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[实用新型]一种适用于水溶性肥料的混合装置及喷滴灌系统-CN202321087251.9有效
发明人： 廖永波;王刚;黄平;白付明 -专利权人：贵州西洋实业有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01F27/80 文献下载
摘要：本申请公开了一种适用于水溶性肥料的混合装置及喷滴灌系统，用于准确按照比例混合多种肥料、将肥料准确稀释成特定比例。本实用新型包括：混合罐、集装组件、电磁阀及控制台；集装组件内设置有蠕动泵及肥液管口，蠕动泵的第一端与肥液管口的出液口连接，肥液管口上设置有多个进液口，多个进液口分别连接不同的原液罐，电磁阀设置在进液口与原液罐之间；蠕动泵的第二端与混合罐连接，从而当蠕动泵正向运行时，原液罐中的肥液通过肥液管口运输至混合罐中；混合罐通过进水管与水源连接，进水管上设置有注水阀；控制台设置在集装组件的外侧，并分别与电磁阀、蠕动泵及注水阀连接，从而分别控制电磁阀、蠕动泵及注水阀的开启或关闭。
一种适用于水溶性肥料混合装置滴灌系统

[实用新型]防爆透气阀及电池包-CN202321103864.7有效
发明人：刘召;孙世延;姚莉;廖永波 -专利权人：比亚迪股份有限公司;台州弗迪电池有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01M50/342 文献下载
摘要：本公开涉及一种防爆透气阀及电池包，所述防爆透气阀包括阀体(1)、致动件(2)以及刺破件(3)，所述阀体(1)具有用于与电池包的内部连通的内腔(11)，所述阀体(1)上设置有与所述内腔(11)连通的透气膜(4)，所述致动件(2)和所述刺破件(3)设置在所述内腔(11)中，所述刺破件(3)连接于所述致动件(2)，并朝向所述透气膜(4)设置，所述致动件(2)能够受热带动所述刺破件(3)刺破所述透气膜(4)。该防爆透气阀能够兼顾防爆和透气，且能够在热失控初期为电池包泄压。
防爆透气电池

[发明专利]一种含硅复合肥及其制备方法-CN202310678026.0在审
发明人： 廖永波;王刚;王礼富 -专利权人：贵州西洋实业有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅复合肥及其制备方法，涉及到含硅复合肥领域，包括化肥和改性的有机基聚硅氧烷乳液，所述化肥和改性的有机基聚硅氧烷乳液的重量比为：100:1.6‑2.5，所述化肥包括成份重量百分比为50～55％的七水硫酸镁、10～30％的生物磷肥、2～5％的细胞腐植酸、2～3.5％的硼、2～3.5％的铁、1～5％的锰、0.5～2％的锌、2～8％的氢氧化镁和2～8％的磷酸盐。本发明在化肥中添加了改性的有机基聚硅氧烷乳液，可提高化肥的疏水性，使得化肥保持干燥，增加化肥的保存时间，且价格低廉，便于推广。
一种复合及其制备方法

[实用新型]一种磷酸运输管道-CN202321116538.X有效
发明人：白付明;黄平;廖永波 -专利权人：贵州西洋实业有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： F16L43/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种磷酸运输管道，用于降低磷酸运输管道使用过程中产生结垢的情况。本申请包括：第一法兰、第二法兰、运输管道组、除垢滚筒、滚轮和第一热蒸汽管道；第一法兰和第二法兰分别与运输管道组的两端连接；运输管道组的直线部分和除垢滚筒均为圆柱状，运输管道组的直线部分的直径大于除垢滚筒的直径，除垢滚筒设置于运输管道组内部；滚轮设置于运输管道组内侧；滚轮与除垢滚筒接触；滚轮与电机相连接；除垢滚筒由空心钢条组成；第一热蒸汽管道嵌于第一法兰内部；第一热蒸汽管道的热蒸汽出口与除垢滚筒的空心钢条接触；第一热蒸汽管道的热蒸汽入口外接热蒸汽供应设备。
一种磷酸运输管道

