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[发明专利]通孔刻蚀方法及通孔区内钝化层去除方法-CN200710042144.3有效
发明人：刘乒;尹晓明;马擎天;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺次沉积钝化层及介质层；在所述介质层上形成具有通孔图形的抗蚀剂层；以所述具有通孔图形的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述介质层；以所述具有通孔图形的抗蚀剂层或已刻蚀的所述介质层为掩膜，采用含氟无碳气体刻蚀所述钝化层，以形成通孔。一种去除通孔区内钝化层的方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺次沉积钝化层及具有接触窗的介质层，所述接触窗用以定义通孔区；采用含氟无碳气体刻蚀所述通孔区内所述钝化层。通过选用含氟无碳气体作为刻蚀气体，可减少在去除通孔刻蚀过程中聚合物或残留物的产生。
刻蚀方法区内钝化去除

[发明专利]CMOS器件钝化层形成方法-CN200710042153.2有效
发明人：张海洋;韩秋华;韩宝东;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件钝化层形成方法，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包含至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；形成第一应力膜层，并形成第一应力体；去除覆盖第二晶体管的第一应力膜层；形成第二应力膜层，并形成第二应力体；形成覆盖所述第二应力体，并填充所述第二应力体和已覆盖第二应力膜层的第一应力体间的间隔区域，且所述牺牲层表面与覆盖第二应力膜层后的第一应力体上表面平齐的牺牲层；形成图形化的抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层为掩膜，去除部分牺牲层和第二应力膜层；去除所述抗蚀剂层；以所述第一应力膜层为刻蚀停止层，去除牺牲层和部分第二应力膜层。可使具有不同应力类型的钝化层间交界处的平滑度满足工艺要求。
cmos 器件钝化形成方法

[发明专利]栅极结构及其制造方法-CN200710042148.1无效
发明人：张海洋;刘乒;张世谋;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极结构制造方法，包括：在半导体基底上形成第一介质层；沉积栅层，此栅层覆盖所述第一介质层；沉积第二介质层，此第二介质层覆盖所述栅层；刻蚀所述第二介质层及栅层；沉积第三介质层，此第三介质层覆盖所述第二介质层及栅层；刻蚀所述第三介质层。通过在栅极表面增加第二介质层，继而对所述栅极与第二介质层构成的整体结构形成刻蚀所述第三介质层后获得的侧墙，进而构成栅极结构，可避免在形成硅锗源漏时反应物与栅极表面的接触。
栅极结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710040626.5有效
发明人：沈满华;张世谋;王新鹏;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有铝焊垫，在所述半导体结构和铝焊垫上具有钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的钝化层，在所述钝化层中形成开口；去除所述光刻胶层；用含有硫酸和双氧水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁；用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁。本发明可去除在刻蚀钝化层的工艺时产生的聚合物。
半导体器件制造方法

[发明专利]栅极结构及其制造方法-CN200610148245.4有效
发明人：张海洋;刘乒;张世谋;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极结构制造方法，包括：在半导体基底上形成第一介质层；沉积栅层，所述栅层覆盖所述第一介质层；刻蚀所述栅层；沉积第二介质层，所述第二介质层覆盖所述栅层；沉积第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第二介质层；刻蚀所述第三介质层；湿法刻蚀所述第二介质层；去除所述第三介质层。利用干法、湿法混合的方法形成侧墙，且通过选用不同的介质材料分别作为第一介质层及第二介质层，可通过选择对所述第一介质层及第二介质层具有高刻蚀选择比的刻蚀溶液而实现用以形成侧墙的介质层的分步去除，可不造成源漏形成前对栅氧化层的损伤。
栅极结构及其制造方法

[发明专利]通孔的形成方法-CN200610147808.8有效
发明人：杜珊珊;韩秋华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行光刻处理，形成具有第一孔径的孔图案；沉积附加介质层；刻蚀所述衬底，在所述衬底上形成具有第二孔径的通孔。采用本发明的形成方法形成的通孔，尺寸均匀、形状规则，且孔径的可调整范围较大，可控性较强，形成质量较高。
形成方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610119170.7无效
发明人：韩秋华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法：包括提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；在所述栅极两侧形成侧壁间隔物；在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；在所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层；在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；干法刻蚀去除所述第二介质层；湿法去除所述第一介质层。所述第一介质层为富硅氧化物层，所述第二介质层为氮化硅、氮氧化硅或其组合。本发明的方法在去除自对准阻挡层的过程中，不但能避免破坏衬底有源区，而且可防止侧壁间隔物下方凹陷的产生。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储器件的制造方法-CN200610025651.1有效
发明人：张海洋;张世谋;马擎天;刘燕丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在反应室进行定期维护之后，所述方法包括：用试片对反应室进行适应性调整；在反应室内利用测试晶片单独运行刻蚀工艺；检测刻蚀速率；根据所述刻蚀速率调整正式生产晶片的刻蚀工艺时间。本发明的方法能够将侧壁间隔层控制在所需的宽度，其误差被控制在±1的范围内，且缩短了由于反应室的定期维护后所必须的所适应性调整时间，提高了生产效率和良品率，降低了生产成本。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]去除栅极结构中硬膜层的方法-CN200510112389.X无效
发明人：迟玉山;马擎天;张世谋;杜珊珊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除栅极结构中硬膜层的方法，所述栅极结构已经过栅极蚀刻处理，包括半导体基体、栅极氧化物层、栅极材料层以及硬膜层，所述的栅极氧化物层和硬膜层含有相同成分物质，包括：涂覆保护层；蚀刻所述保护层，露出所述硬膜层而仍覆盖所述栅极氧化物层时停止蚀刻；去除所述硬膜层；去除剩余的保护层。当硬膜层含有和所述栅极氧化物层相同成分的物质，由于本发明所提供的方法在去除硬膜层时或者去除与所述栅极氧化物层相同成分的物质层时，仅仅露出所述栅极结构的硬膜层，栅极氧化层周围仍然涂覆有保护层，保护栅极氧化层不会受到蚀刻，从而保证半导体器件的性能和质量。
去除栅极结构中硬膜层方法

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