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[发明专利]电子装置和其制造方法-CN202080003249.1在审
发明人： 张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种电子装置和其制造方法。所述电子装置包括：衬底、晶体管和掺杂阱。所述衬底，其具有第一区域以及不同于所述第一区域的第二区域。所述晶体管安置在所述衬底的所述第一区域上。所述晶体管包括：第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；以及第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。述掺杂阱位于所述第二区域中。
电子装置制造方法

[发明专利]一种防止空心螺柱焊熔池内涌的装置及方法-CN202011362157.0在审
发明人：张德库;王以珅;王克鸿;张安邦;王嘉伟;周琦 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： B23K9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止空心螺柱焊接熔池内涌的装置，该装置包括焊枪单元、焊枪气爪、红外信号接收器、空心螺柱、红外信号接收器探头、输气管、无极电磁气阀、储气罐、计算机、A/D信号转换器、螺柱焊机、焊接机器人、焊枪整体、工作台、输气装置。其中，红外信号接收器水平放置于工作台上，将接受到的红外信号传输至计算机，计算机将处理过的信号输入A/D信号转换器，通过转换分别发出信号至输气装置与螺柱焊机，随后焊接机器人带动焊枪整体开始进行焊接，输气装置通过计算机发出的信号实时调整气阀的通气量。本发明可以有效解决空心螺柱焊熔池内涌的问题。
一种防止空心螺柱焊熔池装置方法

[实用新型]用于高速公路收费站的警示装置及车道安全警示系统-CN202021436385.3有效
发明人：张利;张亮;钟凡;赖仁辉;李庆;张安邦;郭林昆;黄民;赵天源;黄镇平;王启铅;刘绍民;邱德聪;李鹏强 -专利权人：广东省南粤交通龙怀高速公路管理中心
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G08G1/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高速公路收费站的警示装置及车道安全警示系统，属于高速公路智能交通安全技术领域。该用于高速公路收费站的警示装置，其中，该警示装置设置在该高速公路收费站中的至少一个收费岛上，该至少一个收费岛中的每一个收费岛的两侧为行车道，该警示装置包括箱体和设置在该箱体上的至少一个警示组件，该至少一个警示组件中的每一个警示组件包括信号灯、扬声器、显示模组以及控制模块，该控制模块分别与该信号灯、扬声器和显示模组电连接。本实用新型提供的用于高速公路收费站的警示装置及车道安全警示系统可以沿各高速收费站广场安全行走路线布设安装，减小了收费站工作人员的安全风险。
用于高速公路收费站警示装置车道安全系统

[发明专利]一种高机动抗倾覆车载平台系统-CN202011340126.5在审
发明人：卢辰;盛成;陈威;朱艮村;张安邦;许笑;王朝海;田梦 -专利权人：安徽博微长安电子有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01Q1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高机动抗倾覆车载平台系统，包括车载平台、位于车载平台左右两侧固定设置的四个主腿、以及在车载平台前后两侧设置的四个活动支腿，所述四个主腿用于通过4点自动调平算法使车载平台保持水平状态，所述四个活动支腿用于拓展车载平台的支撑范围，各包括铰接在所述车载平台的支臂、在支臂末端固定设置的辅腿、以及驱动支臂展开并且在展开位置对其位置锁定的自锁油缸，其中，所述四个辅腿用于车载平台的抗倾覆支撑。本车载平台系统在架设时，在主腿调平的同时,支臂同时展开,节约了架设时间,实现快速架设与撤收，同时本车载平台抗倾覆的能力提高,尤其适用于架设高度超过18米的大型平面阵列天线。
一种机动倾覆车载平台系统

[发明专利]一种Nano-Fin栅结构的混合阳极二极管-CN201710749529.7有效
发明人：周琦;胡凯;张安邦;朱厉阳;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种Nano‑Fin栅结构的混合阳极二极管。本发明中栅极为Nano‑Fin状的结构，通过等间距或不等间距的方式刻蚀势垒层为插指状，实现栅槽下方和栅槽之间异质结内二维电子气浓度可调制的一种新技术。本发明的有益效果：实现了栅下二维电子气部分耗尽进而实现增强型沟道的目的，本发明所述方法二维电子气调控精度更高、器件性能更稳定，能够避免因为流片过程中诸如退火、栅介质生长工艺等高温过程对注入离子分布的影响；本发明所述二极管的开启电压、导通电阻、反向漏电等器件特性可通过改变FIN状结构的条数和FIN状结构的宽度来调节。
一种 nano fin 结构混合阳极二极管

