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[发明专利]光学波导部件及其生产方法-CN202180064858.2在审
发明人： M·布莱克;A·耐希克;P·梅尔;A·霍夫曼;徐一麟;C·库斯 -专利权人：卡尔斯鲁厄技术研究所
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学波导部件及其生产方法。该光学波导部件包括：‑至少一个光学波导结构(10，11，12，13)，其呈第一三维自由形态结构的形式，并且具有被至少一种包层材料(30)包围的至少一个第一部分(10a，10e，10f，10g，10i，10j)；·‑至少一个引导结构(20)，其呈在该至少一个第一部分(10a，10e，10f，10g，10i，10j)的附近的第二三维自由形态结构的形式；以及·‑至少一种包层材料(30)，其至少部分地填充该至少一个第一部分(10a，10e，10f，10g，10i，10j)与该至少一个引导结构(20)之间的空间区域，其中，该至少一个引导结构(20)定义了一个区域，在该区域内，该至少一个第一部分(10a，10e，10f，10g，10i，10j)被至少一种包层材料(30)包围，并且其中，光学波导结构(10，11，12，13)的至少一个第二部分(10b，10c，10d，10h)或与光学波导结构(10，11，12，13)相邻的至少一个光学部件(200)不被该至少一种包层材料(30)包围。
光学波导部件及其生产方法

[发明专利]一种抗静电、抗菌聚缩醛树脂及其制备方法-CN201911199223.4有效
发明人： 徐一麟;陆亦军;苗春萌;王大林;刘彪;陈海波 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C08G2/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗静电、抗菌聚缩醛树脂及其制备方法，所述聚缩醛树脂包括聚缩醛、噻吩类化合物、反应型相容剂。所述噻吩类化合物为含环氧基团的噻吩类化合物。所述反应型相容剂为二异氰酸酯类。所述聚缩醛树脂的制备方法，包括将聚缩醛与助剂混合均匀以及将上述混合料与噻吩类化合物、反应型相容剂混合反应的步骤。本发明中通过将噻吩聚合物、二异氰酸酯反应型相容剂、其他助剂与聚缩醛树脂进行反应挤出，有效地提高了聚缩醛树脂的抗静电性、抗菌性及热稳定性，可广泛应用于聚缩醛树脂的改性。
一种抗静电抗菌聚缩醛树脂及其制备方法

[发明专利]一种双亲性相容剂及其制备方法及一种聚碳酸酯-聚丙烯合金材料-CN202111042622.7有效
发明人：仲美霖;潘勇军;姜进科;张钊;陈充充;徐一麟;元天佑;初乃波;华卫琦 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C08K5/5313 文献下载
摘要：本发明公开一种双亲性相容剂及其制备方法及一种聚碳酸酯‑聚丙烯合金材料。所述相容剂的结构式为：所述聚碳酸酯‑聚丙烯合金材料，包括以下组成：聚碳酸酯、聚丙烯、双亲性相容剂、抗氧剂、润滑剂、耐水解剂。双亲性相容剂能够提高聚碳酸酯树脂和聚丙烯树脂之间的界面结合力和两相相容性，同时，所得合金材料具有阻燃性能优异、耐水解性、低放水率、加工性能好、低成本的优点，可以应用于制作餐饮行业和汽车行业等领域。
一种双亲相容及其制备方法聚碳酸酯聚丙烯合金材料

[发明专利]自润滑聚缩醛制品的表面处理方法-CN202010423899.3有效
发明人： 徐一麟;杨晓珂;王大林;刘彪;陈海波 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明提供了自润滑聚缩醛制品及其表面处理方法，所述聚缩醛制品表面处理方法包括对聚缩醛制品表面依此进行干燥处理、等离子体处理、热处理、冷却处理，极大地提高了聚缩醛制品表面的滑动特性。本发明中等离子体处理改善了聚缩醛制品外表面层的分子结构，提高了其中非高温结晶部分及未结晶部分的比例；热处理对对聚缩醛分子链进行重整，消除应力，增强了聚缩醛制品表面的自润滑性。本发明无需通过对聚缩醛树脂进行共混改性，仅通过简单的表面处理即可大幅提高聚缩醛制品的滑动特性，极大地拓宽了聚缩醛的应用场景。
润滑聚缩醛制品表面处理方法

[发明专利]一种聚缩醛树脂的制备方法-CN202010433044.9有效
发明人： 徐一麟;杨晓珂;王大林;刘彪;陈海波 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08G2/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚缩醛树脂的制备方法。包括以下步骤：三聚甲醛与共聚单体环醚和/或环状缩醛、至少具有2个环氧基团的缩水甘油醚以及缩醛类链转移剂通过杂多酸催化剂引发聚合反应，然后经过与失活剂含硫官能团的噁唑衍生物反应挤出后得到。在聚合反应的特定阶段加入环醚和/或环状缩醛与至少具有2个环氧基团的缩水甘油醚混合物能够以简单地工艺实现该缩水甘油醚在聚缩醛主链的有效接入，并且通过改善失活工序，与失活剂含硫官能团的噁唑衍生物进行混合后，反应挤出，提高聚缩醛树脂的热稳定性与各项力学性能。
一种聚缩醛树脂制备方法

