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[发明专利]级联存储阵列系统的地址确定方法、装置、电子设备-CN201811476092.5有效
发明人：谢稷宏;朱宏伟;成会明;黄骏 -专利权人：北京和讯永源科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种级联存储阵列系统的地址确定方法、装置、电子设备。其中，级联存储阵列系统的地址确定方法包括：接收上级设备下发的第一地址协商请求数据包；其中，所述地址协商请求数据包中包括本级存储阵列的第一物理地址；所述上级设备为服务器或上级存储阵列；根据所述本级存储阵列的第一物理地址确定下级存储阵列的第二物理地址；其中，所述第一物理地址和第二物理地址具有预设的关系；将所述下级存储阵列的第二物理地址封装成第二地址协商请求数据包，并下发给下级存储阵列。本申请的技术方案极大简化了级联存储阵列系统的配置，避免了人工分配地址的弊端，提高了级联存储阵列系统的可用性。
级联存储阵列系统地址确定方法装置电子设备

[发明专利]一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法-CN202111538090.6在审
发明人：刘岗;徐伟;甄超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C22/34 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换与存储领域，具体为一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法。以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体，将其悬置于含有卤化物的乙二醇和水的混合溶液的上方，密封于反应釜中，放入烘箱中加热处理，待冷却至室温后取出基体，用去离子水清洗并烘干，得到基体支撑的金属氧化物纳米片单晶阵列薄膜；进一步通过在含氮、硫、磷、碳和硼元素之一或两种以上混合的气氛下热处理，得到基体支撑的金属氮化物、硫化物、磷化物、碳化物、硼化物以及不同元素掺杂的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜。从而，为基于金属化合物纳米片单晶阵列薄膜构筑高效光电转化与存储器件提供了丰富的材料储备和简易的制备方法。
一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜制备方法

[发明专利]一种基于低温液态金属集成的嵌入型光电极及规模化制备方法-CN202111540118.X在审
发明人：刘岗;甄超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C25B11/052 文献下载
摘要：本发明涉及光电化学催化转化与存储领域，具体为一种基于低温液态金属集成的嵌入型光电极及规模化制备方法。首先将低温液态金属加热至熔点以上转化为液态，在金属熔融状态下，将液态金属涂覆在基底上成膜，然后将半导体光催化剂颗粒超声分散于溶剂中，并均匀沉积到液态金属表面成膜，然后将半导体光催化剂颗粒嵌入液态金属薄膜中，冷却凝固后，利用气枪吹扫(或超声)去除未嵌入凝固金属薄膜的半导体光催化剂颗粒，获得高成膜质量且具有优异光电化学分解水性能的嵌入型光电极。本发明有效利用低温液态金属熔融态的流变易加工特性，以及室温固化属性，可将各种光催化剂颗粒集成在不同属性基底上，获得具有优异光电化学分解水性能的光电极。
一种基于低温液态金属集成嵌入电极规模化制备方法

[发明专利]一种超细硅粉的制备方法-CN201910960336.5有效
发明人： 成会明;李飞;沈国栋;贾再辉;赵洁;崔巍 -专利权人：青岛瓷兴新材料有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：一种超细硅粉的制备方法，包括：(1)将改性剂与粗硅粉混合均匀，得到混合料；(2)将步骤(1)得到的所述混合料加入气流磨粉碎室中；(3)将所述气流磨粉碎室中的所述混合料粉碎；(4)在所述气流磨的出料口收集得到的超细硅粉。
一种超细硅粉制备方法

[发明专利]数据访问方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN201811476095.9有效
发明人：谢稷宏;朱宏伟;成会明;黄骏 -专利权人：北京和讯永源科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种数据访问方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中，数据访问方法包括：获取对目标硬盘上的访问数据；利用通用封装协议将所述访问数据进行封装，并通过光纤发送至远端的所述目标存储阵列。本申请的数据访问方法，可以利用通用封装协议将SATA FIS帧进行封装后，通过光纤发送至远端的目标存储阵列，无需进行协议转换，并且还支持数据切片和不切片等各种传输协议，实现了服务器与存储阵列之间的远程数据交互，破除了服务器和存储阵列之间的距离限制，使得大规模存储系统的部署更灵活、更便利。
数据访问方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种高通量筛选工艺参数优化碳纳米管垂直阵列高度和质量的方法-CN202111538060.5在审
发明人：张莉莉;高张丹;吉忠海;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及高通量制备碳纳米管垂直阵列领域，具体为一种高通量筛选工艺参数优化碳纳米管垂直阵列高度和质量的方法。采用组合掩模板辅助离子束镀膜，在基底上沉积不同组分的催化剂阵列，利用化学气相沉积方法优化反应参数生长碳纳米管垂直阵列；高通量表征产物结构，利用扫描电子显微镜面扫获得催化剂阵列生长碳纳米管垂直阵列的形貌，利用激光拉曼光谱表征碳纳米管垂直阵列的高度和质量；使用透射电子显微镜精细表征碳纳米管垂直阵列的直径分布和管壁数。最终建立工艺参数(如催化剂组分、生长温度、反应气氛等)与生长碳纳米管垂直阵列高度和质量的关系。此方法适用于高效筛选工艺参数，制备高质量和大长度的碳纳米管垂直阵列。
一种通量筛选工艺参数优化纳米垂直阵列高度质量方法

