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[发明专利]在工件的离子植入期间处理束流异常-CN201180032055.5无效
发明人： 拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;威廉·T·维弗 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：在例如太阳能电池的工件的离子植入期间可被补偿的异常。在一例中，在第一动作期间以第一速度植入工件。此第一动作在工件中造成不均匀剂量区。然后在第二动作期间以第二速度植入工件。此第二速度与第一速度不同。此第二速度可对应整个工件或仅对应工件中的不均匀剂量区。
工件离子植入期间处理异常

[发明专利]可控制地植入工件的装置与方法-CN201080051532.8无效
发明人：安东尼·雷诺;卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;约瑟·C·欧尔森;维克拉姆·辛;詹姆士·布诺德诺;迪帕克·瑞曼帕;拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;凯文·M·丹尼尔斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
控制植入工件装置方法

[发明专利]控制带电粒子束的技术-CN200880109201.8有效
发明人：皮尔·R·卢比克;拉塞尔·J·罗;约瑟·C·欧尔森;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示了一种控制带电粒子束的技术。在一特定示范性实施例中，此技术可实现成带电粒子加速/减速系统。此带电粒子加速/减速系统可包括加速柱体。此加速柱体可包括具有孔径的多个电极，其中带电粒子束可穿过此孔径。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极的多个电阻器。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极以及多个电阻器的多个开关，多个开关中的每一个可构造成分别选择性接通多个操作模式。
控制带电粒子束技术

[发明专利]具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构-CN200880106475.1有效
发明人：卡森·D·泰克雷特萨迪克;艾立克·D·赫尔曼森;道格拉斯·梅;史蒂夫·E·克劳斯;拉塞尔·J·罗 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01J37/00 文献下载
摘要：一种具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构。在一实施例中，离子植入机终端结构可由含一个或多个介质鳍片的绝缘导体来实现。例如，离子植入机可包括配置成提供离子束的离子源。离子植入机还包括定义空腔的终端结构，其中离子源可至少部分地设置于空腔内。离子植入机还包括具有至少一介质鳍片的绝缘导体，此介质鳍片设置于终端结构的外部附近以改变电场。
具有介质绝缘导体离子植入终端结构

[发明专利]离子植入机中终端隔离的技术-CN200880107478.7无效
发明人： 拉塞尔·J·罗;皮尔·R·卢比克;杰弗里·D·里斯查尔;史蒂夫·E·克劳斯;艾立克·D·赫尔曼森;约瑟·C·欧尔森;卡森·D·泰克雷特萨迪克 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01J37/00 文献下载
摘要：本发明揭露了用于离子植入机的终端隔离的技术。在一个特定示范性实施例中，这些技术可被实现为离子植入机，其包括界定终端空腔的终端结构。离子植入机也可包括界定接地空腔的接地外壳且终端结构可至少部分地安置于接地空腔内。离子植入机还可包括中间终端结构，中间终端结构紧邻终端结构的外部安置且至少部分地安置于接地空腔内。
离子植入终端隔离技术

[发明专利]离子注入系统的电源供应器-CN200880005779.9无效
发明人：皮尔·R·卢比克;拉塞尔·J·罗;史蒂夫·E·克劳斯;艾立克·赫尔曼森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-01-03 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H02M7/10 文献下载
摘要：一种离子注入系统的电源供应系统。在一实施例中，此系统可为一种电源供应系统，其包括低频电源变换器、堆栈式驱动器以及从电源变换器接收源电力的高压发电单元。高压发电单元可包括用以提供输出电力的高压变压器，输出电力倍增到所需的输出电平并且输送到离子束加速器的输入端。电源供应系统还可包括介电外壳，其包围高压发电单元的至少一部份，藉此避免内部元件的崩溃强度变化。
离子注入系统电源供应

[发明专利]从离子注入机移除分子裂片的技术-CN200780049272.9无效
发明人：克里斯多夫·R·汉特曼;杰·汤玛斯·舒尔;拉塞尔·J·罗;摩根·D·艾文斯;乔纳森·吉罗德·英格兰 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01J7/18 文献下载
摘要：一种从离子注入机移除分子裂片的技术。在一实施例中，此技术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的装置。该装置包括供应机构，其配置为耦接离子源室并向该离子源室供应进料材质。该装置还包括一种或多种氢吸收材质，其放置在进料材质的引流路径内，用以防止进料材质中的至少一部分含氢分子裂片进入离子源室。
离子注入分子裂片技术

[发明专利]离子注入机的终端结构-CN200780043193.7有效
发明人：卡森·D·泰克雷特萨迪克;拉塞尔·J·罗 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-09-25 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种装置包括导电结构以及绝缘导体，绝缘导体安置于紧邻导电结构的外部之处以修改导电结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。也提供一种离子注入机。离子注入机包括：用于提供离子束的离子源；界定空腔的终端结构，离子源至少部分地安置于空腔中；以及绝缘导体。绝缘导体安置于紧邻终端结构的外部之处以修改终端结构周围的电场。绝缘导体具有安置于导体周围的介电强度大于75千伏/英寸的绝缘体。
离子注入终端结构

[发明专利]防止寄生的子波束影响离子植入的技术-CN200680047932.5无效
发明人： 拉塞尔·J·罗;乔纳森·G·英格兰;史蒂夫·E·克劳斯;艾立克·D·赫尔曼森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01J3/14 文献下载
摘要：本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
防止寄生波束影响离子植入技术

[发明专利]用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术-CN200680049162.8无效
发明人： 拉塞尔·J·罗;乔纳森·G·英格兰;史蒂夫·E·克劳斯;艾立克·D·赫尔曼森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。
用于减少光致抗蚀剂释气效应技术

[发明专利]用于使用快速离子束控制在固定射束离子注入过程中进行瞬态干扰恢复的方法和装置-CN200680019106.X有效
发明人： 拉塞尔·J·罗;约瑟·C·欧尔森;大卫·R·汀布莱克;詹姆斯·R·麦克廉;马克·D·邵德尔;詹姆斯·J·康米斯;汤玛斯·B·卡拉汉;乔纳森·英格兰 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入器，其包含：固定平面离子束的来源；一组射束线组件，其沿着由第一操作参数值确定的正常射束路径而导引离子束；终端站，其以机械方式横越正常射束路径而扫描晶片；以及控制电路，其在注入通过期间对离子束中的瞬态干扰作出响应以(1)立即将射束线组件中的至少一者的操作参数改变为第二值以将离子束引导远离正常射束路径且进而停止在晶片上的注入过渡位置处的注入，(2)随后将晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中，晶片上的注入过渡位置正好位于离子束的正常射束路径上，且(3)将操作参数改回到其第一值以沿着正常射束路径引导离子束且恢复在晶片上的注入过渡位置处的离子注入。操作参数可以是提取电源的输出电压或影响离子束的路径的射束线组件的其它电压和/或电流。
用于使用快速离子束控制固定离子注入过程进行瞬态干扰恢复方法装置

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