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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]波长变换元件及其制造方法和使用波长变换元件的LED元件及半导体激光发光装置-CN201380001367.9有效
发明人：滨田贵欲;铃木信靖;折田贤儿;长尾宣明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种波长变换元件。具有：多个荧光体粒子；第一基体，其位于多个荧光体粒子的一部分之间，由沿c轴取向的氧化锌构成；和第二基体，其位于所述多个荧光体粒子的剩余部分之间，由折射率小于氧化锌的材料构成。
波长变换元件及其制造方法使用 led 半导体激光发光装置

[发明专利]波长变换元件及其制造方法和使用波长变换元件的LED元件及半导体激光发光装置-CN201380001356.0有效
发明人：滨田贵裕;铃木信靖;折田贤儿;长尾宣明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种波长变换元件，具有多个荧光体粒子和含有由位于所述多个荧光体粒子之间的氧化锌构成的基体的荧光体层，氧化锌是c轴取向的柱状结晶或单晶。
波长变换元件及其制造方法使用 led 半导体激光发光装置

[发明专利]超辐射发光二极管-CN201280021162.2无效
发明人：大野启;山中一彦;折田贤儿;能崎信一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及的超辐射发光二极管(100)，在衬底(10)上具备至少以下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)的顺序来包含这些层的层叠体，层叠体，具有折射率波导型的光波导(21)。光波导(21)包含：第一台面部(31)，通过加工上部覆盖层(16)而被形成为具有第一宽度；以及第二台面部(32)，通过加工下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)而被形成为具有作为比第一宽度大的宽度的第二宽度。
辐射发光二极管

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201280014025.6有效
发明人：春日井秀纪;折田贤儿;大野启;山中一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种具有光波导(120)的氮化物半导体发光元件，至少以下部覆盖层(102)、活性层(104)、上部覆盖层(107)的顺序来包含这些层，上部覆盖层(107)具有：由透明导电体构成的第二上部覆盖层(109)、以及由氮化物半导体构成的第一上部覆盖层(108)，且第一上部覆盖层(108)被形成在比该第二上部覆盖层(109)靠近活性层一侧。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件以及使用它的发光装置-CN201180067991.X无效
发明人： 折田贤儿;山中一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：半导体发光元件(1)，包括：基板(10)；半导体层叠膜(40)，其包括在基板上形成的为第一导电类型的第一覆盖层(12)、在该第一覆盖层上形成的发光层(13)、以及在该发光层上形成的为第二导电类型的第二覆盖层(14)，且具有光波导(20)；形成为与第一覆盖层电连接的第一电极(23)；以及形成为与第二覆盖层电连接的第二电极(22)、(24)。发光层产生在光波导中进行导波的导波光以及在光波导中不进行导波的非导波光，非导波光从基板侧以及半导体层叠膜侧当中的任意一侧向外部放射。
半导体发光元件以及使用装置

[发明专利]发光元件-CN201080066249.2无效
发明人： 折田贤儿 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明的发光元件，包括：半导体多层膜(102)，其被形成在基板(101)的主面上，并且具有产生第一波长的光的活性层(122)；和多个荧光体层(105)，其被形成在半导体多层膜(102)上，并且构成第1一2维周期结构。荧光体层(105)被第一波长的光激发，产生第二波长的光，半导体多层膜(102)具有引导第一波长的光和第二波长的光的光波导通路(109)，对于从光波导通路(109)的端面辐射出的光而言，较之电场的方向与主面呈垂直的方向的光，呈水平的方向的光的比例更高。
发光元件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201080065555.4无效
发明人： 折田贤儿 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-10-07 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201080021734.8有效
发明人：吉田真治;折田贤儿;长谷川义晃;持田笃范 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]半导体发光元件-CN200810096084.8有效
发明人： 折田贤儿 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。
半导体发光元件

[发明专利]固态成像器件及其制造方法以及使用其的相机-CN200480021678.2无效
发明人：山口琢己;春日繁孝;村田隆彦;折田贤儿 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态成像器件，其包括：二维地排列在半导体衬底上的多个光接收单元；向所述多个光接收单元透射选定波长的入射光的滤色单元；以及遮挡入射光的遮光单元，所述遮光单元具有多个孔，所述各孔与一个相应的光接收单元相对。这里，在从所述遮光单元到所述多个遮光单元的一条入射光路径上，所述滤色单元设置在所述遮光单元和所述多个光接收单元之间。
固态成像器件及其制造方法以及使用相机

[发明专利]固体摄像元件、固体摄像器件及其制造方法-CN200410101190.2无效
发明人： 折田贤儿;泷川信一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-20 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像元件、固体摄像器件及其制造方法。具有使低折射率材料(1)和高折射率材料(2)交替层叠的折射率周期构造、以及在面内方向上为同心且相似的形状(圆或者多边形)的折射率周期构造的光子晶体，配置在各光电转换元件上而构成固体摄像元件(11a、11b和11c)。只用本光子晶体就能同时进行RGB的色分离和聚光。另外，本光子晶体，对于具有层叠方向的折射率周期构造的多层膜，能用通过光刻和刻蚀在面内方向上设置同心且相似形状的空洞的方法来制造，或者在面内方向上形成同心且相似形状的基底上，能用通过自己隆起设置面内方向和层叠方向的折射率周期构造的方法来制造。
固体摄像元件器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件和器件、及制造半导体发光元件的方法-CN200510079663.8有效
发明人： 折田贤儿 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。
半导体发光元件器件制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法-CN200510056521.X无效
发明人：中村真嗣;石田昌宏;折田贤儿;今藤修;油利正昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-10-08 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
半导体制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体基板-CN200410063346.2无效
发明人：中村真嗣;石田昌宏;折田贤儿;今藤修;油利正昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-10-08 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
半导体装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200410035309.0无效
发明人： 折田贤儿 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-15 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供以高批量、低价格提供了一种使用氮化物系化合物半导体的高效率半导体发光元件。在p－GaN层4上形成二维周期凹凸结构，上述凹凸的周期为在由活性层(3)发射光的半导体中波长的1～20倍。结果，通过二元周期结构的凹凸而衍射的效果，改变由活性层(3)发射光的行进方向。在没有凹凸的情况下，满足在半导体元件和空气界面处的全反射条件的辐射角度光，不可能取出到半导体元件外，元件的发光效率低。另一方面，如本发明，以周期形成二维凹凸时，由于以不能形成全反射的角度来衍射光，所以能极大地提高向半导体元件外的取出效率，结果，可提高元件的发光效率。
半导体发光元件及其制造方法

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