[发明专利]一种高效可控气相短切碳纳米管的方法-CN202111540097.1在审
发明人：刘畅;郑雪;张峰;侯鹏翔;张子初;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C01B32/176 文献下载
摘要：本发明涉及低维纳米材料的加工领域，具体为一种高效可控气相短切碳纳米管的方法。先在碳纳米管上可控引入结构缺陷，再与具有一定化学反应活性的刻蚀性气体作用，进而实现碳纳米管的可控短切。具体过程为：将长度为百微米级的碳纳米管超声分散后单分散到基底上，采用等离子体处理在碳纳米管管壁可控引入一定密度的缺陷，进而引入具有合适化学活性的刻蚀性气体，使其优先在缺陷处与碳纳米管反应实现短切。通过调控等离子体的强度和时间来调控缺陷密度，通过调控刻蚀气体的浓度、反应温度和时间等调控短切碳纳米管的长度和效率。本发明可实现碳纳米管的精细加工，促进其在纳电子器件、药物输运、限域催化、气体传感等领域的应用。
一种高效可控气相短切碳纳米方法

[发明专利]一种光生电子与氧化还原电对空间分离的Z-机制光催化全解水系统的构建方法-CN202111540119.4在审
发明人：刘岗;康宇阳;齐浩志;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明涉及光催化分解水制氢领域，具体为一种光生电子与氧化还原电对空间分离的Z‑机制光催化全解水系统的构建方法。以单畴铁电半导体材料为产氢光催化材料，阳离子型氧化还原电对为电荷传输媒介，高活性光催化材料为产氧光催化材料，构成光生电子与氧化还原电对空间选择性分离Z‑机制光催化全解水系统。单畴铁电半导体材料受光激发后产生的光生电子和空穴在内建电场的驱动下分别迁移至材料的正极性面和负极性面，溶液中的阳离子氧化还原电对选择性吸附在铁电材料的负极性面，从而实现光生电子与氧化还原电对的空间选择性分离。本发明将有效抑制因氧化还原电对的还原反应对产氢光催化材料中光生电子的消耗，提高太阳能的转化利用效率。
一种电子氧化还原空间分离机制光催化水系构建方法

[发明专利]一种多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法-CN202111540123.0在审
发明人：刘岗;徐伟;甄超;白朔;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明涉及光电转化、存储、催化领域，具体为一种多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法。以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体，将其悬置于含氟化氢铵的水和乙二醇混合液的上方，密封于反应釜中进行水热处理，待冷却至室温后取出样品，去离子水清洗并烘干，获得基体支撑的铵‑金属氧氟化合物单晶阵列薄膜；或者，进一步在不同气氛下热处理后，铵‑金属氧氟化合物单晶阵列薄膜拓扑转变为多孔金属化合物阵列薄膜。本发明实现多孔金属化合物阵列薄膜的简易制备及其微观形貌的有效调节，为基于多孔化合物功能薄膜发展的光电转化、存储、催化领域提供了有效的材料和方法基础。
一种多孔金属化合物阵列薄膜制备方法

[发明专利]一种塑料燃料电池系统-CN202111429007.1在审
发明人：李峰;杨慧聪;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种塑料燃料电池系统，属于燃料电池材料技术领域。本发明将塑料与碳基电催化剂、导电剂复合，构成复合材料负极，并将其直接用于燃料电池体系。本发明在具有稳定电化学窗口的液态电解液中，利用碳基催化剂降低塑料电化学氧化反应能垒，实现了塑料的完全氧化过程，获得了稳定的电压电流输出。本发明操作简便、适用于多种塑料材料，为废弃塑料制品的回收再利用提供了广阔的前景，并未新型清洁能源的获取提供新的途径。
一种塑料燃料电池系统

