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[发明专利]二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置-CN202210249154.9在审
发明人：王然;李博;王磊;张喆;张昆鹏;赵泓达;岳嵩;张学文;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置，该二次谐波表征方法在待检测样品表面选取扫描点位之后，通过调谐基频光的波长从第一设定波长连续调谐至第二设定波长，且在每次调谐基频光的波长之后，均向扫描点位入射波长调谐后的基频光，并收集根据波长调谐后的基频光产生的二次谐波信号；然后根据收集的二次谐波信号，绘制二次谐波信号非线性光谱。通过二次谐波信号非线性光谱，能够得出该扫描点位在此扫描过程中的不同缺陷类型、不同缺陷类型的缺陷能级、以及不同缺陷类型所对应的基频光波长。并利用二次谐波对较低缺陷密度进行有效表征，且能够有针对性的提取待检测样品的相关参数，缩短提取器件相关参数耗时。
二次谐波表征方法基于光学系统检测装置

[发明专利]二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置-CN202210249155.3在审
发明人：王然;赵泓达;王磊;张学文;李博;张喆;张昆鹏;岳嵩;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过在起偏器与第一物镜之间的光路上增加光束整形模块，将高斯光束的偏振基频光整形为平顶光束的偏振基频光，再经过第一物镜聚焦为符合测试要求的基频光，并将基频光入射到待检测样品。与现有技术中入射到晶圆表面的基频光为高斯光束的方式相比，本申请使入射到待检测样品表面的基频光的光斑内部光强均匀，从而使光斑内部可以均匀的产生二次谐波信号，进而提高二次谐波表征待检测样品缺陷的精度。
二次谐波表征光学系统基于检测装置

[发明专利]二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置-CN202210249176.5在审
发明人：王然;王磊;李博;张学文;赵泓达;张昆鹏;张喆;岳嵩;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过使起偏器和检偏器均定轴旋转，分别驱动起偏器和检偏器进行多次旋转，在每次旋转过程中，起偏器被旋转到Ai位置以改变基频光的偏振态的同时，检偏器被旋转到与Ai位置对应的Bi位置，使依赖于Ai位置起偏器形成的基频光，经待检测样品产生的二次谐波信号能够收集于探测器内，获得Ai位置起偏器对应偏振依赖的二次谐波信号。在检测待检测样品的晶型和晶向时，可以通过多次旋转起偏器的过程中使检偏器配合联动，获取偏振依赖的二次谐波信号的周期，利用偏振依赖的二次谐波信号直接判断待检测样品的晶向和晶型，简化设备结构，降低成本。
二次谐波表征光学系统基于检测装置

[发明专利]二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置-CN202210249196.2在审
发明人：王然;张喆;张昆鹏;赵泓达;岳嵩;王磊;李博;张学文;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过增加耦合联动机构，入射臂在圆弧导轨上滑动时，能够同步带动出射臂在圆弧导轨上耦合联动，使出射臂同步粗调到二次谐波信号的传输光路上，使至少部分的二次谐波信号入射到探测器内。通过增加的反馈调整模块，能够通过观察采样信号是否移动到目标点处，了解到出射光路系统中的探测器是否正好位于二次谐波信号的传输光路上，了解到二次谐波信号是否能全部入射到探测器的探测窗口内，便于后续微调出射臂，将探测器正好调节到二次谐波信号的传输光路上，使二次谐波信号尽量多的被探测器接收，从而提高二次谐波表征精度。
二次谐波表征光学系统基于检测装置

[发明专利]一种晶圆裂片装置及裂片加工方法-CN202011096388.1有效
发明人：张昆鹏;李纪东;杨顺凯;张紫辰;易飞跃;侯煜;李曼;张喆;王然 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆裂片装置及裂片加工方法，装置包括晶圆载台、辅助夹具、加工组件、视觉检测单元和控制器，方法包括初加工晶圆预处理、晶圆装夹定位、加工路径设置、晶圆裂片等步骤。通过在运动轴上装设气动块，上下移动驱动顶端可更换的万向轮球，不同半径的万向轮球适用于不同大小的晶圆裂片。晶粒可以均匀受力，切割道裂开形成单个晶粒，根据不同的晶圆大小和晶粒尺寸拟合合适的裂片曲面，运动轴运动时随位置控制气动块升降，达到滚珠曲面运动的效果，并提供多种裂片运动轨迹满足不同切割道的要求或特殊裂片要求，也可以单独对某一条切割道进行劈裂。通过上述设计提高了适应性、裂片成品率和加工效率。
一种裂片装置加工方法