[发明专利]基于多源视频监控的工业场所不安全行为智能识别方法-CN201910732960.X在审
发明人：程方明;邓军;白磊;赵志岩;王伟峰;张安邦;南凡;何春旭;常助川 -专利权人：西安科技大学;北京利络科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G08B21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多源视频监控的工业场所不安全行为智能识别方法，包括以下步骤：S1、通过控制终端输入控制信号，并通过无线通信将控制信号发送至监测终端；S2、监测终端根据控制信号进行初始化；S3、监测终端采集监测信息，并将监测信息通过无线通信发送至控制终端；S4、控制终端根据监测信息判定是否存在不安全行为；S5、当控制终端判定监测信息中存在不安全行为后，通过警告终端进行警告提示。本发明通过图像识别和图像比对的结合，能够方便快速的识别处工业场所的不安全行为，同时通过对不安全行为的分级警告，有效的起到警告提示作用。
基于视频监控工业场所不安全行为智能识别方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN202011265890.0在审
发明人： 张安邦;李浩;郑浩宁;陈亮 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓半导体器件及其制备方法，氮化镓半导体器件包括氮化镓外延片及其上方的源极、栅极、漏极，还包括依次形成在氮化镓外延片上的第一介质层、欧姆金属层、第二介质层、第三介质层和栅极金属接触部；欧姆金属层包括源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部，源极依次穿过第三介质层和第二介质层后与源极欧姆接触部连接，漏极依次穿过第三介质层和第二介质层后与漏极欧姆接触部连接，栅极与栅极金属接触部连接；氮化镓外延片包括势垒层和帽层，源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部均向下延伸至势垒层，栅极金属接触部向下延伸至帽层。该氮化镓半导体器件在栅极金属刻蚀过程中欧姆金属能够得到额外保护，从而降低栅极金属刻蚀工艺难度。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种治疗阴虚风动证型中风病的中药组合物及其制备方法-CN202010936405.1在审
发明人：孙秀颀;张安邦;吴远华 -专利权人：贵州中医药大学第一附属医院
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： A61K36/8988 文献下载
摘要：本发明公开了一种治疗阴虚风动证型中风病的中药组合物及其制备方法，中药组合物的原料按重量份数计包括：天麻15‑30份、钩藤15‑30份、龟甲10‑12份、玄参10‑20份、水牛角粉3‑4份、当归10‑20份、川芎10‑20份、地龙10‑15份、红花10‑15份、菊花10‑20份、石菖蒲10‑20份、竹节参5‑10份。本发明的中药组合物能够显著抑制血小板聚集，同时还具有镇静、镇痛、调节血压、改善脑循环、增强免疫力以及可提高患者运动功能及生活质量等作用，从而达到治疗阴虚风动型中风病的效果，其起效快，疗效显著，副作用小，对人体几乎没有损伤。
一种治疗阴虚风动中风中药组合及其制备方法

[发明专利]治疗气虚血瘀型脑梗死的中药组合物及其制备方法和应用-CN202010936446.0在审
发明人： 张安邦;孙秀颀;吴远华 -专利权人：贵州中医药大学第一附属医院
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： A61K36/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种治疗气虚血瘀型脑梗死的中药组合物及其制备方法和应用，该中药组合物按照重量份计算，由以下中药原材料制成：红景天10‑15份、蓝布正10‑15份、丹参20‑25份、红花10‑15份、水蛭3‑6份、地龙15‑20份、降香5‑10份、刺五加15‑20份。本发明将红景天和蓝布正二药合用，起到益气活血通络的功效，选用的中药原料及用量对人体的损伤极小，能够显著改善大脑血供，营养大脑，恢复大脑功能，同时还具有抗缺氧、抗氧化、抗衰老、改善脑循环、修复损伤脑组织以及提高患者运动功能和生活质量等作用，从而达到治疗气虚血瘀型脑梗死的目的。
治疗气虚血瘀型脑梗死中药组合及其制备方法应用

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202080001507.2在审
发明人： 张安邦;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，其处于所述衬底上；第二氮化物半导体层，其处于所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；III‑V族介电层，其安置于所述第二氮化物半导体层上；栅电极，其安置于所述第二氮化物半导体层上；和第一钝化层，其安置于所述III‑V族介电层上，其中所述III‑V族介电层通过所述第一钝化层与所述栅电极间隔开。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和其制作方法-CN202080001773.5在审
发明人：李浩;张安邦;王剑;郑浩宁 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含III族氮化物层、栅极、连接结构和栅极总线。所述栅极安置在所述III族氮化物层之上。所述连接结构安置在所述栅极之上。所述栅极总线基本上平行于所述栅极延伸并且从俯视图角度看安置在所述连接结构之上。所述栅极总线通过所述连接结构电连接到所述栅极。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080001239.4在审
发明人：姚卫刚;张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包含：衬底，其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；第一氮化物半导体层，其安置于所述衬底的所述第一侧上；第二氮化物半导体层，其处于所述第一氮化物半导体层上及具有比所述第一氮化物半导体层的带隙大的带隙；第一电极，其安置于所述第二氮化物半导体层上；第二电极，其安置于所述第二氮化物半导体层上；第一半导体结构，其邻近于所述衬底的所述第二侧形成；及第二半导体结构，其邻近于所述衬底的所述第二侧形成；并且其中所述第一半导体结构及所述第二半导体结构彼此相邻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和其制作方法-CN202080001442.1在审
发明人：李浩;张安邦;王剑;郑浩宁 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含第一III族氮化物层、第二III族氮化物层、第一接触层、第二接触层、结构以及栅极层。所述第二III族氮化物层与所述第一III族氮化物层直接接触。所述第一接触层和所述第二接触层安置在所述第二III族氮化物层之上。所述结构邻近所述第一III族氮化物层和所述第二III族氮化物层的界面，并且所述结构的材料与所述第一III族氮化物层的材料或所述第二III族氮化物层的材料不同。所述栅极层安置在所述第一接触层与所述第二接触层之间。
半导体装置制作方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001199.3在审
发明人： 张安邦;黄敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维空穴气体(2DHG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第一半导体材料层且接触2DHG。
具有通道结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多通道异质结构的半导体器件及其制造方法-CN202080001207.4在审
发明人： 张安邦;黃敬源;李浩;郑浩宁;王剑 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：半导体异质结构层和导电结构。半导体异质结构(heterostructure)层，其包含交替的第一半导体材料层及第二半导体材料层，其中每一相邻的第一半导体材料层与第二半导体材料层之间可产生二维空穴气体(2DHG)。导电结构，包含复数个导电指自半导体异质结构层的表面延伸进入所述半导体异质结构层，其中复数个导电指沿着大体上与表面平行的第一方向上排列，且复数个导电指的长度沿着第一方向递增，使得每一导电指的端部分别位于不同深度的第二半导体材料层且不接触2DHG。
具有通道结构半导体器件及其制造方法

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