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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201310042628.3有效
  • 朴在勋;张昌洙;宋寅赫;严基宙;徐东秀 - 三星电机株式会社
  • 2013-02-01 - 2017-06-30 - H01L29/739
  • 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。
  • 绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201310224034.4有效
  • 朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 - 三星电机株式会社
  • 2013-06-06 - 2017-05-24 - H01L29/78
  • 本发明提供了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电型漂移层；形成在漂移层上的第二导电型主体层；形成在漂移层下方的第二导电型集电极层；通过穿透主体层及一部分漂移层而形成的第一栅；形成在主体层中并形成为与第一栅间隔开的第一导电型发射极层；遮盖主体层及发射极层的上部并在第一栅上形成为扁平型栅的第二栅；以及形成在具有主体层、发射极层及漂移层的第一和第二栅的接触表面之间的偏析阻止层。本发明还提供了制造该功率半导体器件的方法。本发明提供的功率半导体器件防止了栅传导电压Vth的不稳定性，因此防止了集电极电流的波纹现象，由此提高功率半导体器件的稳定性。
  • 功率半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN201510102793.2在审
  • 张昌洙;徐东秀;牟圭铉;朴在勋;宋寅赫 - 三星电机株式会社
  • 2015-03-09 - 2016-10-19 - H01L29/06
  • 本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上。由于电阻层设置在第二导电型电场限制环之下，可有优势地影响半导体器件的击穿电压并提高半导体器件的耐用性。
  • 半导体器件
  • [发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201410337329.7在审
  • 宋寅赫;朴在勋;徐东秀;张昌洙 - 三星电机株式会社
  • 2014-07-15 - 2015-05-27 - H01L29/739
  • 本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件可以包括：基板，包括第一导电型漂移层；第二导电型半导体基板，设置在所述基板的另一个表面上；第一导电型扩散层，设置在基板中并且杂质浓度高于漂移层的杂质浓度；第二导电型阱层，设置在所述基板的一个表面内；沟槽，从包括阱层的所述基板的一个表面形成，以便在深度方向上穿透扩散层；第一绝缘膜，设置在所述基板的表面上；以及第一电极，设置在沟槽中。扩散层在横向上的杂质掺杂浓度的峰值点位于接触沟槽侧面的区域中。
  • 功率半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其制备方法-CN201310538284.5无效
  • 朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 - 三星电机株式会社
  • 2013-11-04 - 2014-06-18 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，形成在所述半导体基板下的集电极层，形成在所述半导体基板上的基层，形成在所述基层上的发射极层，垂直地贯穿所述基层和所述发射极层的一个或多个沟槽型势垒，形成在所述沟槽型势垒和所述发射极层上的第一栅极绝缘层，使得所述发射极层的上部部分暴露，形成在所述第一栅极绝缘层上的栅极，形成的用来覆盖所述栅极的第二栅极绝缘层，以及形成在通过所述第一栅极绝缘层暴露出的所述发射极层的上部上的发射极金属层。
  • 半导体装置及其制备方法
  • [发明专利]功率半导体设备-CN201310148587.6无效
  • 严基宙;宋寅赫;张昌洙;朴在勋;徐东秀 - 三星电机株式会社
  • 2013-04-25 - 2014-06-18 - H01L29/739
  • 本发明在此公开一种功率半导体设备，该功率半导体设备包括：漂移层，该漂移层形成在半导体衬底的第一表面上；第一导电类型的井层，该第一导电类型的井层形成在漂移层上；沟槽，该沟槽被形成以在厚度方向上通过井层到达漂移层；第一电极，该第一电极形成在沟槽内；第二导电类型的第二电极区，该第二导电类型的第二电极区形成在井层上，包括在垂直方向上与沟槽接触的第一区和在平行方向上与沟槽分隔开且与第一区垂直的第二区；第一导电类型的第二电极区，该第一导电类型的第二电极区被形成以与第二导电类型的第二电极区的侧表面接触；以及第二电极，该第二电极形成在井层上并且电连接至第二导电类型的第二电极区和第一导电类型的第二电极区。
  • 功率半导体设备
  • [发明专利]功率半导体设备-CN201310114557.3无效
  • 宋寅赫;严基宙;张昌洙;朴在勋;徐东秀 - 三星电机株式会社
  • 2013-04-03 - 2014-06-04 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种功率半导体设备。该功率半导体设备包括第二导电型第一结终端扩展（JTE）层被形成为使得该第二导电型第一JTE层与第二导电型阱层的一侧相接触；第二导电型第二JTE层，与所述第二导电型第一JTE层形成在同一直线上，并且被形成为使得该第二导电型第二JTE层在所述基底的长度方向与所述第二导电型第一JTE层相隔离；以及多晶硅层，被形成为使得与所述第二导电型阱层和所述第二导电型第一JTE层的上部相接触。
  • 功率半导体设备
  • [发明专利]半导体器件-CN201310024226.0在审
  • 朴在勋;张昌洙;宋寅赫;严基宙;徐东秀 - 三星电机株式会社
  • 2013-01-22 - 2014-05-14 - H01L29/739
  • 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一半导体区，具有第一导电类型；第二半导体区，具有第二导电类型，并且形成在第一半导体区的一个表面上；第三半导体区，具有第一导电类型，并且形成在第二半导体区的一个表面上；栅极电极，形成在穿过第二半导体区和第三半导体区以到达第一半导体区的内部的沟槽中；以及空穴注入单元，形成在栅极电极和第一半导体区之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN201310058798.0无效
  • 朴在勋;张昌洙;宋寅赫;严基宙;徐东秀 - 三星电机株式会社
  • 2013-02-25 - 2014-05-14 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板；形成在所述基板上的第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层的一边上的阴极电极；具有一端和另一端的阳极电极，所述一端嵌在所述第二氮化物半导体层的另一边上达到预定深度，以及所述另一端与所述阴极电极间隔开并且形成延伸到所述阴极电极的上部；以及在所述阳极电极和所述阴极电极之间的所述第二氮化物半导体层上形成以覆盖所述阴极电极的绝缘膜。本发明提供的半导体装置能够通过额外形成电流传输路径增加电流传输量。
  • 半导体装置
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