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[发明专利]基于主动锁模光电振荡技术的频率分集波束形成系统-CN202310356075.2在审
发明人：王亚兰;熊峰;张进;王党卫;王安乐;彭小牛 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明涉及微波光子信号产生领域，尤其涉及一种基于主动锁模光电振荡技术的频率分集波束形成系统，包括用于产生全频谱超低相噪超低杂散微波频率梳信号的主动锁模光电振荡器，用于对微波频率梳信号进行高精度幅相调控的频梳精细调控模块，用于对经过幅相调控后的微波频率梳信号进行延时以匹配各个系统的延迟并对微波频率梳信号进行拍频形成波束信号并作为雷达信号发出的波束形成模块，本发明可在稳定主动锁模光电振荡器的同时，实现调制频率与环路精准控制，且本发明所采用的频率分集波束形成技术，可在光域实现微波对频率梳信号幅度和相位的精细调控。
基于主动光电振荡技术频率分集波束形成系统

[发明专利]布里渊单环宇称时间对称光电振荡信号产生方法及系统-CN202210309534.7有效
发明人：王亚兰;熊峰;王党卫;王安乐;张进;彭小牛 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H04B10/532 文献下载
摘要：本发明涉及布里渊单环宇称时间对称光电振荡信号产生方法及系统，包括：第二偏振控制器将第二可调激光源输出的光信号调制为线偏振光后输出至光环形器；第一偏振控制器将第一可调激光源输出的光信号调制为线偏振光后输出至相位调制器，然后经光隔离器输送至受激布里渊散射效应结构；调节两个可调激光源的频率使第一可调激光源的透射光和受激布里渊散射效应结构生成的斯托克斯光保持一个频率差；调节第一偏振控制器和第二偏振控制器，选择模式实现PT对称，再调节第三偏振控制器，使输出的信号形成稳定单模信号；随后单模信号由光电探测器拍频送入所述相位调制器形成闭合振荡环路。本发明由于单环特性，减少了空间冗余，使系统具有更高的稳定性。
布里渊单环宇时间对称光电振荡信号产生方法系统

[发明专利]基于双域锁模技术的分集信号产生系统及方法-CN202210122940.2有效
发明人：王亚兰;林承吉;王安乐;张进;彭小牛 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本发明属于微波光子学技术领域，尤其涉及一种基于双域锁模技术的分集信号产生方法。包括步骤S1，驱动信号对光载波进行驱动经相位调制器进入OEO系统形成闭合OEO环路，另一分路输出至示波器和频谱分析仪进行观察分析；步骤S2，在强度调制器的射频输入端口，输入频率为环路振荡模式自由频谱范围的整数倍的低频信号，在腔内引入周期强度调制，实现每个振荡频率的模态锁定并得到稳定的多模振荡。步骤S3，对激光器输入一个驱动信号，驱动信号的周期与环路振荡模式的自由频谱范围保持一致，本发明利用主动锁模和傅里叶域锁模双域锁模的原理可以产生不同中心频率和带宽的频梳信号生成系统。
基于双域锁模技术分集信号产生系统方法

[发明专利]上下变频一体化的宽带射频前端系统和射频信号收发方法-CN202210631029.4有效
发明人：张进;王安乐;王亚兰;刘晓彤;王党卫;张德培;彭小牛;李东宇 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种上下变频一体化的宽带射频前端系统和射频信号收发方法，上下变频一体化的宽带射频前端系统包括：激光器、光分束器、上变频光发射前端和下变频光接收前端；本发明通过设置上变频光发射前端实现激光器发出的光载波信号的上行信号的变频，以及通过下变频光发射前端实现激光器发出的光载波信号的下行信号的变频，且上行信号和下行信号的变频一致，使得本发明的上下变频一体化的宽带射频前端系统在实现上下行信号变频的过程中的结构简单，有效避免了信号串扰的问题，有效提升系统的性能。
上下变频一体化宽带射频前端系统信号收发方法

[发明专利]一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法-CN202110170101.3有效
发明人：王浩;余志颖;季杰;檀秋阳;潘希彦;马国坤;饶毅恒;万厚钊;桃李;彭小牛;段金霞;汪汉斌;汪宝元 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
一种基于氧化 s1r 器件及其制备方法

