“彭绍扬”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202010190728.0有效
发明人：张志雄;谢海波;梁玲;彭绍扬;李刚;赵华志 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构：衬底，形成在衬底第一区域上的第一介质层，部分覆盖第一介质层的第一栅极结构，形成在衬底第二区域上的第二介质层，部分覆盖第二介质层的第二栅极结构；第一介质层具有第一厚度，第二介质层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度；执行第一刻蚀工艺，分别在未被第一栅极结构覆盖的位置处和未被第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层和第二介质层，以使第一介质层和第二介质层有第一预定厚度被去除，第一预定厚度小于等于第二厚度；在第二区域上形成光刻胶层；执行第二刻蚀工艺，在未被第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层，以使第一介质层有第二预定厚度被去除。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法和三维存储器-CN202010032358.8有效
发明人：李刚;谢海波;张志雄;梁玲;彭绍扬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法和三维存储器件，该半导体器件制备方法中，将对高压区域的栅极结构(包括栅极和形成于栅极的侧壁的偏移间隔)两侧的栅极绝缘层的蚀刻步骤调整到轻掺杂漏处理步骤与间隔侧壁的形成步骤之间，可以有效避免现有技术中在蚀刻高压区域的栅极结构两侧的底部栅极绝缘层时，会同时对栅极结构的间隔侧壁中的氧化物间隔侧壁(第一间隔侧壁)以及偏移间隔中的氧化物偏移间隔造成不期望的蚀刻，从而在氧化物间隔侧壁及氧化物偏移间隔的顶部形成缺陷凹槽的问题。
半导体器件及其制备方法三维存储器

[发明专利]一种开口的形成方法-CN202010355926.8有效
发明人：谢海波;梁玲;张志雄;彭绍扬;李刚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种开口的形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成刻蚀停止层以及第一介质层；在所述第一介质层上形成图案化的掩膜层；以所述图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，形成暴露所述刻蚀停止层的第一沟槽；通过所述第一沟槽刻蚀所述刻蚀停止层，直至在所述刻蚀停止层中形成开口尺寸大于所述第一沟槽开口尺寸的第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述基底；通过所述第一沟槽和所述第二沟槽刻蚀所述基底，形成开口。
一种开口形成方法

[实用新型]一种晶圆处理设备的前端模块-CN202020946658.2有效
发明人：李刚;包杰;曾庆峰;谢海波;张志雄;梁玲;彭绍扬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种晶圆处理设备的前端模块，包括：晶圆传送室、晶圆装载端口、缓冲单元以及第一气流提供单元；其中，所述晶圆装载端口，与所述晶圆传送室连通，配置为放置装载晶圆的晶圆传送盒；所述缓冲单元，位于所述晶圆传送室内，配置为在所述晶圆装载端口放置所述晶圆传送盒之前，保管所述晶圆传送盒；所述第一气流提供单元，配置为提供阻隔在所述晶圆装载端口与所述缓冲单元之间的气流。
一种处理设备前端模块

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202010079681.0在审
发明人：梁玲;谢海波;张志雄;彭绍扬;李刚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；所述栅极结构的表面以及所述半导体衬底的未被所述栅极结构覆盖的表面具有硅区域，在所述硅区域形成金属硅化合物；确定所述半导体器件的接触区和非接触区，刻蚀以去除位于所述非接触区内的金属硅化合物，保留位于所述接触区内的金属硅化合物作为金属接触结构。
一种半导体器件制造方法