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[发明专利]基于SLM制备的超高塑性Inconel 718合金的热处理方法-CN202210260244.8在审
发明人： 操光辉;周帅安 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SLM制备的超高塑性Inconel 718合金的热处理方法，本发明选取由选区激光熔化成形的Inconel 718合金进行高温均匀化热处理选取温度范围为1120～1180℃；将高温均匀化热处理后的试样进行低温双时效，选取温度范围为660～700℃。该热处理相较与传统均匀化热处理相比，采用了高固溶温度，消除了Laves相，促进强化相析出，同时合金中产生大量退火孪晶，这些退火孪晶能够为位错的通过提供更多滑移系；低温双时效处理生成细小高长径比的γ″‑Ni3Nb强化相，能有效保证合金强度的同时提高合金的塑性，合金在强度几乎不变的同时，塑性相较于传统的热处理有着明显的提升，获得了较好综合力学性能。
基于 slm 制备超高塑性 inconel 718 合金热处理方法

[发明专利]钛锆钽形状记忆合金材料及其制备方法-CN201510189752.1有效
发明人： 操光辉;菅桄誉 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛锆钽形状记忆合金材料和制备方法，按照合金材料各组分的物质的量的百分比来计算，由45.5~48.5 at.%的钛、45.5~48.5 at.%的锆以及3~9 at.%的钽组成。本发明通过Ta元素的添加来改善合金的力学性能，从而制成具有良好记忆效应的钛锆钽形状记忆合金。一方面，可以作为生物医用材料替代TiNi形状记忆合金，避免Ni元素溶出对人体安全的危害；另一方面，其良好的力学性能和耐腐蚀性能可以扩大其在工业和医学上的应用。
钛锆钽形状记忆合金材料及其制备方法

[发明专利]一种诱导Al84Ni10Gd6非晶合金发生相分离的方法-CN201510271591.0有效
发明人：王伟民;王永刚;李英杰;操光辉;郭玲玉 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C22C45/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种诱导Al84Ni10Gd6非晶合金发生相分离的方法，将Al84Ni10Gd6非晶合金条带在硝酸甲醇溶液中进行腐蚀处理，然后进行清洗，得到相分离的非晶样品。将非晶带通过简单的腐蚀方法就可以诱导发生相分离，方法简便易行，且制备出的样品仍然保持非晶态，没有出现明显的晶化现象。通过腐蚀之后的非晶带出现蜂窝状小孔，可以制备纳米孔状材料，可以应用在催化，电池等领域。此外，发生相分离的非晶合金塑性会提高，局部区域存在的第二相会阻碍剪切带的拓展，从而提高塑性。
一种诱导 al84ni10gd6 合金发生分离方法

[发明专利]一种常规条件下真空热处理实验方法-CN201410248038.0无效
发明人：彭云飞;周英妮;菅桄誉;孔维凯;付超;操光辉 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C21D1/773 文献下载
摘要：本发明涉及一种常规条件下真空热处理实验方法。本方法是将实验样品放置在一端开口另一端封闭的高温石英管中，采用一个抽真空系统对高温石英管抽真空，并采用一个加热系统对高温石英管靠近开口的一端部进行加热，使高温石英管的被加热段软化而在大气压作用下收缩闭合，从而将实验样品密封在高温石英管的真空密封内腔中；然后将真空封装实验样品的高温石英管放入常规热处理炉中进行热处理实验，实现没有真空热处理炉的情况下完成真空热处理实验。
一种常规条件下真空热处理实验方法

[发明专利]Pt改性的热障涂层及其制备方法-CN201210078633.5无效
发明人：付超;操光辉 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在镍基高温合金表面制备Pt改性的Ni3Al+NiAl新型热障涂层及制备工艺。该热障涂层以镍基高温合金为基体材料，通过在基体表面电镀一层铂，然后在高温下热处理达到对涂层的改性；采用粉末包埋法和两段法渗铝，制备出具有双层粘结层结构的涂层；采用真空封装技术，对涂层进行高温热处理，制备出厚度均匀的涂层；采用等离子喷涂方法在镍基高温合金表面喷涂沉积一层7~8%Y2O3稳定的ZrO2陶瓷。制备出的涂层具有良好的抗氧化性能、粘结性能和高温热稳定性，能够延长高温合金的使用寿命。
pt 改性热障涂层及其制备方法

[发明专利]Pt+Si改性的β-NiAl热障涂层及其制备方法-CN201210078703.7无效
发明人：付超;操光辉 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种在镍基高温合金表面制备Pt+Si改性的β-NiAl热障涂层及制备方法。该热障涂层以镍基高温合金为基体材料，通过在基体表面电镀一层铂，然后在高温下热处理达到对涂层的改性；通过包埋法分步渗铝和渗硅，制备出改性的涂层；采用真空封装技术，对涂层进行高温热处理，制备出厚度均匀的涂层；采用等离子喷涂方法在镍基高温合金表面喷涂沉积一层7~8%Y2O3稳定的ZrO2陶瓷。制备出的涂层具有良好的抗氧化性能和粘结性能，能够延长高温合金的使用寿命。
pt si 改性 nial 热障涂层及其制备方法