[发明专利]基于双驱马赫增德尔调制器的多源非线性失真抑制方法-CN202210631042.X在审
发明人：张进;张德培;王亚兰;王安乐;王党卫;刘晓彤;彭小牛;李东宇 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H04B10/2543 文献下载
摘要：本发明涉及光通信领域和微波光子领域，尤其涉及一种基于双驱马赫增德尔调制器的多源非线性失真抑制方法，本发明通过激光器输出光载波，经过双驱马赫曾德尔调制器将射频信号调制到光载波上，通过功分器和移相器，在上下支路两侧分别输入相位差为90度的射频信号，调节偏置电压使输出为‑1阶边带被抑制的单边带信号，再通过可编程光滤波器分别对0、1、2阶边带引入幅相关系，抑制载波幅度为原来的三分之一，相位翻转180度，最后传输至光电探测器中解调，即可实现IMD3的抑制，同时因为调整的是载波，XMD同样也会被抑制，通过同时抑制微波光子链路中的IMD3与XMD来克服多源非线性失真问题，从而提高宽带信号下微波光子链路的线性度。
基于马赫增德尔调制器非线性失真抑制方法

[发明专利]基于微腔结构的双腔自注入一体化集成光生微波源系统-CN202210534646.2在审
发明人：王亚兰;林承吉;王党卫;王安乐;张进;彭小牛 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明涉及光生微波技术领域，尤其涉及一种基于微腔结构的双腔自注入一体化集成光生微波源系统，其为一体化芯片结构，包括三个芯片级集成单元：第一集成单元，其为有源器件，包括DFB激光器和高饱和功率光电探测器；第二集成单元，其为无源器件，包括基于硅衬底的铌酸锂薄膜调制器、铌酸锂环形回音壁廊微谐振器和CaF2回音壁廊谐振器；第三集成单元，其为集成电路芯片用以补偿光电振荡回路中的损耗并进行相位匹配，包括移相器和电放大器；本发明所述系统能够克服现有技术中自注入锁定光生微波源信号稳定差的问题，提出一种高超声速精确打击武器装备对低相噪、可调谐、高频率稳定性小型化微波源。
基于结构注入一体化集成微波系统

[发明专利]一种基于双注入锁定的高质量宽带微波信号产生方法-CN202210227598.2在审
发明人：王亚兰;林承吉;王安乐;张进;彭小牛 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双注入锁定的高质量宽带微波信号产生方法，涉及微波光子信号产生领域技术领域，包括将激光器输出的光在强度调制器出进行信号强度调制；将经强度调制器调制后的信号经第一光耦合器分成两个支路信号，分别在两个环路中传输；将两个环路中输出的信号经第一电耦合器传输至第二电耦合器后再次分成两路信号；所述第二电耦合器将一路信号传输至电频谱分析仪和数字存储示波器进行分析，所述第二电耦合器将另一路信号输入所述强度调制器的射频端口关闭光电振荡器回路，产生具有低相位噪声性能的超带宽线性调频信号，外注入一个宽带的线性调频信号，提升线性调频信号的近载频和远载频的相位噪声性能。
一种基于注入锁定质量宽带微波信号产生方法

[发明专利]基于布里渊效应的高质量时域锁模光电振荡器系统及方法-CN202210227919.9在审
发明人：王亚兰;林承吉;王安乐;张进;彭小牛 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H04B10/548 文献下载
摘要：本发明涉及微波光子信号产生技术领域，尤其涉及一种基于布里渊效应的高质量时域锁模光电振荡器系统及方法，激光器输出光信号至相位调制器并设置光隔离器保护器件，输出信号至光环形器，光环形器接收由泵浦激光器输入的信号并输出至光衰减器，光衰减器减少信号能量并发送至光电探测器；光电探测器将光信号转换成微波信号，且由电放大器补偿损耗并发送至第一电耦合器；第一电耦合器接收信号后，一路信号传输至电频谱分析仪和数字存储示波器进行储存，一路信号发送至第二电耦合器并接收外部射频信号且将信号输入到相位调制器以关闭回路。实现了相位调制到强度调制的转换，简化了系统中光滤波器结构并引入时域锁模操作，可调节和宽带的频梳微波信号。
基于布里渊效应质量时域光电振荡器系统方法