[发明专利]激光解键合气体排放装置及方法-CN202111035718.0在审
发明人：张昆鹏;李纪东;张紫辰;侯煜;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种激光解键合气体排放装置，包括：解键合腔体，底部具有承载区域，所述承载区域用于在解键合过程中承载键合结构；气帘发生模块，与所述解键合腔体通过气帘发生口连通，所述气帘发生模块能通过气帘发生口向键合结构发出气帘，以覆盖所述键合结构；气体排放模块，与所述解键合腔体通过在气帘路径上的排放气道连通，以使所述气帘的气体沿所述排放气道排入所述气体排放模块。本发明能够在解键合过程中，同时采用气帘对于键合结构进行覆盖，同时，采用气体排放模块进行排放，避免了键合胶相变后对气体的污染。
激光解键合气体排放装置方法

[发明专利]激光解键合步进补偿方法-CN202111035719.5在审
发明人：李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种激光解键合步进补偿方法，应用于叠层结构的解键合过程中，其中，叠层结构包括用键合胶键合在一起的基板和晶圆，在解键合时，采用透明吸盘吸附在基板上，方法包括：依据前一爆点位置以及前一爆点的热影响区域，确定目标位置；依据目标位置以及前一爆点的激光光路，确定当前爆点位置的基板入射位置；依据基板入射位置的吸盘厚度以及折射率，确定当前激光发生器的补偿位移；控制激光发生器依据预定的第一位移以及补偿位移移动到当前爆点的激光发生器位置。本发明能够对吸盘的不同厚度区域的折射所导致的光路偏移进行补偿，以使激光解键合过程中的爆点位置能够准确定位。
激光解键合步进补偿方法

[发明专利]激光解键合方法-CN202111035720.8在审
发明人：侯煜;张紫辰;李纪东;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯;李曼 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种激光解键合方法，应用于具有晶圆与基板的叠层结构的解键合过程中，所述方法包括：采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射，以使所述叠层结构中的键合物质发生相变；对当前目标区域施加拉力，以使所述叠层结构的目标区域分离；确定下一目标区域的位置并将激光发生器进行移动，以使所述激光发生器能对下一目标区域进行照射的位置。本发明能够在对叠层结构的局部进行照射之后即对叠层结构进行分离，减少热损失，提高解键合效果。
激光解键合方法

[发明专利]一种载物台组件及激光解键合装置-CN202111035875.1在审
发明人：张喆;张紫辰;李纪东;张昆鹏;侯煜;张彪;易飞跃;杨顺凯 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种载物台组件及激光解键合装置，该载物台组件包括载物台、吸盘及抬升组件。载物台固定第一层结构。吸盘具有吸附端面及连接端面，吸附端面划分为至少三个吸附区，其包括位于吸盘中心的圆形吸附区、由圆形吸附区向外依次排列的至少两个圆环形吸附区。抬升组件为至少三组，每组抬升组件用于在对应吸附区位置处的键合层被激光加热发生相变后，向上拉升对应的吸附区，以使第一层结构和第二层结构在对应吸附区位置处分离。能够在激光扫描部分的键合层区域之后，立即抬升吸盘的对应吸附区，使该吸附区位置处的两个层结构分离，防止该部分区域被激光加热而处于熔融状态的键合层再次冷凝粘接，降低剥离难度，减少剥离时间，提高剥离效率。
一种载物台组件激光解键合装置

[发明专利]解键合的激光发生器位置确定方法-CN202111036026.8在审
发明人：张彪;李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;易飞跃;杨顺凯 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种解键合的激光发生器位置确定方法，应用于叠层结构的解键合过程，其中，叠层结构是由晶圆和基板键合形成的，所述方法包括：对所述叠层结构的第一区域进行激光照射并对所述第一区域的晶圆和基板施力进行分离；在第一区域分离后，获取第二区域发生形变后的位置；依据与所述第二区域对应的原始目标爆点位置、第二区域的原始位置以及激光发生器的原始目标位置，确定原始光路；依据所述补偿前光路入射基板前的部分以及第二区域发生形变后的位置，确定待补偿光路和待补偿爆点位置；依据所述待补偿光路入射基板后的部分以及第二区域发生形变后的目标爆点位置，确定激光发生器的目标位置。本发明能够对基板的形变位置导致的爆点位移进行预先的补偿，以确保爆点位置的准确。
解键合激光发生器位置确定方法