[发明专利]镍基高温合金表面形成Pt改性的NiAl+Ni₃Al热障粘结层的方法-CN201110072757.8无效
发明人： 操光辉;姚培培;欧桃平 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在镍基高温合金基体（c）表面形成Pt改性的β-NiAl+γ′-Ni3Al热障涂层粘结层的方法。具体的说，这种涂层表面（a）是Pt+β-NiAl相，而内部（b）则是Pt+γ-Ni+γ′-Ni3Al相。这种双相结构克服了传统热障涂层粘结层由于涂层与基体铝含量相差太大，铝快速扩散而引起马氏体相变的问题，在保证了涂层抗氧化性能的同时兼顾了涂层与基体的粘结性能，与传统粘结层材料相比，具有比较大的优势。本发明中的Pt+β-NiAl+γ′-Ni3Al涂层的形成是通过粉末包埋渗铝法完成的。具体实施工艺是首先在高温合金基体上镀上一层Pt后，然后将其进行加热扩散处理。最后将扩散均匀的镀Pt基体进行粉末包埋渗铝处理，通过控制渗铝工艺得到此种结构和相的涂层。
高温合金表面形成 pt 改性 nial ni sub al 热障粘结方法

[发明专利]一种测量磁化率各向异性的方法-CN201010126280.2无效
发明人：任忠鸣;任树洋;任维丽;操光辉;邓康;钟云波;雷作胜 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G01R33/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量磁化率各向异性的方法，属物质磁性之磁化率测量技术领域。本发明特点是利用薄膜在强磁场中发生取向的原理，通过XRD确定发生取向的磁场强度，通过SEM确定该磁场下薄膜的晶粒体积而计算出磁化率各向异性。易磁化轴磁化率χ_||和垂直于易磁化轴磁化率χ_⊥在300K时满足。
一种测量磁化率各向异性方法

[发明专利]一种Pt改性的Ni₃Al基涂层及其制备方法-CN200910053880.8无效
发明人： 操光辉;欧桃平;任忠鸣 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Pt改性的Ni₃Al基涂层及其制备方法。具体地说，是一种采用电镀法和粉末包埋法工艺在镍基高温合金基体上制备出Pt+γ′-Ni₃Al+γ-Ni涂层。属金属或合金表面涂层处理技术领域。本发明方法中，涂层的铝含量为10～25at％，Pt含量为5～15at％，Ni含量为60～80at％。本发明的制备过程如下：(1)先在镍基高温合金基体上电镀5～8μm的Pt镀层，然后在900～1200℃下热处理1～3小时；(2)将上述已镀Pt层的镍基高温合金基体放入均匀混合的粉末渗料中，采用粉末包埋法将所述高温合金基体包埋于粉末渗料中，然后加热到800～1200℃，并保温2～5小时，最终制得Pt+γ′-Ni₃Al+γ-Ni涂层。粉末包埋渗料的组分和重量百分含量为：铝粉2～10％，氯化铵1～10％，氧化铝80～95％。
一种 pt 改性 ni sub al 涂层及其制备方法

[发明专利]在真空蒸发制膜过程中控制薄膜取向的方法-CN200910050331.5无效
发明人：任忠鸣;任树洋;任维丽;操光辉;邓康;钟云波;雷作胜 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种在真空蒸发制膜过程中控制薄膜取向的方法，属真空蒸发沉积薄膜工艺技术领域。本发明的特点是在传统普通常用的真空蒸发沉积装置的基础上，在其外侧加置一强磁场发生装置，其磁场强度要求大于4T(特斯拉)，由于磁场对金属薄膜不同晶向磁能差异而引起晶体取向的择优生长，从而达到通过调节磁场强度来控制薄膜取向的目的。
真空蒸发过程控制薄膜取向方法

[发明专利]一种控制纳米粉体粒径的方法-CN200810200307.0无效
发明人：任忠鸣;任树洋;任维丽;操光辉;邓康;钟云波;雷作胜 -专利权人：上海大学
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： B22F9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种控制纳米粉体粒径的方法，该法不需要改动制备装置，只需要在以电阻、高频感应、等离子体、电子束、激光等为加热源的蒸发冷凝法制备纳米粉体过程中，在蒸发冷凝处施加0.1～14T的超导强磁场。由于磁场改变蒸发原子的临界形核能进而改变其形核浓度和形核速度，从而达到通过调节磁场强度来控制纳米粉体粒径的目的。该法提高蒸发冷凝法制备纳米粉体的效率，均一性和粒径调节的范围。
一种控制纳米粒径方法

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