[发明专利]一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用-CN202110212580.0有效
发明人：王浩;刘鹏程;段金霞;王浚英;汪汉斌;马国坤;桃李;彭小牛;张军;万厚钊 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
一种基于生长金属掺杂碳酸电极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种Au-TiO2-CN202010312752.7在审
发明人： 彭小牛;祝孟磊;王媛媛;王喜娜 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B01J23/52 文献下载
摘要：本发明涉及光催化制氢技术领域，公开了一种Au‑TiO2‑Pt析氢催化材料，所述材料中金、钛、铂的摩尔比分别为2～20：2～3：1，且TiO2分布在金纳米棒的两端，Pt位于金纳米棒的中间，所述Au‑TiO2‑Pt析氢催化材料的制备方法包括如下步骤：合成金纳米棒后，在金纳米棒两端生长TiO2，得到Au‑TiO2前驱体，最后在金纳米棒侧面沉积Pt，得到Au‑TiO2‑Pt析氢催化材料。本发明制备的Au‑TiO2‑Pt析氢光催化材料将金纳米棒的等离激元效应和Pt的高效催化活性位点有效结合，显示出了优异的光催化析氢性能，制备方法简单、可重复性好。
一种 au tio base sub

[发明专利]一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法-CN202110373948.1在审
发明人：王浩;湛飞;马国坤;饶毅恒;桃李;段金霞;彭小牛;万厚钊 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，包括以下步骤：将MOS管置于超临界流体反应腔体内，向反应腔体内加入水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为100～140℃，反应1～2h。本发明的方法，超临界二氧化碳流体能够顺利进入MOS管纳米级孔隙或空间而不造成损伤，通过超临界流体携带有效的反应性物质水进入MOS管内部，从而有效的钝化界面缺陷，改善其介电常数；本发明能显著地降低MOS管的漏电流和提升漏极饱和电流，解决了MOS管尺寸减小引发的漏电流升高和漏极饱和电流降低的难题，达到了提升MOS管器件性能的目的。
一种基于临界二氧化碳流体处理 mos 方法

[发明专利]一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法-CN202110149898.9在审
发明人：马国坤;余志颖;檀秋阳;王聪;季杰;万厚钊;桃李;饶毅恒;段金霞;彭小牛;张军;沈谅平;王浩 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法，该器件包括底电极、转换层、阻变层和顶电极；其中，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种。本申请的基于氧化铌选通管的1S1R器件，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种，采用的这些材料的电学性质非常稳定，将基于这两类材料的功能层直接堆叠集成制备得到的1S1R器件性能稳定，拥有稳定的SET电压和RESET电压，以及明显的存储窗口，基于这些材料制得的1S1R器件具有1S1R的电学性能，在一定次数的直流耐受性测试中，有稳定的操作电压，也有明显的存储窗口。
一种基于氧化铌选通管 s1r 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于金属性插层的1S1R器件及其制备方法-CN202110150113.X在审
发明人：王浩;余志颖;潘希彦;季杰;檀秋阳;马国坤;桃李;饶毅恒;段金霞;万厚钊;彭小牛;汪汉斌;张军 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于金属性插层的1S1R器件及其制备方法，该器件其包括：底电极、转换层、金属性插层、阻变层和顶电极；其中，金属性插层的材料为Ti薄膜、ITO薄膜和TiN薄膜中的一种。本申请的1S1R器件，通过在1S1R器件中引入金属性插层，金属性插层作为中间电极连接两功能层，更重要地是使得选通管单元和阻变存储器单元的氧空位在工作过程中互相不干扰，保证了两个单元的独立正常工作，增强了其稳定性，与现有技术相比，具有稳定的直流耐受性、十分稳定的SET电压、RESET电压、阈值电压和保持电压等相关电压，较为明显的存储窗口和选通比，能够有效地减小漏电流，抗串扰能力强。
一种基于金属性 s1r 器件及其制备方法

[实用新型]一种泵用连接装置-CN202020323839.X有效
发明人：徐向江;徐维;彭小牛 -专利权人：安徽精工泵阀制造有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： F16L21/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及泵配件技术领域，具体为一种泵用连接装置，包括过滤管、进口管和出口管，本实用新型通过设置进口管，进口管通过柱销和锁紧环与过滤管连接，从而可以极为方便的更换进口管，以便适应不同的管道接口，增加管道接口的密封性，通过在过滤管内腔中设置过滤筒，可以很好过滤液体中的杂质，防止进入泵体，损伤机器，通过设置出口嘴和连接环，使出口管与泵机更加紧密的连，防止发生渗漏，通过在通管的侧面设置压缩弹簧，从而减少液体冲击对通管的损坏，增加装置的使用寿命。
一种连接装置

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