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[发明专利]双面冷却功率封装结构-CN202180004154.6在审
发明人：资重兴 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种双面冷却功率封装结构包括第一冷却基板、第二冷却基板、至少一半导体晶片以及多个第一导电带。第二冷却基板与第一冷却基板相对设置。所述半导体晶片接合在第一冷却基板和第二冷却基板其中一个上。所述第一导电带设置在第一冷却基板与第二冷却基板之间，其中每个第一导电带包括第一部分、第二部分以及连接第一部分和第二部分的可弯曲部分。所述可弯曲部分在所述第一部分的边缘形成闭环。第一部分和第二部分中的一个与所述半导体晶片直接接触，而第一部分和第二部分中的另一个远离所述半导体晶片延伸。
双面冷却功率封装结构

[发明专利]用于具数据传输率的系统的低功耗操作法-CN202011144328.2在审
发明人：詹朋翰;林俊贤;李盛城;林文胜;苏育正 -专利权人：敦宏科技股份有限公司;敦南科技股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G05B11/01 文献下载
摘要：一种用于具数据传输率的系统的低功耗操作法，通过不受电压、制程及温度影响的电源管理单元偏压第一频率振荡器，使其产生恒定高精度频率，以此高精度的HOSC去修正以第二频率振荡器为参考频率的定时器计时长度，最后以该计时长度，实现出具有电压、制程及温度补偿的高精度周期性数据传输。藉此，本发明将PMU搭配HOSC产生的稳定强健特性，使用简易的方式，复制到以其他振荡器为参考的定时器计时长度上，使系统在休眠时，以此定时器计时，即使关闭HOSC与PMU，还是能保持稳定强健的周期性，使具周期性数据传输，保有非周期性数据传输的低功率消耗优点。
用于数据传输系统功耗操作法

[发明专利]三态数字结构-CN202011144501.9在审
发明人：詹朋翰;林俊贤;李盛城;林文胜;苏育正 -专利权人：敦宏科技股份有限公司;敦南科技股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种三态数字结构，其具备接地（GND）、电压（VDD）及空接（FLOAT）三种状态，只要在设计芯片时，在内部设置二储存单元（Storage Unit）及一包含二限流器（Current Limiter）与二切换器（switch）的接垫电路，就可以比传统技术的端口少，等于一个端口就可以有三种状态，相较于传统一个端口只能有二种状态，本发明只要在每个端口多二个储存单元接上这个接垫电路就可以做到三种状态。藉此，使用上拉与下拉的电路特性去识别端口的连接状态，能令一个端口可以通过GND、VDD及FLOAT三种状态判断多个定义，进而能省掉一个接垫，达到节省芯片的空间与成本的功效。
三态数字结构

[发明专利]半导体模块及其制造方法-CN202010469892.5在审
发明人：李嘉炎;林孝羲 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体模块及其制造方法，所述半导体模块包括一电路基板、至少一半导体晶片、数个插脚、数条导线以及封装结构。电路基板的表面具有一电路图案，半导体晶片位于所述电路基板的所述表面上，且上述插脚位于电路基板的所述表面上，每个插脚包括上插脚与下插脚，上插脚经由下插脚电性连接电路图案。导线分别连接半导体晶片与电路图案，封装结构则包封半导体晶片、导线、电路图案以及每个插脚的下插脚，其中封装结构的材料包括环氧树脂模塑料(EMC)。
半导体模块及其制造方法

[发明专利]功率模块-CN202010795373.8在审
发明人：韩伟国;李嘉炎;张景尧;张道智 -专利权人：财团法人工业技术研究院;敦南科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种功率模块，包括主壳体、功率组件及至少一组装组件。主壳体具有至少一侧壁及从侧壁上延伸出的至少两凸肋。功率组件配置于主壳体内且被侧壁紧抵于散热结构上。组装组件包括主区段及两弯折区段。主区段位于两凸肋之间且包括中央部、至少一可动件及周围部。中央部具有锁附部，周围部围绕中央部，可动件连接于中央部与周围部之间。两弯折区段分别连接于周围部的相对两侧边且分别被内埋于两凸肋内。本发明的功率模块可使其内的功率芯片的基板稳定的接触散热结构，避免因不正确的锁附而歪斜。
功率模块

