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[发明专利]一种碲化锗基热电材料及其制备方法-CN202310748615.1在审
发明人：胡利鹏;成家回;敖伟琴;张朝华;刘福生 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供一种碲化锗基热电材料及其制备方法，所述碲化锗基热电材料的化学通式为(Ge1‑ySbyTe)1‑x(AgInTe2)x，其中，x、y的取值范围分别为：0＜x≤0.2，0＜y≤0.1。所述制备方法包括：按照碲化锗基热电材料的化学通式称取各元素单质并混合，得到混合料，并进行封装；将封装后的混合料高温熔炼，使所述混合料在高温熔融状态下充分反应，再经过淬火后得到金属铸锭；将所述金属铸锭放入球磨罐中，并按一定比例放入不同直径的球磨珠后，对所述金属铸锭进行球磨，得到粉末料；将所述粉末料放置于石墨模具中，进行真空放电等离子体烧结，冷却后得所述碲化锗基热电材料。本发明提供的碲化锗基热电材料在室温下呈立方相，且具有优异的室温热电性能、高结构稳定性的优点。
一种碲化锗基热电材料及其制备方法

[发明专利]一种n型碲化铋基室温热电材料及其制备方法-CN202110692841.3有效
发明人：胡利鹏;周延杰;李均钦;刘福生;张朝华;敖伟琴 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明公开一种n型碲化铋基室温热电材料及其制备方法，所述n型碲化铋基室温热电材料的化学式为Bi2‑xSbxTe3，其中，x＝0‑1.3。所述n型Bi2‑xSbxTe3热电材料在室温附近具有较佳的热电优值，由于n型Bi2‑xSbxTe3与p型Bi2‑xSbxTe3的组成元素相同，所以两者不仅应用温区匹配，机械力学上更加匹配，进而能够大幅度提升热电器件的使用寿命与成品率。本发明提供的制备方法简单、成本低、可重复性好。
一种型碲化铋基室温热电材料及其制备方法

[发明专利]p型碲化铋制备方法、装置、系统与计算机可读存储介质-CN202110722723.2在审
发明人：刘福生;兰开亮;张朝华;胡利鹏;敖伟琴;李煜;李均钦 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型碲化铋制备方法，包括：根据p型碲化铋的化学式，确定原料配比，并根据原料配比，将原料装入石英管中；对石英管进行洗气操作，并将石英管进行抽真空操作和密封操作；对经过密封操作的石英管中的原料进行熔炼操作和冷却操作，以得到铸锭，并将铸锭磨成原料细粉，将原料细粉装入石墨模具中进行放电等离子烧结操作，以得到所述p型碲化铋。本发明还公开了一种p型碲化铋制备装置、系统和计算机可读存储介质。本发明通过将制备p型碲化铋的原料根据原料配比放入真空密封的石英管，并对石英管中的原料进行熔炼操作和放电等离子烧结操作，最终得到p型碲化铋，提高了p型碲化铋的热电性能和机械性能。
型碲化铋制备方法装置系统计算机可读存储介质

[发明专利]与热电材料匹配的电极及其连接方法-CN201810832305.7有效
发明人：朱家旭;刘福生;李均钦;敖伟琴;张朝华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本发明属于电化学技术领域，具体涉及一种与热电材料匹配的电极及其连接方法。该与热电材料匹配的电极为银镍合金，且所述热电材料为FeNb_0.88Hf_0.12Sb基热电材料。该银镍合金与FeNb_0.88Hf_0.12Sb基热电材料连接后，连接界面在时效后生成的金属化合物保持稳定，没有进一步扩散影响热电材料的性能，相比现有常见的Cu电极材料，本发明的银镍合金在高温时效后不会降低热电材料的性能，而且银镍合金的导电性更好，从而使外加电阻更小，器件的效率更高，因此，银镍合金非常适合作为FeNb_0.88Hf_0.12Sb基热电材料的电极。
热电材料银镍合金电极匹配电化学技术领域金属化合物导电性电极材料高温时效连接界面电阻扩散

[发明专利]一种热电元件及其制备方法和热电器件-CN201811390834.2在审
发明人： 敖伟琴;彭淼;余海昭;刘福生;李均钦;张朝华;李煜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L35/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种热电元件，包括热电层、阻挡层和电极层，所述阻挡层位于所述热电层和所述电极层之间，所述阻挡层的材质包括单质铝或铝合金，所述热电层和所述电极层的热膨胀系数为15×10^‑6/℃‑25×10^‑6/℃；阻挡层的设置避免了热电层和电极层直接接触时界面之间产生严重扩散现象；阻挡层具有高的热导率和电导率，延展性好；阻挡层的热膨胀系数与热电层和电极层的热膨胀系数相近，使得各界面之间无裂纹出现、结合强度高、界面结构稳定，保证热电层的热电效率以及电极层的电导效率，有利于保持热电元件和热电器件的热电转换效率和稳定性，提高了热电元件和热电器件的使用寿命。
电极层热电层阻挡层热电元件热膨胀系数热电器件热电转换效率电导率延展性界面结构热电效率使用寿命单质铝热导率铝合金电导制备扩散保证

