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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种模板法生长硫化钨分子层薄膜的方法-CN201910213222.4有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种模板法生长硫化钨分子层薄膜的方法，本发明在表面生长氧化硅的硅基底上，首先沉积制备荧光染料分子层，然后制备WS2单分子层，接着制备有机半导体层，最后沉积金属电极。荧光染料分子层用于提高对可见光的光吸收以及发射荧光，WS2作为光敏层产生光生载流子，有机半导体层作为载流子输运层将载流子输运至金属电极。本发明PCBM将不连续的WS2单分子层实现电学上的导通，WS2作为光电探测器的光敏层提供光生载流子，荧光染料分子提高器件对光的吸收率同时发射出荧光提高激发光光能量密度。荧光染料分子层的施加，提高了器件的外量子效率。
一种模板生长硫化分子薄膜方法

[发明专利]一种可见光光电探测器的制备方法-CN201910213231.3有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光光电探测器的制备方法，本发明在绝缘基底上沉积由钙钛矿型晶体结构的铯铅碘和二硫化钨单分子层薄膜构成的复合材料。二硫化钨单分子层薄膜是直接带隙半导体材料，是较好的光电导材料，室温稳定性好，载流子迁移率高。二硫化钨单分子层薄膜能够提供电子传输的额外通道，提高铯铅碘的电学性能。同时二硫化钨阻隔氧气和水汽向复合材料内部扩散，降低空气和水对铯铅碘的分解，提高铯铅碘的稳定性。本发明制备的光探测器，具有性能稳定、光电响应速度快，光响应度好，光探测范围宽的优点。
一种可见光光电探测器制备方法

[发明专利]测试装置-CN202211010688.2在审
发明人：韦国丹;沈洋;马飞越;冉爱华;高雨;徐竹华 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试装置，包括：基板；光源模块，设置于基板的一侧，用于生成光源信号；第一承载件，设置于基板的一侧；第一承载件对应于光源模块的部分设置有透光件；加热件，设置于第一承载件远离光源模块的一侧，用于根据预设温度对被测样品进行加热；其中，被测样品用于根据光源信号和预设温度生成测试信号；第二承载件，设置于加热件远离第一承载件的一侧；第二承载件用于承载被测样品；电连接件，设置于被测样品远离第二承载件的一侧；密封件，设置于电连接件远离被测样品的一侧；处理模块，与电连接件连接，用于根据测试信号生成第一测试结果。本发明的测试装置能够对太阳能电池在不同条件下的工作性能进行测试。
测试装置

[外观设计]直发器（1）-CN202230333010.2有效
发明人： 徐竹华 -专利权人： 徐竹华
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：直发器（1）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于拉直头发。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
直发

[外观设计]直发器（夹板）-CN202230267599.0有效
发明人： 徐竹华 -专利权人： 徐竹华
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：直发器（夹板）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于夹直头发。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
直发夹板

[外观设计]卷发棒手柄-CN202230189713.2有效
发明人： 徐竹华 -专利权人： 徐竹华
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：卷发棒手柄。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于搭配卷发棒，供手握持操作。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
卷发手柄

[外观设计]卷发器手柄-CN202230114282.3有效
发明人： 徐竹华 -专利权人： 徐竹华
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：卷发器手柄。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于卷发器的手柄。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
卷发器手柄

[发明专利]一种含铯、铅、碘的发光材料的制备方法-CN201910859649.1有效
发明人：赵士超;徐竹华;吕燕飞 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铯、铅、碘的发光材料的制备方法，本发明将铅的第一主族卤素化合物与铯的第一主族卤素化合物混合后，加入硫代硫酸钠，配合成溶液，将溶液加热后得到含铯、铅、碘的发光材料。本发明在空气中，水溶液环境下合成了性能稳定的含铯、铅、碘的发光材料，这有助于推动该类材料的研究和应用。
一种发光材料制备方法

[发明专利]一种光探测器原型器件的制备方法-CN201811124266.1有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种光探测器原型器件的制备方法，本发明在铜薄膜基底上生长石墨烯，通过热氧化在铜基底与石墨烯两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属电极完成器件的制备。本发明具有厚度薄、光响应快、柔性好的优点。
一种探测器原型器件制备方法