[发明专利]具暗电流补正功能的光学接收电路及其暗电流补正方法-CN201710890039.9有效
发明人：林文胜;李盛城 -专利权人：敦宏科技股份有限公司;敦南科技股份有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H04B10/69 文献下载
摘要：现有技术无法对光感测电路之中的光二极管的暗电流进行完美的补正，有鉴于此本发明提供一种具暗电流补正功能的光学接收电路与该光学接收电路的一种暗电流补正方法；其中该光学接收电路系包括：一跨阻放大器、一第一可变电阻器、一第二可变电阻器、一光二极管、一补偿用光二极管、至少一第一补正用光二极管、至少一第一开关、至少一第二补正用光二极管、以及至少一第二开关。当补偿用光二极管的暗电流无法完全消除光二极管所产生的光电流所带有的漏电流之时，可以通过闭合第一开关与第二开关方式启用第一补正用光二极管与第二补正用光二极管，进而利用两个补正用光二极管所产生的暗电流来完全消除光二极管的光电流所带有的漏电流成分。
电流补正功能光学接收电路及其方法

[发明专利]超结半导体元件-CN201510995559.7有效
发明人：郭家展;许志维;庄如旭;于世珩 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种超结半导体元件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、场绝缘层、浮接电极层、隔离层及至少一晶体管结构。漂移层内的多个n型及p型掺杂柱交替地排列，而形成超结结构。漂移层定义出元件区、过渡区及位于元件区外围的终止区，过渡区位于元件区与终止区之间。场绝缘层设置于漂移层的表面上，并覆盖终止区以及部分过渡区。浮接电极层设置于场绝缘层上，并具有一部分位于终止区内。晶体管结构包括由元件区延伸到过渡区的源极导电层，其中源极导电层由元件区延伸至过渡区，并通过隔离层与浮接电极层电性绝缘。本发明的超结半导体元件通过设置延伸到终止区内的浮接电极层，可扩大终止区内的电场分布范围，从而提高超结半导体元件整体的击穿电压。
半导体元件

[发明专利]二极管元件及其制造方法-CN201510866262.0有效
发明人：于世珩;蔡松颖;张有宏;庄如旭;许志维 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管元件及其制造方法。二极管元件包括基板、位于基板上的磊晶层、沟槽式栅极结构、肖特基二极管结构及终端结构。磊晶层定义一主动区及一终止区。肖特基二极管结构与沟槽式栅极结构皆位于主动区，而终端结构位于终止区。终端结构包括终端沟槽、终端绝缘层、第一间隙壁、第二间隙壁及第一掺杂区。终端沟槽形成于磊晶层中。终端绝缘层顺形地覆盖于终端沟槽的内壁面。第一间隙壁与第二间隙壁分别位于终端沟槽的两侧壁面。第一掺杂区形成于终止区，并位于终端结构下方，其中第一掺杂区与磊晶层具有相反的导电型。本发明可改变电场分布，从而提高肖特基二极管的反向崩溃电压，并降低反向漏电流。
二极管元件及其制造方法

[发明专利]静电放电保护元件-CN201710617014.1在审
发明人：谢志泓;曾清秋;许志维 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静电放电保护元件，其包括：基底、磊晶层、第一内部掺杂区、第二内部掺杂区、第一顶部掺杂区、第二顶部掺杂区以及导电层。基底上具有一第一元件区以及一第二元件区，磊晶层设于基底上，第一内部掺杂区与第二内部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且接近基底与磊晶层的接面，第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区分别设于第一元件区与第二元件区内且分别从磊晶层的表面外露，导电层电性连接第一顶部掺杂区与第二顶部掺杂区。据此，本发明能有效降低箝制电压。
掺杂区磊晶层基底第二元件第一元件静电放电保护元件导电层电性箝制电压导电层外露接面

