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[发明专利]梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法-CN202310774784.2在审
发明人：张跃;曾浩然;张铮;柳柏杉;于慧慧;张先坤;卫孝福;高丽 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，一维半导体纳米柱阵列设置于半导体基底上表面图案化区域，绝缘层设置在半导体基底上表面远离源电极的另一侧以及一维半导体纳米柱阵列的间隙位置，二维层状材料置于一维半导体纳米柱阵列和绝缘层上，石墨烯层置于二维层状材料上，漏电极设置在所述石墨烯层上方。本发明具有一定的普适性，不仅局限于使用的几种材料，凡是可以构筑出类似结构的材料均可由此方法进行研究，拓宽了材料应变工程的研究范围。
梯度应变调控范德华异质结型光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法-CN202310008003.9有效
发明人：张跃;刘一禾;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;李瑞山;姜鹤 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。
一种有机溶液辅助晶圆级过渡金属硫化物生长方法

[发明专利]一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法-CN202310174874.8在审
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;洪孟羽;陈匡磊;尚金森;都娴;罗雨欣 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供一种二维可重构晶体管及其制备方法、调控方法，包括绝缘衬底、源极、底栅电极、底栅介电层、二维半导体层、顶栅介电层、漏极和顶栅电极；其中，源极和底栅电极位于绝缘衬底上方，底栅介电层覆盖底栅电极，二维半导体层位于所述底栅介电层上方并与所述源极接触，顶栅介电层覆盖所述二维半导体层，漏极与所述二维半导体层接触，顶栅电极位于所述顶栅介电层上方且不与漏极接触。本发明垂直双栅极电压调控的二维可重构晶体管应用于未来集成电路时，同等算力条件下，可以节省大量的晶体管，减少集成电路占用面积，降低集成电路成本和整体的能耗，满足未来人工智能、物联网等应用的发展需求。
一种二维可重构晶体管及其制备方法调控

[发明专利]一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法-CN202310174922.3在审
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;洪孟羽;都娴 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维同质结型逻辑反相器及其制备方法，包括：绝缘衬底、第一电极组、介电层、二维半导体层和第二电极组；基于二维半导体层、介电层、第一电极组形成所述悬空沟道区域，其中，悬空沟道区域用于抑制静态电流；第一电极组包括：输出电极和输入电极，介电层包括：第一介电层和第二介电层，第二电极组包括：驱动电极和接地电极。本发明制备的同质结型逻辑反相器制备方法简便可行，具有普适性，能够有效抑制了逻辑反相器运行时静态电流的上升，从而降低功耗，并且能够提高逻辑反相器的工作寿命和服役稳定性。
一种二维同质逻辑反相器及其制备方法

[发明专利]一种静电自掺杂二极管及其制备方法-CN202210429697.9有效
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;汤文辉;洪孟羽;都娴 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电自掺杂二极管及其制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述静电自掺杂二极管的结构包括：依次堆叠的绝缘衬底、漏极、介电层、二维半导体层和源极，其中，二维半导体层需要与漏极接触。本发明制备的静电自掺杂二极管具有服役稳定性好、普适性好等优异性能，同时，加工工艺简单。本发明提供的制备方法旨在避免化学掺杂，物理掺杂，缺陷调控等手段带来的材料极性不稳定的问题，提出一种简便可行，无损可逆的二极管构筑新途径。
一种静电掺杂二极管及其制备方法

[发明专利]基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统-CN202210494290.4有效
发明人：张跃;王玉南;张铮;张先坤;于慧慧;陈匡磊;黄银洁;张彦哲;曹志宏;何晓宇;赵航 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与所述信号采集模块连接，所述图像处理模块，分别与所述图像移动模块和所述信号采集模块连接。本发明通过设定像素块大小和控制图像移动，实现范德华光电探测器的成像功能，在重复多次的测试过程中，有限评估范德华光电探测器在实际应用时的稳定性和可重复性。
基于范德华光电探测器像素图像识别系统

[发明专利]基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法-CN202110394727.2有效
发明人：张跃;于慧慧;张铮;高丽;张先坤;洪孟羽;曾浩然;柳柏杉;肖建坤;汤文辉;李瑞山 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管及其构筑方法，属于半导体材料技术领域，本发明基于碲纳米片的二维范德华双极型晶体管(BJTs)，包括不同厚度的二维p型碲纳米片、二维n型半导体材料、电极及目标衬底，利用水热法合成的不同厚度的碲纳米片以及二维n型半导体纳米片，通过改变集电极与发射极碲纳米片的厚度来调控载流子浓度差，改变基极二维n型半导体的厚度来调控载流子的隧穿势垒，借助于PPC辅助转移实现三层材料的垂直无损堆垛，设计p型半导体与高功函数金属接触，n型半导体与低功函数金属接触来减小金属与材料之间的肖特基势垒，进而实现BJTs性能的有效调控，实现良好的电流放大功能。
基于纳米二维范德华双极型晶体管及其构筑方法

[发明专利]一种基于静电掺杂的新型二维半导体材料晶闸管-CN202210747152.2在审
发明人：史书怀;杜君莉;夏大伟;王朝华;赵永峰;张朝峰;丁国君;张先坤;何晓宇;李珍平;曹桂州 -专利权人：国网河南省电力公司电力科学研究院
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于静电掺杂的新型二维半导体材料晶闸管，所述晶闸管包括金属电极层、二维半导体层、结区层、绝缘介质层、SiO2基底层和底电极层；底电极层位于晶闸管的最下层，SiO2基底层完全覆盖在底电极层的上方，SiO2基底层的上方分别被结区层、绝缘介质层和金属电极层覆盖，绝缘介质层上方完全被二维半导体层覆盖，二维半导体层上方完全被金属电极层覆盖，通过向底电极层施加偏置电压来对所述晶闸管进行静电掺杂。本发明采用了通过在晶闸管底电极施加不同类型的偏置电压的静电掺杂机制，有助于二维半导体的晶闸管结构的设计和优化，扩展了晶闸管在新型半导体材料中的应用。
一种基于静电掺杂新型二维半导体材料晶闸管