[发明专利]一种基于铯铅碘光电探测器及制备方法-CN201910151450.3有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铯铅碘光电探测器及制备方法，从下到上依次为衬底层、第一电极层、钙钛矿铯铅碘光敏层、第二电极层、器件保护层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层厚度10‑22纳米；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层从下到上依次为第一碘化铅层、第一钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、碘化铯、第二钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、第二碘化铅层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层采用化学气相沉积法制备。本发明中采用化学气相沉积法交替沉积碘化铯和碘化铅，碘化铯和碘化铅从界面处发生化学反应生成钙钛矿铯铅碘薄膜层，形成三明治结构，这种结构有利于提高钙钛矿铯铅碘薄膜的稳定性。
一种基于铯铅碘光电探测器制备方法

[发明专利]一种铯铅碘的制备和纯化方法-CN201910150742.5有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种铯铅碘的制备和纯化方法。目前化学气相沉积法难以生长高纯度铯铅碘纳米颗粒。本方法采用难以碘化铯纳米颗粒作为铯源和碘源，与气相碘化铅通过气固反应生成铯铅碘纳米颗粒，后经过升华法去除碘化铅杂质获得高纯度钙钛矿铯铅碘纳米颗粒。该制备和纯化方法无需再溶液中进行，物质直接生长在硅基底表面，制备方法简单，产物粒径可控和纯度高。
一种铯铅碘制备纯化方法

[发明专利]一种二维二硫化钨薄膜的制备方法-CN201910462792.7有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料，降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度，薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形，六边形和枝晶状，薄膜厚度为1～30个分子层厚度。
一种二维硫化薄膜制备方法

[发明专利]一种制备CsPbX3钙钛矿的方法-CN201911176600.2在审
发明人： 徐竹华;吕燕飞;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备CsPbX3钙钛矿的方法，本发明将CsX和PbX2按1:1加入水中，按照两者中的最小溶解度进行配料，把溶液放在超声仪中超声使其充分溶解；其中X为I、Br或Cl；将基板放在加热台上加热至200‑250℃，再将溶液滴涂在基板上，2‑3分钟后，水分以沸腾的形式消失，合成得到CsPbX3钙钛矿。本发明在水中直接合成CsPbX3钙钛矿，避开了有机溶剂等辅料的使用，在加热处理的过程中生成CsPbX3钙钛矿，该制备工艺制备的CsPbX3钙钛矿在空气中表现出非常好的稳定性。
一种制备 cspbx3 钙钛矿方法

[发明专利]一种二维材料刻蚀氧化硅-CN201910596829.5在审
发明人：赵士超;吕燕飞;徐竹华 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料刻蚀氧化硅，本发明先将二维材料通过化学气相沉积法直接生长或先在生长基底表面化学气相沉积法生长然后通过转移法转移至氧化硅表面；然后将其浸入氢氧化钾水溶液中，取出，之后用水清洗干净，获得表面转移有二维图案形貌的氧化硅。本发明方法通过二维材料催化促进碱液对氧化硅的刻蚀，刻蚀过程中没有氢氟酸这类毒性强的试剂参与，刻蚀过程环保；同时利用该发明可以实现二维材料单晶形貌向氧化硅基底的转移，方法简单、方便和可操作性强。
一种二维材料刻蚀氧化

[发明专利]一种柔性光探测器的制备方法-CN201811550345.9在审
发明人：吕燕飞;徐竹华 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种柔性光探测器的制备方法,本发明将钙钛矿铯铅碘纳米薄膜材料与柔性材料结合，制备具有一定柔性的光电探测器。本发明在以氧化还原石墨烯为基底，在其上表面首先生长钙钛矿铯铅碘，然后在钙钛矿铯铅碘的上表面制备电子传输层材料，之后再沉积金属作为上电极，在氧化还原石墨烯的下表面沉积金属作为下电极完成器件的制备。氧化还原石墨烯作为器件生长基底之外，还起到空穴传输层的作用。
制备氧化还原钙钛矿石墨烯光探测器上表面电子传输层材料纳米薄膜材料光电探测器空穴传输层沉积金属柔性材料电极生长基下表面下电极再沉积基底金属生长

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