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[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201110425345.8无效
发明人：肖德元;于婷婷;董云飞;戚梦瑶;于洪波;杨世名;许继仁;程蒙召;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：衬底；依次位于衬底上的n型氮化镓层、有源层、p型氮化镓层；深度延伸至n型氮化镓层的第一开口；形成于第一开口内的第一电极；形成于所述p型氮化镓层上的电流扩散层，所述电流扩散层具有暴露出所述p型氮化镓层的第二开口；以及依次位于所述第二开口内的电流阻挡层和第二电极。本发明使电流阻挡层与其下方的p型氮化镓层直接接触，利用电流阻挡层与p型氮化镓层粘附性好的特性，提高产品的良率。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种电冰箱-CN201110407301.2无效
发明人： 张汝京;肖德元;崔迪 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： F25D27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电冰箱，包括多个LED灯条，多个LED灯条设置在电冰箱内上顶面和除门以外的三个侧面位置上；多个紫外线LED灯珠，紫外线LED灯珠设置在LED灯条上；以及多个白光LED灯珠，白光LED灯珠设置在LED灯条上，并且白光LED灯珠发出光波的波长为300nm～800nm。本发明提供的电冰箱，由于所述白光LED灯珠发出光波的波长为300nm～800nm，这种波长适合植物的光合作用，能够让果蔬在冰箱里继续进行光合作用，维持维生素与叶绿素等的合成，保持食物的天然味道；此外，同时在电冰箱内设置紫外线LED灯珠，能够通过紫外线照射，抑制电冰箱内细菌生长，减少果蔬表面的部分农药，使蔬果使用起来更加放心。
一种电冰箱

[发明专利]高压LED器件及其制造方法-CN201110305315.3无效
发明人：肖德元;张汝京;程蒙召 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型限制层、外延层和P型接触电极层；制作至少一个隔离沟槽，以在衬底上方隔离出的每个所述区域内制作N型接触电极台阶；沉积隔离介质层；通过光刻、蚀刻工艺，去除与每个隔离沟槽紧邻的部分隔离介质层，在同步曝露出部分P型接触电极层、部分N型限制层和隔离沟槽内及隔离沟槽表面上沉积金属，一次制作出N电极、P电极和用于连接相邻LED电极的互联金属层，形成互联的多个LED。本发明还提供了一种高压LED器件，以降低高压LED器件制作的成本，提高互联性能的问题。
高压 led 器件及其制造方法

[发明专利]高压氮化物LED器件及其制造方法-CN201110298596.4有效
发明人：肖德元;于洪波;于婷婷;程蒙召;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提出一种高压氮化物LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在衬底上依次形成有N型氮化物成核层和外延层；蚀刻所述外延层形成N型接触电极台阶；依次蚀刻所述N型氮化物成核层，形成LED隔离沟槽，所述LED隔离沟槽暴露出所述衬底的表面；在所述N型接触电极台阶上制作N型接触电极，在所述外延层上制作P型接触电极，形成多个LED单元芯片；对所述多个LED单元芯片进行光电性能测试，并根据所述测试结果选择性的对所述多个LED单元芯片进行激光划片，以将所述多个LED单元芯片分组切割成至少一个LED模块。本发明还提供了一种高压氮化物LED器件，以降低整体LED芯片产业成本、提高成品率。
高压氮化物 led 器件及其制造方法

[发明专利]高压LED器件及其制造方法-CN201110296263.8有效
发明人：肖德元;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成N型限制层、外延层和反射层；在衬底上制作至少一个隔离沟槽，以在衬底上方隔离出至少两个区域，在每个所述区域内制作多个均匀分布的N型通孔；在N型通孔和隔离沟槽的内表面除底部以外以及部分反射层表面上沉积绝缘层；沉积金属，以在N型通孔内形成导电栓，在暴露出的部分反射层上形成正电极导电凸块，并形成连接单个区域内的所有导电栓的负电极导电凸块，从而形成LED模块；对一个或多个上述LED模块以及功能芯片进行封装，以形成高压LED器件。本发明还提供了一种高压LED器件，解决电流密度局部拥挤效应和功率型芯片的散热问题。
高压 led 器件及其制造方法

[发明专利]一种背光模组中多层导光薄膜的制造方法-CN201110184752.4无效
发明人： 张汝京;肖德元;于洪波 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种背光模组中多层导光薄膜的制作方法，包括：提供一基体；在基体上形成第一层薄膜，对第一层薄膜进行出光点压印，形成具有导光网点的第一导光薄膜；在具有导光网点的第一导光薄膜上叠置第二层薄膜，根据第一导光薄膜上的导光网点分布结构，对第二层薄膜进行出光点压印，形成具有导光网点的第二导光薄膜；重复上述步骤，使基体上形成多层具有导光网点的导光薄膜；将形成的多层具有导光网点的导光薄膜放入背光模组。本发明提供的背光模组中多层导光薄膜的制造方法，在每层薄膜叠置后进行出光点压印，能够确保每层导光薄膜叠置后的导光网点结构分布的位置正确，从而使得每层导光薄膜导出光能量相互互补，构成均匀的面光源。
一种背光模组多层薄膜制造方法

