专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于光电器件的存储池运算方法和电子设备-CN202310263706.6在审
  • 尚大山;江南佳;李熠;张握瑜;方仁瑞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-03-10 - 2023-09-05 - G06N3/067
  • 本申请公开一种基于光电器件的存储池运算方法和电子设备,涉及机器学习及人工智能领域,应用于光学器件中所搭载的自适应延时存储网络中,自适应延时存储网络包括神经网络单元和水平调制网络单元;水平调制网络单元包括依次连接的光电流输入层模块、第一全连接层模块、第二全连接层模块和调制栅压输出层模块,光电流输入层模块接收存储池层模块以响应电流形式输出的虚拟节点状态;第一全连接层模块和第二全连接层模块对多个响应电流进行数据处理,确定多个响应电流对应的电流特征向量信息;调制栅压输出层模块将多个响应电流信息由映射函数转换为调制栅压值,并将调制栅压值传输至存储池层模块,在对应的调制栅压值下得到目标光电响应输出信息。
  • 一种基于光电器件存储运算方法电子设备
  • [发明专利]一种基于忆阻器的存内计算阵列结构-CN202210813007.X有效
  • 尚大山;李熠;张握瑜;陈佳;许晓欣;窦春萌;王中锐 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-07-11 - 2023-05-16 - G11C13/00
  • 本发明公开一种基于忆阻器的存内计算阵列结构,涉及集成电路领域。基于忆阻器的存内计算阵列单元包含由两个串联的互补忆阻器以及一个用于电压放大的反相器、一个用于忆阻器权重编程晶体管形成3T2R结构。多个存内计算阵列单元串联组成的阵列列结构、多个存内计算阵列单元并排放置形成的阵列行结构,以及在每行阵列行结构的连接处对应设置的输出反相器,将存内计算阵列单元中的不同阻值状态的忆阻器两两串联形成电阻分压电路实现二值权重,并且通过输出反相器实现二值神经网络中的归一化和激活函数功能,避免通用数字处理器和模数转换器的使用,高效实现二值神经网络向前传播的过程,为算力有限的边缘场景下硬件高效实现二值神经网络模型提供可能。
  • 一种基于忆阻器计算阵列结构
  • [发明专利]多并行度优化方法、装置、识别方法和电子设备-CN202110662206.0有效
  • 尚大山;李熠;张握瑜 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-06-15 - 2023-05-16 - G06F30/27
  • 本发明公开多并行度优化方法、装置、识别方法和电子设备,涉及机器学习及人工智能领域。多并行度优化方法,运行神经网络模型的神经网络处理设备,所述神经网络处理设备具有存算一体芯片,所述方法包括:获取多并行度下所述存算一体芯片的等效电导参数;基于所述等效电导参数确定权重矩阵;基于所述权重矩阵对所述神经网络模型进行训练,确定目标权重;基于所述目标权重调整存算一体芯片的参数。方法应用于多并行度优化装置。本发明提供的方法可以使得该存算一体芯片的器件准确度得以提高,避免了器件的非理想特性导致的误差累积,可以提高器件的识别准确率。
  • 并行优化方法装置识别电子设备
  • [发明专利]一种图小样本学习的存内计算方法、装置和电子设备-CN202210681923.2在审
  • 尚大山;张握瑜;王少聪;李熠 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-06-15 - 2022-09-09 - G06N3/063
  • 本发明公开一种图小样本学习的存内计算方法、装置和电子设备,涉及机器学习及人工智能领域,开发记忆增强图网络模型实现图小样本学习功能,并采用存内计算架构进行硬件实现。方法包括:将编码器的参数进行初始化处理,将图数据集分为训练集和测试集;在训练集中随机选取一个预设类别和预设数量的支持集,将支持集输入至控制器和编码器获得第一二值特征向量;将第一二值特征向量和第一二值特征向量对应的标签存储至外部记忆单元中;在训练集中随机选取一个预设类别和预设数量的查询集,将查询集输入至控制器和编码器获得第二二值特征向量;基于第一二值特征向量和第二二值特征向量确定样本的预测类别,可以快速确定样本类别。
  • 一种样本学习计算方法装置电子设备
  • [发明专利]一种铁电隧道结器件及其制造方法-CN202111258023.9在审
  • 许晓欣;余杰;高兆猛;孙文绚;张握瑜;李熠;尚大山 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-10-27 - 2022-01-28 - H01L45/00
  • 本申请实施例提供了一种铁电隧道结器件及其制造方法,铁电隧道结器件包括依次层叠的第一电极、介质层、铁电层和第二电极,其中铁电层的厚度小于5纳米,铁电层厚度较薄,首先能够为器件提供较大的隧穿电流,其次较薄的铁电层能够增大铁电隧道结器件中的退极化场强度,加速退极化,降低数据保持能力,得到易失性的数据存储器件。该易失性的铁电隧道结器件可以应用于储备池计算网络系统,利用铁电隧道结器件在运行过程中采集出的多个极化电流作为储备池计算网络系统的虚拟节点,可以将数据并行输入该多个虚拟节点,即基于铁电隧道结器件的储备池计算网络系统可以并行处理数据,高效的进行神经网络模型的计算,满足神经网络模型进行高效训练的需求。
  • 一种隧道器件及其制造方法

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