[发明专利]一种聚缩醛组合物及其制备方法-CN201910851099.9有效
发明人：杨晓珂;陆亦军;徐一麟;王大林 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学（宁波）有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C08L59/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚缩醛组合物及其制备方法，其中聚缩醛组合物包括聚缩醛和助剂；所述聚缩醛和助剂的质量比为1000：1～100：1；所述助剂由环醚和/或环状缩醛与异氰酸酯类化合物共聚而成。聚缩醛组合物的制备方法包括：将环醚和/或环状缩醛、异氰酸酯类化合物、催化剂共混，制备得到助剂；将聚缩醛和助剂熔融混炼，制备得到所述聚缩醛组合物。本发明制备的聚缩醛组合物既具有改善的结晶性能，还可提高聚缩醛的热稳定性，并且结构相容性好，有利于均匀分散。
一种聚缩醛组合及其制备方法

[发明专利]一种聚缩醛组合物及其制备方法和应用-CN202010666839.4有效
发明人： 徐一麟;杨晓珂;王大林;刘彪;陈海波 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学（宁波）有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C08L87/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚缩醛组合物及其制备方法，所述聚缩醛组合物包括聚缩醛、热塑性聚氨酯弹性体、异氰酸酯相容剂、碳酸酯类脱挥剂。所述聚缩醛组合物的制备方法，包括通过含吡啶环的酯类化合物作为失活/交联剂制备限制粒径范围的主/侧链接入氧化石墨烯的功能化石墨烯接枝聚缩醛树脂原粉，并将该原粉与热塑性聚氨酯弹性体、异氰酸酯相容剂、碳酸酯类脱挥剂反应挤出的步骤。本发明利用功能化氧化石墨烯对支化聚缩醛树脂原粉在特定条件下进行简单修饰，通过将该聚缩醛树脂原粉与热塑性聚氨酯弹性体、异氰酸酯相容剂熔融混炼，辅以碳酸酯类脱挥剂进行脱挥，得到耐刮擦、高抗冲、低VOC的聚缩醛组合物，具有广泛的应用前景。
一种聚缩醛组合及其制备方法应用

[发明专利]层数可控氮掺杂石墨烯的制备方法-CN201710436464.0有效
发明人：方小红;万吉祥;尤莹;徐一麟;陈小源 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种层数可控氮掺杂石墨烯的制备方法，包括如下步骤：1）提供一生长衬底及一氮碳固态源；2）在还原气氛下将所述生长衬底加热至生长温度，并在所述还原气氛下将所述氮碳固态源加热使其升华，以在所述生长衬底表面沉积结晶形成层数可控的氮掺杂石墨烯。本发明的制备方法为化学气相沉积法，采用的设备简单、操作便捷、易于实现大面积石墨烯的制备，且可以避免杂质的引入；本发明的制备方法采用单一的含氮固态碳源，能在生长过程中直接实现氮掺杂，提高了制备过程的安全性和便捷性；同时，可以降低反应温度并大幅缩短了反应时间，生产成本较低。
层数可控掺杂石墨制备方法

[发明专利]一种聚缩醛组合物及其制备方法-CN201811488947.6有效
发明人：杨晓珂;陆亦军;徐一麟;王大林;刘彪;陈海波 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C08L59/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚缩醛组合物及其制备方法，具体公开一种聚缩醛组合物，其包含聚缩醛和壳聚糖，其中所述聚缩醛与所述壳聚糖的质量比为20:1‑10000:1。本发明所述壳聚糖可有效改善聚缩醛的热稳定性并且添加量少。本发明的原料易得，操作简单，利于工业化规模生产。
一种聚缩醛组合及其制备方法

[发明专利]一种高热稳定性聚甲醛树脂及其制备方法-CN201811179829.7有效
发明人： 徐一麟;陆亦军;杨晓珂;王大林;刘彪;陈海波 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C08L59/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高热稳定性聚甲醛树脂及其制备方法。该聚甲醛树脂由聚甲醛、特定封端剂、三苯基膦、叔胺类化合物、酰胺类化合物按照一定比例反应得到。本发明利用高温下封端剂中的环硫/环氧基团与聚甲醛树脂中的不稳定羟基末端进行反应，大大降低了聚甲醛树脂中不稳定末端的含量；通过含硫基团与苯环的协同作用增强了主链的热稳定性；同时三苯基膦、叔胺类化合物、酰胺类化合物既可以作为封端剂中的环氧/环硫基团开环的催化剂，又可以作为聚甲醛树脂合成过程中催化剂的失活剂。本发明通过对聚甲醛树脂进行简单地改性，极大地提高了聚甲醛树脂的热稳定性，对于聚甲醛树脂品质的提升具有重要意义。
一种高热稳定性甲醛树脂及其制备方法