[发明专利]一种激光解键合方法-CN202111036061.X在审
发明人：李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光解键合方法，该激光解键合方法用于对待解键合件进行解键合，其中该待解键合件包括第一层结构、以及通过键合层粘接的第二层结构。该激光解键合方法通过根据键合层材料的禁带宽度，先计算出激光束的本征吸收长波限；之后根据激光束的本征吸收长波限，即可确定最终激光束的波长，从而能够快速确定合适的激光波长，简化确定激光波长的难度，减少工作量，降低成本。且采用最终所确定的波长的激光束扫描键合层时，能够保证键合层的光吸收效率在较为大的区间，进而能够在较短的时间内即可将键合层加热到发生相变的状态，从而快速解除键合层与第一层结构及第二层结构的粘接，便于快速解键合，提高解键合效率。
一种激光解键合方法

[发明专利]一种激光解键合装置-CN202111035726.5在审
发明人：侯煜;张紫辰;李纪东;张昆鹏;张喆;张彪;易飞跃;杨顺凯;李曼 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光解键合装置，该激光解键合装置包括载物台，用于将待解键合件保持在其上，待解键合件包括第一层结构、以及通过键合层粘接的第二层结构。还包括吸盘和激光系统。吸盘吸附在第二层结构表面。激光系统用于产生依次透过吸盘及第二层结构后聚焦在键合层的激光束，并控制激光束的焦点在键合层扫描，以对键合层进行解键合。还包括与吸盘连接的拉伸机构，该拉伸机构用于在激光束扫描键合层的部分区域后，向上拉吸盘，以使第一层结构和第二层结构在和该部分区域重合的位置处分离。以采用边激光解键合，边拉吸盘进行分离的剥离方式，防止两个层结构之间由于熔融状态的键合材料再次冷却凝固而使两个层结构再次粘连，降低剥离难度。
一种激光解键合装置

[发明专利]一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体-CN201811590134.8有效
发明人：王然;岳嵩;刘嵩;侯煜;李曼;张喆;孙鸿雁;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体，所述方法包括选择二氧化硅作为衬底，然后依次制备第一金属层、介质层、聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶；按照预设的周期性超表面阵列结构对烘烤后的光刻胶进行曝光，预设的周期性超表面阵列结构中的超表面原胞内均匀设置有五个内包含至少一个设置有均匀分布的五个直径分别为d1至d5的圆盘，直径分别为d1至d5的圆盘与超表面原胞的Px和Py相对应；并对显影后的结构顶层喷涂金属材料形成第二金属层，以使第一金属层、介质层、第二金属层形成基于区域共振的宽带超表面完美吸收体。本发明能够有效拓展吸收波段范围，并实现宽带光学完美吸收体由三维结构向二维结构转化，提高系统的集成度。
一种完美吸收体制备方法

[发明专利]一种激光加工芯片的装置-CN201811607236.6有效
发明人：侯煜;李曼;张喆;王然;李纪东;张紫辰 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工芯片的装置，包括：工作台，用于放置待加工的制冷型红外探测芯片；控制系统，用于获取芯片放置工作台的位置信息，然后根据位置信息设置激光加工系统的加工参数，并由激光加工系统根据加工参数产生激光加工光束；激光加工系统，由激光器、扩束准直元件、振镜搭建形成，用于将激光器发射的激光加工光束经扩束准直元件进行扩束、准直，然后再通过振镜改变激光加工光束与芯片的相对位置，以使在制冷型红外探测芯片上的像元层与边缘之间形成一闭合环形沟槽。本发明能够均匀的减少像元层四周所溢出的填充胶在温度循环过时对芯片的拉扯牵引，进而能够高效均匀地消除热应力对芯片的感光层与环氧树脂层之间的位置偏移影响。
一种激光加工芯片装置

[发明专利]一种激光加工芯片的方法-CN201811607513.3有效
发明人：李纪东;侯煜;张紫辰 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工芯片的方法，包括：由激光器、光学元件搭建激光加工系统；获取制冷型红外探测芯片放置工作台的位置信息；根据位置信息设置激光加工系统的加工参数，并由激光加工系统根据加工参数产生激光加工光束；改变激光加工光束与制冷型红外探测芯片的相对位置，以使在制冷型红外探测芯片上的像元层与边缘之间形成一闭合环形沟槽。本发明能够均匀的减少像元层四周所溢出的填充胶在温度循环过时对制冷型红外探测芯片的拉扯牵引，进而能够高效均匀地消除热应力对制冷型红外探测芯片的感光层与环氧树脂层之间的位置偏移影响。
一种激光加工芯片方法