专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种铟锡氧化物靶材的制备方法-CN201210424320.0有效
  • 甘雪萍;王科;周科朝;李志友;张斗 - 中南大学
  • 2012-10-31 - 2013-02-06 - C23C14/08
  • 本发明描述了一种铟锡氧化物靶材的制备方法。该方法以纯度大于99.99%、平均粒径0.02~2微米的铟锡氧化物粉末作为主原料,与由纯水、水溶性环氧树脂和分散剂制成的预混液进行充分球磨混合得到均匀分散、容易流动的浆料,经浇注、固化和干燥后得到高强度生坯,经脱脂,烧结后,得到In2O3单相立方结构、相对密度达到99.5%、电阻率小于0.1mΩ·cm且成分均匀的高质量ITO靶材。本发明所得的ITO靶材密度高,可实现大尺寸化和形状多样化,生坯无需进行等静压处理,生产效率和成品率可大大提高;采用的凝胶体系为无毒水溶性环氧树脂,可有效提高生产安全系数并大幅降低工业化生产对环境的污染。
  • 一种氧化物制备方法
  • [发明专利]一种高导热氮化铝陶瓷异形件的制备方法-CN201210428467.7有效
  • 甘雪萍;姜超;周科朝;李志友;张斗 - 中南大学
  • 2012-10-31 - 2013-01-30 - C04B35/581
  • 本发明公开了一种高导热氮化铝(AlN)陶瓷异形件的制备方法。该发明方法以氮化铝粉体为基本原料,以乙醇、丙醇、丁醇或其混合物等作为有机溶剂,与环氧树脂以及分散剂形成预混液,混合球磨形成浆料,真空脱气后加入固化剂搅拌均匀,然后经过浇注成型、固化、脱模、干燥等工艺流程,形成具有较大强度的异形陶瓷生坯;然后脱脂,烧结致密化,形成相对密度大于97%、热导率大于160W/m·K、抗弯强度大于300Mpa的氮化铝陶瓷异形零部件。本发明方法具有工艺简单,生产成本较低,产品性能较好等优点,可以制备出具有高导热性的各种复杂形状的氮化铝陶瓷件。
  • 一种导热氮化陶瓷异形制备方法
  • [发明专利]一种多孔羟基磷灰石生物陶瓷及其制备方法-CN201210058017.3无效
  • 周科朝;黄智;张斗;李志友;张妍;陈良建 - 中南大学
  • 2012-03-07 - 2012-08-22 - A61L27/56
  • 本发明公开了一种多孔羟基磷灰石生物陶瓷及其制备方法。本发明的多孔羟基磷灰石生物陶瓷具有适宜于骨组织生长的孔径大小及分布、孔隙率、孔的贯通状况及孔的表面形态,不仅具有可容纳新骨长入的大孔并且孔壁具有丰富层片状多孔,从而具有传导成骨的作用。本发明的制备方法通过在模具中事先布置好高分子纤维的取向、直径和分布密度,利用定向温场对水基羟基磷灰石浆料进行冷冻凝固,使羟基磷灰石粉体颗粒在定向生长冰晶的推挤排斥下进行聚集重排,将所得冰坯经冷冻干燥使冰晶升华后烧结,可实现对多孔微观结构的精细调控,并且用本发明制备的多孔羟基磷灰石具有高孔隙贯通率和高孔隙率,适宜于骨组织的生长。
  • 一种多孔羟基磷灰石生物陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]叉指状电极-CN201010187088.4无效
  • 周科朝;张斗;张晓泳;林秀娟;危安 - 中南大学
  • 2010-05-31 - 2010-10-20 - H01L41/047
  • 本发明公开了一种叉指状电极,包括柔性基板和电极材料,电极材料制备在柔性基板中,电极材料包含正极和负极,并且正极指部和负极指部交错排列,所述电极材料由至少两个正极纵向排列而成。可实现对压电材料的纵向连续控制或者接收其变形信号,大大提高应用压电材料的精度。此外,本发明还具有结构简单,制作成本低廉,环保节能和使用方便的有益效果。
  • 叉指状电极
  • [发明专利]叉指状电极-CN201010187081.2无效
  • 张斗;林秀娟;周科朝;张晓泳;危安 - 中南大学
  • 2010-05-31 - 2010-10-13 - H01L41/047
