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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]确定错误计数的存储控制器、操作其的方法以及操作包括其的存储设备的方法-CN202210858214.7在审
发明人：姜宇现;徐荣德;金炫我;吴玄教;李熙元;林东厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令，其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值；以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。
确定错误计数存储控制器操作方法以及包括设备

[发明专利]确定分布类型的存储控制器及其操作方法以及操作包括所述存储控制器的存储设备的方法-CN202210776544.1在审
发明人：姜宇现;徐荣德;金炫我;吴玄教;林东厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。所述方法包括：向非易失性存储器件输出第一命令，该第一命令包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索(OVS)计数数据的请求，其中，OVS计数数据包括具有第一读取电压的第一计数值和第二计数值以及具有第二读取电压的第三计数值和第四计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据从多个分布类型中确定存储区域的分布类型以作为预测分布类型；以及基于预测分布类型来确定后续操作。
确定分布类型存储控制器及其操作方法以及操作包括设备方法

[发明专利]非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法-CN202210181050.9在审
发明人： 徐荣德;金真怜;朴世桓;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。
非易失性存储器装置存储器控制器存储方法

[发明专利]存储设备和操作存储设备的方法-CN202111333481.4在审
发明人：朴世桓;金真怜;徐荣德;申东旻;张俊锡;曹诚敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：存储设备包括非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控制器。非易失性存储器件包括存储单元阵列。存储单元阵列包括正常单元区域、奇偶校验单元区域和冗余单元区域。第一位线连接到正常单元区域和奇偶校验单元区域，第二位线连接到冗余单元区域。存储器控制器包括用于产生奇偶校验数据的纠错码(ECC)引擎。存储器控制器将用户数据存储在正常单元区域中，控制非易失性存储器件对第一位线中的第一缺陷位线执行列修复，将附加列地址分配给第一缺陷位线和第二位线，以及将奇偶校验数据的至少一部分存储在与附加地分配的列地址相对应的区域中。
存储设备操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法和存储器系统-CN202111170351.3在审
发明人：朴世桓;金真怜;徐荣德;申东旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置及其操作方法和存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括存储芯片级信息的元数据区域；控制逻辑，响应于命令识别目标单元；机器学习(ML)逻辑，基于作为输入被施加到人工神经网络模型的芯片级信息和与目标单元相关联的物理信息来推断最佳参数；以及缓冲存储器，被配置为存储人工神经网络模型的权重参数。
非易失性存储器装置及其操作方法存储器系统

[发明专利]存储器控制器、存储器装置和存储装置-CN202210035693.2在审
发明人：朴世桓;金真怜;朴一汉;徐荣德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了存储器控制器、存储器装置和存储装置。当从执行读取操作的存储器装置接收的读取数据中的错误无法被纠正时，存储器装置可以从存储器单元的阈值电压分布确定单元计数信息，并且可以基于单元计数信息确定检测情况。存储器控制器可以控制存储器装置使用考虑读取电压的与检测情况对应的偏移电压而确定的发展时间来执行读取操作。当读取数据中的错误被成功地纠正时，存储器控制器可以使用通过将单元计数信息输入到机器学习模型而获得的动态偏移电压来更新存储在存储器控制器中的表。
存储器控制器装置存储

[发明专利]非易失性存储器装置、控制器及其操作方法-CN202111476322.X在审
发明人：申东旻;金真怜;朴世桓;徐荣德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器装置、控制器及其操作方法。所述控制器包括：非易失性存储器接口电路，连接到至少一个非易失性存储器装置，并且被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置；以及纠错电路，被配置为：根据从多个纠错解码等级之中选择的纠错解码等级，对从非易失性存储器接口电路接收的码字执行纠错操作，其中，非易失性存储器接口电路还被配置为：从所述至少一个非易失性存储器装置接收辅助信息，基于辅助信息预测存储器单元的分布，以及根据预测的分布从所述多个纠错解码等级之中选择纠错解码等级。
非易失性存储器装置控制器及其操作方法

[发明专利]包括非易失性存储器设备的存储设备及操作其的方法-CN202111192474.7在审
发明人： 徐荣德;金真怜;朴世桓;申东旻;姜宇现;吴信镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该方法包括：将设置在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的存储器块划分为多个保留组；生成包括与多个保留组对应的多个擦除编程间隔(EPI)值的时间差信息；生成包括与多个默认读取电压和多个纠正的读取电压之间的差对应的多个偏移值的偏移信息；基于偏移信息和时间差信息生成与读取地址对应的补偿的读取电压；和基于读取地址和补偿的读取电压执行读取操作以从非易失性存储器设备读取数据。
包括非易失性存储器设备存储操作方法