[实用新型]热电器件及其电极-CN201720979310.1有效
发明人：刘福生;刘斌;李均钦;敖伟琴;张朝华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热电器件及其电极。本实用新型热电器件电极包括以此层叠结合的half‑Heusler基质层、焊料层和电极层，在所述half‑Heusler基质层与焊料层之间还层叠结合有阻挡层，所述阻挡层为钛镍合金层。本实用新型热电器件电极所含的钛镍合金层结构能够使得电极层与half‑Heusler基质层接触界面之间具有良好的热膨胀匹配，而且在界面之间形成的扩散层厚度小，界面接触电阻小，而且扩散层厚度能够随服役时间的延长保持稳定，使得界面稳定高，从而赋予实用新型热电器件高的热电转换效率。
热电器件电极本实用新型基质层层叠结合钛镍合金电极层焊料层扩散层阻挡层热膨胀界面接触电阻热电转换效率接触界面界面稳定层结构匹配赋予

[发明专利]TiCoSb基高熵热电材料及其制备方法与热电器件-CN201711224568.1在审
发明人：刘福生;王晓;敖伟琴;李均钦;张朝华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L35/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiCoSb基高熵热电材料及其制备方法和应用。本发明TiCoSb基高熵热电材料，其化学式为Ti_1‑xM_xCo_1‑yNi_ySb_1‑zSn_z；x＝0.2～0.8，y＝0～0.2，z＝0～0.3，所述M包括V、Nb、Hf、Zr、Sc、Y、Ta、Mo元素中任意4‑5种元素。其制备方法包括按照TiCoSb基高熵热电材料所含元素的化学计量比称取各纯金属原料，并进行熔炼处理和退火处理及放电等离子体烧结步骤。本发明TiCoSb基高熵热电材料具有低的晶格热导率。所述TiCoSb基高熵热电材料的制备方法工艺条件易控，保证了制备的TiCoSb基高熵热电材料微观形貌和物化性能稳定，而且制备的效率高，降低了生产成本。
热电材料高熵制备放电等离子体烧结制备方法和应用制备方法工艺化学计量比晶格热导率热电器件退火处理微观形貌物化性能纯金属熔炼称取生产成本保证

[发明专利]ZrNiSn基高熵热电材料及其制备方法与热电器件-CN201711213691.3在审
发明人：刘福生;龚波;敖伟琴;李均钦;张朝华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C22C30/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZrNiSn基高熵热电材料及其制备方法和应用。本发明ZrNiSn基高熵热电材料，其化学式为Zr1‑xMxNi1‑yCoySn1‑zSbz,x＝0.2～0.8，y＝0～0.2，z＝0～0.3，所述M包括V、Nb、Hf、Ti、Sc、Y、Ta、Mo元素中任意4‑5种元素。其制备方法包括按照ZrNiSn基高熵热电材料所含元素的化学计量比称取各纯金属原料，并进行熔炼处理和退火处理及放电等离子体烧结步骤。本发明ZrNiSn基高熵热电材料具有低的晶格热导率。所述ZrNiSn基高熵热电材料的制备方法工艺条件易控，保证了制备的ZrNiSn基高熵热电材料微观形貌和物化性能稳定，而且制备的效率高，降低了生产成本。
zrnisn 基高熵热电材料及其制备方法热电器件

[发明专利]NbFeSb基高熵热电材料及其制备方法与热电器件-CN201711213649.1在审
发明人：刘福生;颜建龙;敖伟琴;李均钦;张朝华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种NbFeSb基高熵热电材料及其制备方法和应用。本发明NbFeSb基高熵热电材料，其化学式为Nb1‑xMxFeSb1‑ySny；x＝0.1～0.8，y＝0～0.3，所述M包括V、Ti、Hf、Zr、Sc、Y、Ta、Mo元素中任意4‑5种元素。其制备方法包括按照NbFeSb基高熵热电材料所含元素的化学计量比称取各纯金属原料，并进行熔炼处理和退火处理及放电等离子体烧结步骤。本发明NbFeSb基高熵热电材料具有低的晶格热导率。所述NbFeSb基高熵热电材料的制备方法工艺条件易控，保证了制备的NbFeSb基高熵热电材料微观形貌和物化性能稳定，而且制备的效率高，降低了生产成本。
nbfesb 基高熵热电材料及其制备方法热电器件