  • 本发明公开了一种叉指状电极,包括柔性基板和电极,电极制备在柔性基板上,电极包含正极和负极,并且正极指部和负极指部交错排列,所述电极的横向由两个正极和一个负极排列而成,负极设置在两个正极中间。可在横向提高对压电材料控制的连续性或者接收其变形信号的连续性,提高了应用压电材料的精度。此外,本发明还具有结构简单,制作成本低廉,环保节能和使用方便的有益效果。
  • 叉指状电极
  • [发明专利]压电复合材料-CN200780052548.9无效
  • 张斗;卡尔·梅格斯;蒂莫西·威廉·布顿;杰弗瑞·多尔曼 - 伯明翰大学
  • 2007-03-05 - 2010-03-31 - H01L41/22
  • 本发明提供一种生产包含压电纤维阵列的复合材料的方法,该方法包括:(a)提供:(a1)多个包含压电材料或压电材料前体和第一载体的第一条状物,和(a2)多个包含可分解材料和第二载体的第二条状物;(b)将所述多个所述第一和第二条状物交替放置在彼此之上以形成堆,其中至少部分所述第一条状物通过第二条状物与相邻的第一条状物分开;(c)加热步骤,其包括加热所述堆以除去所述第一和第二载体和所述可分解材料;(d)用填充材料浸渍所述堆以形成压电条状物的复合材料堆;和(e)切割所述堆以形成含压电纤维阵列的复合材料。在一个替代方法中,切割(e)在加热步骤(c)之前进行。该方法允许生产平均纤维间隔为5μm或更小的纤维阵列。
  • 压电复合材料
  • [发明专利]空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法-CN02147765.5无效
  • 陈文;徐庆;周静;张斗;张健;朱泉峣;麦立强 - 武汉理工大学
  • 2002-11-29 - 2003-04-23 - C04B35/515
  • 一种空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法。其材料组成为Bi2Te3、Sb2Te3、Sb2Se3、Te。将上述组成的各种成份按设定的比例混合后,采用陶瓷加工技术制备半导体陶瓷制冷材料。性能测试结果证明可制备出与单晶半导体制冷材料性能相当的半导体陶瓷制冷材料,其主要指标达到P型半导体陶瓷性能水平。塞贝克系数220μV/K,电导率96Ω-1·cm-1,热导率13.3mW/cm·K,优值系数3.50×10-3K-1。本发明制法简单,制造成本较低,可应用在科学研究、军事、工业生产、日常生活等众多领域,特别是在大规模集成线路、光敏器件、功率元件、高频晶体管、电子仪器等元件和设备的冷却方面具有较广泛的实用性。
  • 空穴传导半导体陶瓷制冷材料及其制备方法
  • [发明专利]电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法-CN02147766.3无效
  • 陈文;徐庆;周静;张斗;张健;朱泉峣;麦立强 - 武汉理工大学
  • 2002-11-29 - 2003-04-23 - C04B35/515
  • 一种电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法。其材料组成为Bi2Te3、Sb2Te3、Sb2Se3、SbI3。将上述组成的各种成份按设定的比例混合后,采用陶瓷加工技术制备半导体陶瓷制冷材料。性能测试结果证明可制备出与单晶半导体制冷材料性能相当的电子传导型(N型)半导体陶瓷制冷材料,其主要性能达到N型半导体陶瓷标准塞贝克系数225μV/K,电导率910Ω-1·cm-1,热导率14.0mW/cm·K,优值系数3.30×10-3K-1。本发明制法简单,制造成本较低,可应用在科学研究、军事、工业生产、日常生活等众多领域,特别是在大规模集成线路、光敏器件、功率元件、高频晶体管、电子仪器等元件和设备的冷却方面具有较广泛的实用性。
  • 电子传导半导体陶瓷制冷材料及其制备方法

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