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[发明专利]射频信号处理电路-CN202211713925.1在审
发明人：苏强;戴大杰;彭振飞 -专利权人：广州慧智微电子股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种射频信号处理电路，所述射频信号处理电路，包括：第一路径和第二路径；其中，所述第一路径包括射频放大器件；所述第二路径的一端通过所述射频放大器件接入所述第一路径；所述第二路径的另一端接地；所述射频信号处理电路还包括接入所述第一路径的输入端的谐振模块，所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块的第一端接入所述第一路径的输入端，且与所述射频放大器件用于接收输入信号的第二端相连接，所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块的第二端接入所述第二路径；所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块用于提高连接的射频放大器件的功率增益。
射频信号处理电路

[发明专利]匹配网络-CN202211739478.7在审
发明人： 戴大杰;曾凡杰 -专利权人：广州慧智微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种匹配网络，所述匹配网络包括：初级线圈和与所述初级线圈耦合的次级线圈；其中，所述初级线圈包括：两个并联的第一电感，所述第一电感的第一端用于连接信号端，第二端接地；所述次级线圈包括：两个串联的第二电感，其中一个所述第二电感的第一端用于连接信号端，另一个所述第二电感的第二端接地，两个所述第二电感将耦合的功率合成后输出至信号端。如此，能够通过两个并联的电感组成初级线圈，以及两个串联的电感组成次级线圈，减少进行阻抗转换需要的线圈匝数，从而减少初级线圈与次级线圈之间的寄生电感，进而提升匹配网络的带宽。
匹配网络

[发明专利]一种差分放大电路-CN202211689110.4在审
发明人：郑其进;戴大杰 -专利权人：广州慧智微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种差分放大电路，所述差分放大电路包括第一放大模块、第二放大模块、第一偏置模块、第二偏置模块以及去耦模块；其中，所述第一偏置模块的输出端与所述第一放大模块的输入端相连接；所述第二偏置模块的输出端与所述第二放大模块的输入端相连接；所述第一去耦模块一端与所述第一偏置模块的电源端相连接，另一端与所述第二偏置模块的电源端相连接，用于抑制所述第一放大模块输入信号对所述第一偏置模块电源的干扰以及所述第二放大模块输入信号对所述第二偏置模块电源的干扰。
种差放大电路

[发明专利]射频信号处理电路-CN202010005215.8有效
发明人：苏强;戴大杰;彭振飞 -专利权人：广州慧智微电子股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种射频信号处理电路，所述射频信号处理电路，包括：第一路径和至少一个第二路径；其中，所述第一路径包括至少一个射频放大器件；所述第二路径的一端通过所述射频放大器件接入所述第一路径；所述第二路径的另一端接地；所述至少一个射频放大器件的寄生电容产生的第一射频电流流经所述至少一个第二路径；所述射频信号处理电路还包括至少一个谐振模块，每个谐振模块的第一端接入所述第一路径，每个谐振模块的第二端接入所述至少一个第二路径中的至少部分第二路径；所述谐振模块，用于产生与所述第一射频电流反向的谐振电流。
射频信号处理电路

[发明专利]一种支持双频段的双向耦合器和集成电路-CN202110172646.8有效
发明人： 戴大杰;邓金亮;郑耀华 -专利权人：广州慧智微电子有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种支持双频段的双向耦合器和集成电路，双向耦合器包括主通路、第一耦合电路、第二耦合电路；第一耦合电路支持第一频段，第二耦合电路支持第二频段；主通路包括第一端口和第二端口；主通路与第一耦合电路和第二耦合电路耦接；第一耦合电路包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一隔离端、第二隔离端以及第一耦合端；第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关串联连接；第一耦合端连接在第二开关和第三开关之间；第二耦合电路包括第五开关、第六开关、第七开关、第八开关、第三隔离端、第四隔离端以及第二耦合端；第五开关、第六开关、第七开关以及第八开关串联连接，第二耦合端连接在第六开关和第七开关之间。
一种支持双频双向耦合器集成电路

[发明专利]一种射频功率放大器及通信终端-CN202110183390.0在审
发明人：徐柏鸣;倪旭文;戴大杰;苏强 -专利权人：广州慧智微电子有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H03F3/189 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种射频功率放大器及通信终端，所述射频功率放大器包括：电源谐振网络、以及功率放大管；所述电源谐振网络包括：第一感性组件、第二感性组件及电容组件；所述第一感性组件的输入端，用于与电源连接；所述第一感性组件的输出端，分别与所述第二感性组件及所述电容组件连接，且所述第二感性组件及所述电容组件之间并联；所述功率放大管的控制端，用于输入射频信号；所述功率放大管的输入端连接在所述电源谐振网络的输出端，用于输出放大后的射频信号。如此，通过电源网络中增加第一感性组件，可以使第二感性组件和电容组件在工作频率的1/2处形成谐振回路，通过谐振抑制功率放大器的振荡，提高放大器稳定性。
一种射频功率放大器通信终端