[发明专利]高压氮化物LED电路及相应的高压氮化物LED器件-CN201110260173.3无效
发明人：于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提出一种高压氮化物LED器件，包括多个发光二极管串联成一路发光二极管，所述一路发光二极管按序连续划分成n组，每组发光二极管与一个放电二极管反向并联，其中n为自然数。由上述技术方案的实施，不仅能获得高压LED器件，提高器件的抗静电性能，同时由于放电二极管在制造过程中与发光二极管同步生成，简化了生产工艺。
高压氮化物 led 电路相应器件

[发明专利]氮化镓衬底材料制造方法-CN201110171023.5无效
发明人： 张汝京 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓衬底材料制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩模，刻蚀所述衬底，使所述衬底表面形成多个凹槽；形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底具有凹槽一侧的表面，使得所述沟槽内的缓冲层中形成有空洞；在所述缓冲层上形成氮化镓层；去除所述衬底和缓冲层。由于所述空洞的存在，从而降低了氮化镓层的位错密度，释放了氮化镓层中的应力，由此可形成缺陷较少的氮化镓层。
氮化衬底材料制造方法

[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法-CN201110209405.2有效
发明人：于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物LED结构，包括衬底以及在衬底上生长的低温成核层和非掺杂氮化物层，在所述低温成核层上生长三维生长层，在所述三维生长层与所述非掺杂氮化物层之间设置有一AlxIn1-xN材料层，所述AlxIn1-xN材料层具有粗糙表面，所述AlxIn1-xN材料层的折射率与所述非掺杂氮化物层的折射率不同，其中，0＜x＜1。本发明还提供了氮化物LED结构的制备方法。本发明提供的氮化物LED结构，由于散射作用，改变了光线的传输方向，扩展了光出射的临界角度，提高了取光效率和外量子效率。本发明提供的制备方法能够与通常采用的LED外延生长工艺兼容，在反应室中一次完成，而不需要采取另外的加工或制程工艺。
一种氮化物 led 结构及其制备方法

[发明专利]LED芯片的制造方法-CN201110172217.7无效
发明人：于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种LED芯片的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上采用金属有机化学气相淀积依次生长氮化物成核层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、多量子阱、P型氮化物层；在P型氮化物层上沉积掩膜层；蚀刻掩膜层以形成周期性图形结构窗口，所述周期性图形结构窗口内暴露出P型氮化物层；采用金属有机化学气相淀积外延的方法，在周期性图形结构窗口内、P型氮化物层表面上，形成掺杂锥形结构；去除掩膜层，形成由P型氮化物层和掺杂锥形结构构成的P型外延层。由上述技术方案的实施，提供了一种实现LED芯片的制造方法，以提高氮化物发光二极管的取光效率。
led 芯片制造方法

[发明专利]长余辉器件及其制造方法-CN201110184740.1无效
发明人： 张汝京 -专利权人： 张汝京
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备长余辉器件的方法，包括：配制稀土荧光粉；将所述稀土荧光粉设置在发光器件的出光面上。本发明还提供了长余辉器件，本发明将稀土荧光粉设置在发光器件的出光面上，使发光器件在关闭电源后依然能够持续发光，实现了发光器件不依靠电源而能进行发光的功能，具有显著的节能效果，利用稀土荧光粉对人体不会产生危害，并且可以延长发光余辉的时间，增强了发光亮度，具有环保、放射性安全、免维护等优点，大大拓宽了其应用领域和使用范围。
余辉器件及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201110172228.5无效
发明人： 张汝京;肖德元;程蒙召 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层邻近第二缓冲层的表面形成有多个凹槽，位于所述凹槽内的第二缓冲层中形成有空洞；形成于所述第二缓冲层上的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与第二导电半导体层具有相反掺杂类型。由于所述空洞的存在，可提高器件的内量子效率和外量子效率，增加了发光二极管的发光强度。
发光二极管及其制造方法

[实用新型]LED芯片结构-CN201020696013.4有效
发明人： 张汝京;肖德元;饶青 -专利权人：映瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片结构，所述LED芯片的表面呈正六边形，且其电极结构呈中心发射状，从而提高了LED芯片的出光效率，并且避免了电流集中效应。
led 芯片结构

[发明专利]一种LED封装结构及其制备方法-CN201110137894.5有效
发明人：肖德元;张汝京;程蒙召 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED封装结构，该LED封装结构采用LED器件模块结构，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本；且所述LED模块采用垂直电极结构，可直接进行正装封装，提高了LED的整体性能；同时，还公开了一种LED封装结构的制备方法，将具有垂直电极结构的LED模块与LED驱动电路以及ESD保护电路直接固定于板上芯片封装键合盘基板上，从而提高了LED的整体性能，并且由于每个LED模块包括多个LED芯片单元，且所述多个LED芯片单元通过同一衬底连接，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本。
一种 led 封装结构及其制备方法

[发明专利]一种LED封装结构及其制备方法-CN201110137892.6有效
发明人：肖德元;张汝京;程蒙召 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED封装结构，该LED封装结构采用LED器件模块结构，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本；且所述LED模块采用垂直电极结构，可直接进行正装封装，提高了LED的整体性能；同时，还公开了一种LED封装结构的制备方法，将具有垂直电极结构的LED模块与LED驱动电路以及ESD保护电路直接固定于板上芯片封装键合盘基板上，从而提高了LED的整体性能，并且由于每个LED模块包括多个LED芯片单元，且所述多个LED芯片单元通过同一衬底连接，从而不需对每个LED芯片单元进行单独划片及打引线等一系列封装工序，节省了工序，降低了制作成本。
一种 led 封装结构及其制备方法