[发明专利]热电器件电极及其制备方法和热电器件-CN201710664264.0在审
发明人：刘福生;刘斌;李均钦;敖伟琴;张朝华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种热电器件及其电极和电极的制备方法。本发明热电器件电极包括以此层叠结合的half‑Heusler基质层、焊料层和电极层，在所述half‑Heusler基质层与焊料层之间还层叠结合有阻挡层，所述阻挡层为钛镍合金层。本发明热电器件电极所含的钛镍合金层结构能够使得电极层与half‑Heusler基质层接触界面之间具有良好的热膨胀匹配，而且在界面之间形成的扩散层厚度小，界面接触电阻小，而且扩散层厚度能够随服役时间的延长保持稳定，使得界面稳定高，从而赋予发明热电器件高的热电转换效率。其制备方法保证了热电器件电极性能的稳定性，且生产效率高。
热电器件电极及其制备方法

[发明专利]Ge‑Pb‑Te‑Se复合热电材料及其制备方法-CN201310130746.X有效
发明人：李均钦;李海涛;刘福生;敖伟琴 -专利权人：深圳大学
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：Ge‑Pb‑Te‑Se复合热电材料及其制备方法。本发明适用于新型能源材料技术领域，提供了一种复合热电材料，所述热电材料的化学式为Ge1‑xPbxTe1‑ySey，其中x为Pb取代Ge的量，x取值范围为0.10≦x≦0.90，y为Se取代Te的量，y取值范围为0.10≦y≦0.70。本发明提供的复合热电材料，具有较低的热导率并具有较高的无量纲优值系数，具有良好的热电性能，无量纲优值系数ZT在400℃时达到1.58。本发明还提供所述复合热电材料的制备方法。
ge pb te se 复合热电材料及其制备方法

[发明专利]一种GeTe基复合热电材料及其制备方法-CN201210400957.6在审
发明人：李均钦;黎龙飞;宋申华;王雷;刘福生;敖伟琴 -专利权人：深圳大学
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明提供一种复合热电材料，所述复合热电材料的化学式为(GeTe)1-x(Ag8GeTe6)x，其中x的取值范围为0.02≦x≦0.20。本发明还提供一种所述复合热电材料的制备方法。本发明提供的复合热电材料无铅，具有较低的热导率并具有较高的无量纲优值系数ZT，具有良好的热电性能。
一种 gete 复合热电材料及其制备方法

[实用新型]一种复合电极压头及放电等离子烧结设备-CN200920135328.9无效
发明人：李均钦;刘福生;敖伟琴 -专利权人：深圳大学
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H05B7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种复合电极压头，其特征在于：是由具有不同导电性能的压头和电极复合制成，所述电极置于压头之内，所述电极的导电性能优于压头的导电性能。本实用新型还提供了一种放电等离子烧结设备，包括上述用于给放电等离子烧结设备上的模具通电和加压的复合电极压头，所述复合电极压头分别置于模具的两端。采用以上技术方案后，由于将复合电极压头中的电极和压头分别用不同的金属材料制成，且电极的导电性能优于压头的导电性能，因此大部分电流都流过电极，复合电极压头的热损耗显著降低，可以避免复合电极压头由于过热而容易损坏复合电极压头或压头周边的其他部件的问题。
一种复合电极压头放电等离子烧结设备

[发明专利]一种复合电极压头及放电等离子烧结设备-CN200910105917.7无效
发明人：李均钦;刘福生;敖伟琴 -专利权人：深圳大学
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H05B7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合电极压头，其特征在于：是由具有不同导电性能的压头和电极复合制成，所述电极置于压头之内，所述电极的导电性能优于压头的导电性能。本发明还提供了一种放电等离子烧结设备，包括上述用于给放电等离子烧结设备上的模具通电和加压的复合电极压头，所述复合电极压头分别置于模具的两端。采用以上技术方案后，由于将复合电极压头中的电极和压头分别用不同的金属材料制成，且电极的导电性能优于压头的导电性能，因此大部分电流都流过电极，复合电极压头的热损耗显著降低，可以避免复合电极压头由于过热而容易损坏复合电极压头或压头周边的其他部件的问题。
一种复合电极压头放电等离子烧结设备

[发明专利]复合掺杂二氧化锡纳米晶材料的制备方法-CN200310110538.X无效
发明人：杨华明;敖伟琴;唐爱东;张向超;杨武国;黄承焕 -专利权人：中南大学
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：复合掺杂二氧化锡纳米晶材料的制备方法。本发明采用机械化学反应法，采用分析纯SnCl₂·5H₂O、掺杂金属氯化物、Na₂CO₃为原料，NaCl为稀释剂，通过高能球磨，焙烧制得含掺杂金属氧化物的半成品，半成品经真空抽滤、洗涤，低温烘干即得SnO₂基复合掺杂氧化物纳米晶材料。本发明操作方便，合成工艺简单，且粒度可控，污染少，同时又可以避免或减少液相合成中易出现的硬团聚现象，可以简化实验过程；利用本发明的方法所得产品粒径小、分布均匀、生产成本低、材料设计灵活，可得到平均晶粒尺寸为13～20nm的复合掺杂氧化物纳米晶。本发明中的掺杂金属可以是Zn、Cd、Fe、Sb、Cu、V、Pt、Pd。
复合掺杂氧化纳米材料制备方法

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