[发明专利]一种碲纳米片厚度减薄的方法-CN202110661178.0有效
发明人：张跃;于慧慧;张铮;曾浩然;张先坤;高丽;洪孟羽;汤文辉;李瑞山;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法，属于纳米材料技术领域，所述方法包括以下步骤：将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中，取出干燥，即得所述厚度减薄的碲纳米片；本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应，对碲纳米片进行减薄，可实现碲纳米片厚度的精确调控；采用本发明的方法制备得到薄层碲纳米片，可充分发挥p型碲纳米片的优势，满足不同器件对材料性能的要求，可利用电子束曝光及真空蒸发电极材料的方式构筑基于碲纳米片的电子及光电器件，与传统半导体加工工艺兼容性良好；本发明可实现碲纳米片厚度、载流子浓度及场效应开关比的多重调控，对发展性能稳定，满足多场景需求的二维p型半导体材料提供了支持。
一种纳米厚度方法

[发明专利]一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器的构筑方法-CN202210042071.2有效
发明人：张跃;汤文辉;张铮;于慧慧;高丽;张先坤;洪孟羽;曾浩然;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用，涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底；少层石墨烯完全覆盖目标衬底表面，α‑硒化铟纳米片部分覆盖少层石墨烯表面，少层六方氮化硼或氧化铪完全覆盖α‑硒化铟纳米片表面；金属电极为两个，分别沉积于少层六方氮化硼或氧化铪表面和少层石墨烯表面。本发明发挥二维铁电材料优势，通过简单、普适性强的方法构筑得到稳定性良好，能实现高阻值转变的存储器，对非易失性存储器领域具有重要意义。
一种基于硒化铟纳米二维范德华铁电隧穿结存构筑方法

[发明专利]一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构-CN202210107442.0有效
发明人：张跃;张先坤;张铮;于慧慧;黄梦婷;汤文辉;高丽;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。
一种基于二维金属电极金属半导体接触结构

[发明专利]一种二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器及其制备方法-CN202210177350.X在审
发明人：张跃;于慧慧;张铮;张先坤;王玉南;曹志宏;高丽;洪孟羽;汤文辉;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述PN结型自驱动光电探测器包括：二维P型半导体层碲，漏极，二维N型半导体层过渡金属硫化物，源极，绝缘衬底；其中二维P型半导体层碲位于绝缘衬底一侧的上端，漏极位于二维P型半导体层碲的上端且与所述二维N型半导体层过渡金属硫化物不相连，二维N型半导体层过渡金属硫化物位于二维P型半导体层碲的上方并向绝缘衬底的另一侧上端延伸，源极位于二维N型半导体层过渡金属硫化物与绝缘衬底直接接触部分的上端。制备的二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器的响应时间短，灵敏度高，暗电流小。
一种二维过渡金属硫化物 pn 驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法-CN202010053717.8有效
发明人：张跃;杜君莉;张铮;柳柏杉;高丽;于慧慧;温嘉玲;汤文辉;张先坤;洪孟雨;肖建坤 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p‑n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。
一种二维水平同质驱动逻辑光电开关及其制备方法

[发明专利]一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法-CN202110465733.2有效
发明人：张跃;于慧慧;张铮;张先坤;高丽;洪孟羽;柳柏杉;肖建坤;汤文辉;李瑞山 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及紫外光电探测器技术领域，具体涉及一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法；所述栅压可调的氧化锌紫外光电探测器包括设置在底层的绝缘硅衬底，设置在绝缘硅衬底上的二维氧化锌纳米片层以及设置在二维氧化锌纳米片层上的电极层；所述电极层为互不相交的两个金属电极，两个金属电极的间隔位置形成氧化锌沟道。进一步地，所述二维氧化锌纳米片层和每个金属电极之间还设置有二维材料层，所述二维材料具有金属性或半金属性。本发明通过利用离子层外延法合成了超薄氧化锌纳米片，设计了一种可通过外界电场调控光电探测器性能的超薄氧化锌紫外光电探测器。
一种可调氧化锌紫外光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种医学防护手套-CN202120657874.X有效
发明人：金光;白雪;张先坤 -专利权人：延边大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： A61B42/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医学防护手套，属于医学防护技术领域。一种医学防护手套，包括手套主体，手套主体前端上表面设有转动杆，转动杆上呈前后对称结构转动连接有两个连接块，转动杆中部开设有通槽，通槽内部固设有束紧带，转动杆前端外壁套接有棘轮，位于前端的连接块前壁上端固设有转杆，转杆中部外壁套设有扭簧，转杆前端转动连接有棘爪，转动杆后端设有气泵。本实用新型通过卡头与卡槽的卡接对拨杆进行固定，控制圆杆与圆孔的滑动，对进气及排气进行调节，方便了手套主体内的空气流通，充气膨胀后方便摘下手套，医学手套对手心出汗进行通风处理，减少了手心的汗液防止了手套滑动，摘取更加方便快捷，提高了使用效果。
一种医学防护手套

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