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[发明专利]铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用-CN202111396220.7有效
发明人：陶涛;郑凯文;张东祺;智婷;谢自力;刘斌 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/01 文献下载
摘要：本发明公开了铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用，具体为在蓝宝石衬底上生长铁薄膜，在铁薄膜上生长金刚石多晶薄膜，采用机械剥离的方式将金刚石多晶薄膜从蓝宝石衬底上剥离。可以使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上剥离。本发明利用铁薄膜来辅助剥离金刚石多晶衬底，生长过程中金属铁具有好的延展性，可以缓解蓝宝石与金刚石之间由晶格失配带来的应力，减少样品碎裂的概率。且铁金属层、金刚石层、蓝宝石之间的热膨胀系数差距较大，结合力较弱，便于采用机械剥离的方法实现金刚石多晶薄膜与蓝宝石衬底的分离，从而使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上完整剥离。
薄膜辅助剥离金刚石多晶中的应用

[发明专利]制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法-CN202210651918.7在审
发明人：刘斌;张东祺;陶涛;邵鹏飞;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法，在常规衬底上生长n型GaN纳米柱及n型AlGaN纳米柱，再生长非掺“AlGaN阱‑AlGaN垒”量子阱结构，最后生长p型AlGaN纳米柱。通过优化获得高质量的n型掺杂GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长n型掺杂AlGaN纳米柱，非掺AlGaN量子阱结构作为载流子复合有源区，最后再次生长p型掺杂AlGaN纳米柱。本发明在生长量子阱结构之前生长一段时间AlGaN纳米柱，在AlGaN纳米柱上外延量子阱结构，从而获得高质量的AlGaN量子阱。避免直接在GaN纳米柱外延AlGaN量子阱，可减少由于GaN/AlGaN之间应力导致的发光质量下降问题。
制备发光效率 algan 纳米 led 结构方法

[发明专利]在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法-CN202111548864.3在审
发明人：陶涛;张东祺;胡文晓;叶煜聪;陈凯;智婷;刘斌;谢自力;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法，在常规衬底上生长GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长多晶金刚石薄膜，除去常规衬底，以多晶金刚石薄膜为衬底，以多晶金刚石薄膜上的GaN纳米柱为成核层，在其上生长GaN薄膜。本发明利用了基于金刚石衬底的GaN纳米柱形成成核层，以生长后的金刚石薄膜作为衬底，去除硅后，金刚石薄膜上集成了GaN纳米柱，以GaN纳米柱作为中间层生长GaN薄膜，由于GaN纳米柱能够极大的缓解GaN和金刚石衬底之间的晶格失配产生的应力，可以避免金刚石衬底直接外延GaN薄膜的应力和晶格取向问题，有利于金刚石薄膜的均匀性，提高形核密度。从而获得高质量的GaN薄膜。
金刚石衬底制备 gan 薄膜方法