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201710271479.6在审
发明人：罗梓源;曾清秋;许志维 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法，此方法首先提供一半导体基板，接着图案化半导体基板以形成一高原结构及一相邻于高原结构的沟槽，此后形成一钝化层以覆盖沟槽的壁面，其中钝化层包括一氮化物层，最后形成一电极层于高原结构的表面上。据此，本发明可缩短制造时间并降低生产成本。
半导体器件钝化层高原图案化半导体基板半导体基板氮化物层电极层壁面制作覆盖制造

[发明专利]半导体组件-CN201610680500.3在审
发明人：楼百尧 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体组件，包含有一晶粒；一薄型金属垫，设置于该晶粒之上；一钝化层，设置于该晶粒之上；一厚型金属层，设置于该薄型金属垫与该钝化层之上，电性连接于该薄型金属垫；以及一缓冲层，设置于该钝化层与该厚型金属层之间，用来避免该钝化层碎裂。
半导体组件

[发明专利]凸块构造与其构成的内连结构-CN201610018506.4在审
发明人：楼百尧 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开一种凸块结构，包括一焊盘，以及一钝化层，覆盖该接垫的周缘，其中所述钝化层包含一开口，显露出所述焊盘的部分表面区域。一第一部位，位于所述焊盘上，所述第一部位包含一上表面及一侧壁。一第二部位，覆盖在所述第一部位的上表面及其全部的侧壁上。
构造与其构成结构

[发明专利]桥式整流器以及其制造方法-CN201310144907.0有效
发明人：曾清秋 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种桥式整流器，包括一共P型二极管晶粒、一共N型二极管晶粒、两第一金属层、两对第二金属层、一对交流输入部以及一对直流输出部；共P型二极管晶粒包括一共P型掺杂区、一对第一N型基底区以及一对N型掺杂区；而共N型二极管晶粒包括一共N型掺杂区、一对第二N型基底区以及一对P型掺杂区；第一金属层分别连接共N型掺杂区以及共P型掺杂区；第二金属层分别连接P型掺杂区以及N型掺杂区；交流输入部分别连接共P型二极管晶粒的其中一第二金属层以及共N型二极管晶粒的其中一第二金属层；直流输出部连接第一金属层。本发明包括一共P型二极管晶粒以及一共N型二极管晶粒，减少晶粒的使用，进而简化了制造过程。
整流器及其制造方法

[发明专利]中断控制方法及其电子系统-CN201310501008.1有效
发明人：詹朋翰 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种中断控制方法及其电子系统，该电子系统包含一主机单元及一电子装置，该中断控制方法包含有接收该电子装置所产生的一数字数据；判断该数字数据的数值，并将该数字数据的数值的可能范围划分为复数个区间；以及当该数字数据的数值从该复数个区间中一第一区间改变至一第二区间并维持在该第二区间一特定期间之后，发送一中断讯号至该主机单元。
中断控制方法及其电子系统

[发明专利]中断控制方法及其电子系统-CN201310444355.5有效
发明人：詹朋翰 -专利权人： 敦南科技股份有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种中断控制方法，用于一电子系统的一控制单元，该电子系统包含一主机单元及一电子装置。所述中断控制方法包括：接收所述电子装置产生的一数字数据；判断该数字数据的数值；根据该数字数据的数值，通过以下方式发送中断信号至所述主机单元：当所述控制单元位于一第二信号发送状态，且该数字数据的数值增加并超过一第一临界值且维持在该第一临界值之上一第一特定期间之后，切换该控制单元至一第一信号发送状态；以及当该控制单元位于该第一信号发送状态，且该数字数据的数值降低并越过一第二临界值并维持在该第二临界值之下一第二特定期间之后，切换该控制单元至该第二信号发送状态；其中，该第二临界值小于该第一临界值。
中断控制方法及其电子系统

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