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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]操作集成电路装置的方法及存储器-CN201811590966.X有效
发明人：汤强;拉明·古德西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及操作集成电路装置的方法及存储器，所述方法包含：将特定电压电平施加到输入/输出I/O缓冲器的第一输入且施加到所述I/O缓冲器的第二输入；确定所述I/O缓冲器是否被视为展现偏移；及如果所述I/O缓冲器被视为展现偏移，那么在将所述特定电压电平施加到所述I/O缓冲器的所述第一输入且施加到所述I/O缓冲器的所述第二输入的同时将调整施加到所述I/O缓冲器偏移。
操作集成电路装置方法存储器

[发明专利]用于经划分的SGS线的设备及方法-CN201580056789.5有效
发明人：潘锋;耶克旺·帕克;拉明·古德西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-10-07 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：本发明描述经划分的SGS线的设备及方法。实例设备可包含存储器块的第一及第二多个存储器子块。所述设备包含与第一多个存储器子块相关的第一选择栅极控制线，及与第二多个存储器子块相关的第二选择栅极控制线。第一选择栅极控制线可耦合到第一多个存储器子块的第一多个选择栅极开关。第二选择栅极控制线可耦合到第二多个存储器子块的第二多个选择栅极开关。第一及第二多个选择栅极开关可耦合到源极。所述设备包含与第一及第二多个存储器子块中的每一者相关联的多个存储器存取线。
用于划分 sgs 设备方法

[发明专利]用于确定存储器单元的数据状态的设备及方法-CN201910920281.5在审
发明人：托马索·瓦利;拉明·古德西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定存储器单元的数据状态的设备及方法。操作存储器的方法可包含：在增加施加到共同连接到多个串联连接存储器单元串的多个存取线中的每一存取线的电压电平的同时感测多个数据线中的每一数据线的状态；确定已使所述多个数据线的第一子集的每一数据线的所述状态改变的特定电压电平；降低施加到所述多个存取线中的特定存取线的电压电平；及在将所述特定电压电平施加到所述特定存取线的同时感测所述多个数据线的第二子集的每一数据线的状态。
用于确定存储器单元数据状态设备方法

[发明专利]使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器-CN201510684146.7有效
发明人： 拉明·古德西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本申请涉及使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器。本发明提供存储器装置及操作存储器装置的方法，例如涉及用新兴非易失性存储器(NV)元件取代典型静态及/或动态组件的存储器架构的那些存储器装置及方法。所述新兴NV存储器元件可取代常规锁存器，可充当快闪存储器阵列与外部装置之间的高速度接口，且还可用作快闪存储器阵列的高性能高速缓冲存储器。
非易失性存储器元件快闪存储器阵列存储器装置快闪存储器非易失性存储器高速缓冲存储器操作存储器存储器架构动态组件速度接口外部装置元件取代锁存器可用申请

[发明专利]使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器-CN201080026842.4有效
发明人： 拉明·古德西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明提供存储器装置及操作存储器装置的方法，例如涉及用新兴非易失性存储器(NV)元件取代典型静态及/或动态组件的存储器架构的那些存储器装置及方法。所述新兴NV存储器元件可取代常规锁存器，可充当快闪存储器阵列与外部装置之间的高速度接口，且还可用作快闪存储器阵列的高性能高速缓冲存储器。
使用新兴非易失性存储器元件闪存

[发明专利]响应于降级控制存储器装置-CN200880115046.0有效
发明人：哈昌宛;拉明·古德西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本文所揭示的本发明实施例包含装置、系统及方法，例如针对能够确定与一个或一个以上存储器单元相关联的降级参数的非易失性存储器装置及系统的那些装置、系统及方法。根据本发明实施例的所揭示装置及系统包含那些利用所述降级参数来调节耦合到所述存储器单元的控制信号的装置及系统。
响应降级控制存储器装置

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