[发明专利]一种纳米级Fe9-CN201810533126.3有效
发明人：刘岗;张露露;杨勇强;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备与电催化、电池储能领域，具体为一种纳米级Fe9Ni9S16基电催化剂的制备方法，目的为发展新型、廉价、稳定、高效的电催化和电池储能用电极材料，并解决现有该材料制备方法工序复杂、高温、高耗能、大粒径等不利于大规模应用的问题。本发明通过将铁盐、镍盐、有机硫源和导电载体混合后，在惰性气体中适当温度下反应的方法，制备出纳米级的纯相硫镍铁矿相Fe‑Ni‑S固溶体Fe9Ni9S16。本发明中所得到的材料制备方法简单、温度温和、能耗小、成本低，适用于大规模制备，在电催化和电池储能等领域具有广阔的应用前景。
一种纳米 fe base sub

[发明专利]基于单壁碳纳米管的自供能气体传感器的制备方法-CN201910857326.9有效
发明人：刘畅;郭舒予;胡显刚;侯鹏翔;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术，具体为一种基于单壁碳纳米管的自供能气体传感器的制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法制备并收集高质量单壁碳纳米管薄膜，直接转移担载于柔性透明基体上，以单壁碳纳米管作为气体敏感元件，以单壁碳纳米管薄膜/硅异质结制备太阳能光伏电池，再将电极材料，如：铜、金、银、铝等金属或碳纳米管、石墨烯、ITO等非金属，以磁控溅射、热蒸发、电镀、银胶等方式连接，即完成基于单壁碳纳米管的自供能气体传感器的组装。本发明实现了小而轻、高性能自供能气体传感器的制备，并可进一步通过优化设计集成柔性可弯折的自供能气体传感器，突破了目前金属氧化物气体传感器在柔性、重量、能耗、供能等方面的局限性。
基于单壁碳纳米自供气体传感器制备方法

[发明专利]高强度、高导电性单壁碳纳米管纤维的湿法纺丝制备方法-CN202011365820.2有效
发明人：侯鹏翔;焦新宇;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-11-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： D01F9/12 文献下载
摘要：本发明涉及高性能碳纳米管纤维制备领域，具体为一种具有高强度、高导电性单壁碳纳米管纤维的湿法纺丝制备方法。以高质量、高长径比的单壁碳纳米管为原料，获得单壁碳纳米管液晶溶液。在纺丝过程中，对预成型单壁碳纳米管纤维施加速度可控的剪切力，使纤维中的碳纳米管高度定向及致密化，从而提高纤维性能。本发明通过使用窄直径、大长径比针尖毛细管，结合挤出速率调控，对挤出的单壁碳纳米管液晶溶液施加剪切力，使单壁碳纳米管高度取向并致密化，实现大幅提升单壁碳纳米管纤维的导电性与强度。
强度导电性单壁碳纳米纤维湿法纺丝制备方法

[发明专利]一种具有高导电性单壁碳纳米管纤维的制备方法-CN202010977663.4有效
发明人：刘畅;焦新宇;侯鹏翔;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： D01F9/12 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管纤维制备领域，具体为一种具有高导电性单壁碳纳米管纤维的制备方法。采用浮动催化剂化学气相沉积法制备具有高质量、大长径比的单壁碳纳米管。使用过氧化氢对高质量单壁碳纳米管进行预分散。使用氯磺酸溶解单壁碳纳米管制备出单壁碳纳米管液晶，将单壁碳纳米管液晶注射进入丙酮凝固浴中得到成型的单壁碳纳米管纤维。本发明使用过氧化氢对浮动催化剂化学气相沉积法制备的高质量单壁碳纳米管进行预分散，再使用氯磺酸分散单壁碳纳米管获得定向排列的碳纳米管液晶，规避了传统单壁碳纳米管分散工艺中的超声处理对碳纳米管结构的破坏，同时提高了纤维中碳纳米管的定向性和密实化程度，促进了电子的定向运输。
一种具有导电性单壁碳纳米纤维制备方法

[发明专利]一种石墨烯导电微球的制备方法及其应用-CN201710516037.3有效
发明人：任文才;刘海超;杜金红;张鼎冬;马超群;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯导电球的制备与应用领域，具体为一种利用氧化石墨烯包覆微球再经还原制备石墨烯导电微球的方法及其应用。该石墨烯导电微球主要由无机、有机或无机/有机复合微球作为支撑结构，其外包覆石墨烯导电层组成，其制备方法主要包括：(1)在氧化石墨烯水溶液中加入表面活性剂，超声至混合均匀；(2)将微球加入到上述溶液中，超声混合的同时加入还原剂；(3)加热、搅拌将包覆在微球表面的氧化石墨烯还原；(4)离心分离、清洗、干燥得到均匀包覆的石墨烯导电球。本发明工艺简单、操作快捷、产率高、适于工业化生产，所制备的石墨烯导电球可替代传统的包覆了金、镍等导电球作为导电、导热填料应用于压敏、热敏、导电元件中。
一种石墨导电制备方法及其应用