骤：(1)在衬底上先生长一层缓冲层，并在其上方生长一层GaN外延层；(2)在GaN外延层上生长第一AlGaN层，完成第一次材料生长；(3)在第一AlGaN层上淀积一层SiO₂掩蔽膜，通过光刻的方法，保留形成栅极区域之上的SiO₂掩蔽膜；(4)在未被掩蔽的第一AlGaN层上二次生长第二AlGaN层，完成第二次材料生长；(5)去除SiO₂掩蔽膜；(6)在第二AlGaN层上形成源极和漏极，再在栅极区域上形成栅极。另外，本发明还公开了一种增强型AlGaN/GaN场效应管。本发明工艺简单，可靠性好，可以获得较高的阈值电压和跨导。
一种增强 algan gan 场效应及其制作方法

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