[发明专利]执行擦除操作以保持数据可靠性的存储器件-CN202111581392.1在审
发明人：金真怜;朴世桓;朴一汉;徐荣德;申东旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：存储器件可以包括存储块和控制电路。存储块可以包括第一子块和第二子块，第一子块和第二子块连接在公共源极线与多条位线之间并且可以竖直堆叠。控制电路可以被配置为基于第一子块和第二子块的位置，选择公共源极线和多条位线中的一者作为擦除电压的传输路径，并以子块为单位对第一子块和第二子块执行擦除操作。
执行擦除操作保持数据可靠性存储器件

[发明专利]存储装置的读取方法及非易失性存储器装置-CN202111085058.7在审
发明人：朴世桓;金真怜;徐荣德;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了存储装置的读取方法及非易失性存储器装置。存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器。所述至少一个非易失性存储器装置通过根据命令锁存启用(CLE)信号和地址锁存启用(ALE)信号在写入启用(WE)信号的边沿锁存读取命令来执行片上谷搜索(OVS)操作。响应于特定命令，控制器从所述至少一个非易失性存储器装置接收根据OVS操作的检测信息。OVS操作包括使用读取电平的第一OVS操作和使用改变后的读取电平的第二OVS操作。
存储装置读取方法非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器装置及其读取方法和控制器-CN202111082318.5在审
发明人：金真怜;朴世桓;徐荣德;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置及其读取方法和控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块和控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为响应于第一读取命令而对连接到所述多个存储器块之中的响应于地址而选择的存储器块的一条字线的存储器单元执行第一页片上谷搜索(OVS)操作。控制逻辑电路还被配置为使用第一页OVS操作的检测信息来改变至少一个状态的读取电平，并且响应于第二读取命令而使用改变的读取电平对存储器单元执行第二页读取操作。
非易失性存储器装置及其读取方法控制器

[发明专利]存储装置和用于存储装置的操作方法-CN202110737259.4在审
发明人：崔相炫;徐荣德;卢羌镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：提供了一种存储装置和用于该存储装置的操作方法。该存储装置通过从非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域恢复导通单元计数(OCC)来执行读操作。非易失性存储器包括存储器块、缓冲存储器和控制器。缓冲存储器存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量。当存储装置中发生突然断电时，控制器将各个存储器块的OCC1存储在PLP区域中。
存储装置用于操作方法

[发明专利]控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法-CN202011007655.3在审
发明人：金娟智;徐荣德;金燦河;卢羌镐;吴玄教;李熙元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开一种控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。
控制非易失性存储器装置存储控制器操作方法

[发明专利]基于人工神经网络模型推断读取电平的存储设备-CN201911105609.4在审
发明人：吴玄教;徐荣德;宋镇百;崔相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种存储设备，包括：非易失性存储器，包括多个块；缓冲存储器，存储通过使用读取电平读取与所述多个块的多个参考字线相连的存储器单元而生成的多个接通单元计数和人工神经网络模型；以及控制器，向人工神经网络模型输入所述多个接通单元计数中与目标块对应的接通单元计数和目标块的目标字线的编号，并且使用人工神经网络模型推断用于读取与目标字线相连的存储器单元的数据的多个读取电平。
基于人工神经网络模型推断读取电平存储设备

[发明专利]一种判识下伏地层构造的含油气性的方法-CN201410374561.8有效
发明人： 徐荣德;郝纯;邓诗财;梅海 -专利权人：盎亿泰地质微生物技术（北京）有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G01V1/30 文献下载
摘要：本发明涉及油气勘探技术领域，公开了一种判识下伏构造的含油气性的方法，包括收集已知油气井样品中的轻烃，并通过气相色谱分析获得轻烃相关参数；做所述轻烃相关参数的频率分布图，筛选频率分布图中具有右偏斜或双峰特征的轻烃指标；将经过筛选的轻烃指标在过已知油气井和干井剖面上做折线图或在平面上做分级气泡图并进行比较；筛选出具相关性的轻烃内组成比值参数，所得轻烃内组成比值参数作为指标来判识未知下伏地层构造的含油气性。相对于现有的油气勘探技术，本发明所述方法具有勘探成本低、周期短、成功率高的优点，具有良好的工业应用前景。
一种判识下伏地构造含油气性方法

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