[发明专利]一种功率放大器及功率放大方法、存储介质-CN202110191528.1有效
发明人： 戴大杰;苏强;郁利民 -专利权人：广州慧智微电子有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种功率放大器及功率放大方法、存储介质，功率放大器包括：功率放大电路和输出电路，输出电路包括包络阻抗降低电路和第一供电臂，包络阻抗降低电路的输出端分别与功率放大电路的输出端和第一供电臂的一端连接，其中，功率放大电路，用于将接收到的第一信号进行功率放大，得到第二信号，并将第二信号传输至包络阻抗降低电路中；包络阻抗降低电路，用于降低第二信号的包络阻抗，得到第三信号，并将第三信号传输至第一供电臂；第一供电臂，用于向第三信号提供电压；并输出第三信号。
一种功率放大器功率放大方法存储介质

[发明专利]功率放大器及芯片、设备-CN202110179400.3在审
发明人：李欢欢;戴大杰;苏强 -专利权人：广州慧智微电子有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率放大器及芯片、设备；其中，所述功率放大器包括：偏置电路，用于给所述功率放大器的放大电路提供偏置电压，以使所述放大电路工作在放大状态；阻抗变换电路，与所述放大电路并联连接，用于降低所述放大电路的输出节点的阻抗，以提高所述功率放大器的线性度；输出匹配电路，与所述放大电路串联连接，用于使所述放大电路的输出节点的阻抗与所述功率放大器的外接负载的阻抗相匹配；其中，所述外接负载连接在所述输出匹配电路的输出端。
功率放大器芯片设备

[发明专利]一种推挽式射频功率放大器和电路控制方法-CN202110129749.6在审
发明人：温华东;戴大杰 -专利权人：广州慧智微电子有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种推挽式射频功率放大器和电路控制方法，所述推挽式射频功率放大器包括：耦合反馈电路、驱动级电路和功率输出级电路；所述耦合反馈电路与所述驱动级电路和/或所述功率输出级电路连接；其中，所述耦合反馈电路用于在第一晶体管和/或推挽式晶体管的输入端产生交变电压；在所述交变电压与所述输入端电压方向相同的情况下，实现所述输入端输入信号的正反馈；所述第一晶体管表示所述驱动级电路中的晶体管，所述推挽式晶体管表示所述功率输出级电路中形成推挽式结构的第二晶体管和第三晶体管。
一种推挽式射频功率放大器电路控制方法

[实用新型]一种小型化封装散热装置-CN201820977512.7有效
发明人：刘茜蕾;杨昆明;戴大杰;周伶俐;朱密林;洪婉芳;王昕 -专利权人：广州润芯信息技术有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化封装散热装置，包括基板、封装外壳、高热耗器件和高温度敏感器件，封装外壳对应的基板的底面接地金属层分割使得所述高热耗器件和所述高温敏感器件对应的接地金属层间形成间隙，通过高热阻的基板介质实现热隔离，在间隙或接近器件的边缘处设置条柱形的导热通孔柱或离散形式的导热通孔。通过对基板的封装进行的分割散热结构的设计，可以在不影响系统电性能的情况下进而得到更高的热性能。
接地金属层小型化封装导热通孔封装外壳散热装置高热基板温度敏感器件本实用新型基板介质接近器件离散形式敏感器件散热结构影响系统边缘处电性能对基板高热阻热隔离热性能条柱形分割底面封装

[实用新型]带侧墙的慢波微带线结构-CN201120552141.6有效
发明人：文进才;孙玲玲;楼佳;戴大杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带侧墙的慢波微带线结构。本实用新型包括慢波微带线，所述的慢波微带线包括微带线和栅条状金属屏蔽层。在栅条状金属屏蔽层中的栅条两端设置有浮动侧墙，所述的浮动侧墙由金属层和通孔间隔形成，浮动侧墙的底部为通孔，浮动侧墙的顶部为金属层；所述的栅条两端对应联通，形成浮动侧墙接地结构。相比与传统的慢波微带结构，本实用新型的结构有更高的有效介电常数及隔离度。
带侧墙微带结构

[发明专利]一种带侧墙的慢波微带线结构-CN201110442451.7无效
发明人：文进才;孙玲玲;楼佳;戴大杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种带侧墙的慢波微带线结构。本发明包括慢波微带线，所述的慢波微带线包括微带线和栅条状金属屏蔽层。在栅条状金属屏蔽层中的栅条两端设置有浮动侧墙，所述的浮动侧墙由金属层和通孔间隔形成，浮动侧墙的底部为通孔，浮动侧墙的顶部为金属层；所述的栅条两端对应联通，形成浮动侧墙接地结构。相比与传统的慢波微带结构，本发明的结构有更高的有效介电常数及隔离度。
一种带侧墙微带结构

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