[发明专利]一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法-CN201911353193.8在审
发明人：陈姝敏;徐一麟;吴迪;赵魁 -专利权人：荆楚理工学院
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料制备领域，公开了一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)石墨烯薄膜的制备；2)石墨烯薄膜的转移；3)银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备。本发明充分发挥了银纳米线与石墨烯薄膜各自的优势，使复合薄膜具有高导电性与高透过率的同时保证其表面平整度，其电学性能已媲美ITO薄膜，且其光学透过率却更优于ITO薄膜，更适合于透明导电电极的应用。同时，本发明很好的减少了工艺流程，大大降低了材料的制备成本，有利于实现大规模工业化生产。
一种纳米石墨复合薄膜制备方法

[发明专利]锂离子电池负极材料结构、锂离子电池及其制备方法-CN201710537938.0有效
发明人：方小红;尤莹;万吉祥;徐一麟;陈小源 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电池负极材料结构、锂离子电池及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1）将硅纳米材料、碳纳米材料及添加剂置于有机溶剂中配制出分散液；2）提供金属催化衬底，将所述分散液涂覆于所述金属催化衬底的上表面；3）在步骤2）得到的结构的上表面形成石墨烯薄膜。本发明的电池负极材料结构不仅保留了硅负极材料和石墨烯的固有特性，亦可发挥两者之间的协同效应；同时，可实现硅纳米材料/碳纳米材料复合薄膜与金属催化衬底集流体之间的有效接触，不仅可以提供高效的储锂能力，亦缓解了硅纳米材料在充放电过程中较大的体积变化，有效抑制和改善负极材料内部应力的产生避免负极材料粉化。
锂离子电池负极材料结构及其制备方法

[发明专利]透明导电薄膜、光电器件及其制作方法-CN201610542566.6有效
发明人：方小红;徐一麟;王聪;尤莹;陈小源;万吉祥 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电薄膜、光电器件及其制作方法，包括：目标结构；银纳米线薄膜层，位于目标结构表面；透明导电聚合物填充层，填充于银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖银纳米线薄膜层。透明导电薄膜具有高导电性和高透过率的优点；通过对银纳米线薄膜层进行亲水处理使得透明导电聚合物填充层能够在其上均匀涂布；并且通过透明导电聚合物填充层与石墨烯薄膜的覆盖，在保证透明导电薄膜高透过率、高导电性的同时，有效地降低了其表面的粗糙度；同时所述透明导电薄膜还具备可弯曲特性，在柔性衬底上制备上述透明导电薄膜经过数次弯曲后，透过率与方块电阻均无明显变化，表现出替代ITO用于光电器件、尤其是应用于柔性光电器件的极大潜力。
透明导电薄膜光电器件及其制作方法

[发明专利]石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法-CN201610679703.0在审
发明人：方小红;徐一麟;王聪;尤莹;陈小源;万吉祥 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，包括以下步骤1）提供目标结构，在所述目标结构表面制备复合透明导电薄膜，所述复合透明导电薄膜包括石墨烯薄膜及银纳米线薄膜；2）在所述复合透明导电薄膜表面制备图形化光刻胶掩膜层；3）依据所述图形化光刻胶掩膜层刻蚀所述复合透明导电薄膜；4）去除所述图形化光刻胶掩膜层，完成对所述透明导电薄膜的图形化处理。本发明提出了一种图形化的方法，通过表面光刻胶掩模的覆盖实现了等离子气氛与刻蚀液对指定裸露区域的刻蚀，具有较高的图形化精度，避免了其他方法图形化后可能出现的边缘粗糙有毛刺的问题，同时光刻掩膜版设计容易，可根据需要设计各种图形。
石墨纳米复合透明导电薄膜图形方法

[发明专利]隔离结构及具有其的非挥发性存储器的制造方法-CN201510081126.0在审
发明人：庄淳聿;徐一麟;赖亮全 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开一种隔离结构及具有其的非挥发性存储器的制造方法。该隔离结构的制造方法，适用于非挥发性存储器的制作工艺中。此方法是提供基底，并于基底上依序形成介电层、导体层及硬掩模层。图案化硬掩模层及导体层，而形成暴露出介电层的第一沟槽。在基底上形成第一衬层。移除第一沟槽所暴露的第一衬层及介电层，以暴露基底。在导体层及硬掩模层的侧壁形成间隙壁。以具有间隙壁的导体层及硬掩模层为掩模，移除部分基底，以形成第二沟槽。之后在第二沟槽中形成一隔离层，其中导体层之间的间距大于第二沟槽的宽度。
隔离结构具有挥发性存储器制造方法

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