[发明专利]一种纵向堆叠的传输门集成电路结构-CN202310686187.4在审
发明人：李平;宋健强;廖永波;徐丰和;万旭;袁丕根;牛耀都 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该发明公开了一种纵向堆叠的传输门集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理，该发明提出一种纵向堆叠的传输门集成电路结构。该结构可以提高IC的集成度、显著缩短沟道长度、提高器件沟道宽长比调整的灵活性，节约芯片面积。
一种纵向堆叠传输集成电路结构

[发明专利]一种对数式参数可调的数字自动增益控制器（AGC）电路结构-CN202310758674.7在审
发明人： 廖永波;万旭;宋健强;徐丰和 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明为一种对数式参数可调的数字自动增益控制器(AGC)电路结构，该AGC结构具有对数和反对数运算电路，利用非线性函数来控制AGC环路的输出功率，使得整个环路能够在更短的时间内达到稳定状态且针对不同输入幅度的信号环路稳定时间基本一致。在后级电路中使用n倍频时钟使得电路能够更快的迭代收敛(n的取值范围为3‑6)。另外，本发明可以实现AGC的动态范围指标大于等于69.5dB并且收敛阈值和环路稳定时间参数可调。
一种对数参数可调数字自动增益控制器 agc 电路结构

[发明专利]一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构-CN202310686176.6在审
发明人： 廖永波;徐丰和;李平;牛耀都;宋健强;袁丕根;万旭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明一种纵向堆叠的栅极自对准HVTFET集成电路结构，该堆叠结构将NMOS与PMOS在垂直方向上堆叠，在器件之间有SiO2隔离，使得堆叠的器件可以单独使用。该结构能够提高IC集成度，节约芯片面积。此外，该堆叠结构同时采用了栅极对准的方式，本发明结构的栅极区域仅包裹沟道区或沟道区及与其相邻的轻掺杂漂移区，能够极大减小了栅极与重掺杂源漏区域间的寄生电容，使器件频率特性提高。
一种纵向堆叠栅极对准 hvtfet 集成电路结构

[发明专利]一种具有接收效率最大化的磁耦合谐振无线电能传输控制方案-CN202310734147.2在审
发明人： 廖永波;袁丕根;宋健强;魏超 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02J50/12 文献下载
摘要：本发明涉及电气工程领域技术领域，具体为一种具有接收效率最大化的磁耦合谐振无线电能传输控制方案，该技术方案应用于多级线圈无线电能传输系统。系统利用锁相环进行相位检测与频率自适应调节，调节速度较快；锁相环的参考信号及反馈信号分别为负载级的电压信号与电流信号，负载变化时能够及时调整系统工作频率，使得系统保持高效率的工作状态。
一种具有接收效率最大化耦合谐振无线电能传输控制方案

[发明专利]一种纵向堆叠的反相器集成电路结构-CN202310686443.X在审
发明人：李平;万旭;廖永波;宋健强;牛耀都;袁丕根;徐丰和 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路领域。本发明提供一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，在纵向上依次分别设置有源极区域一、半导体沟道区一、漏极区域一、漏极区域二、半导体沟道区二和源极区域二，同时实现了NMOS和PMOS，NMOS和PMOS均采用沟道区重掺杂和轻掺杂漏区的方式来抑制DIBL效应。器件周围通过刻槽的方式环绕着栅极区域，栅极与半导体区之间设置有栅介质层，NMOS与PMOS共用同一个栅极。NMOS与PMOS的源极和漏极通过引线孔引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种纵向堆叠的反相器集成电路结构，其中器件的共栅极连接作为反相器的输入，PMOS的漏极与NMOS的漏极连接作为反相器输出，PMOS源极接高电位，NMOS源极接地。该结构采用纵向堆叠的方式，提高了使用反向器结构的集成电路的集成度。
一种纵向堆叠反相器集成电路结构

[发明专利]一种新型围栅VFET理想开关结构-CN202310636823.2在审
发明人： 廖永波;徐丰和;李平;袁丕根;刘金铭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术和集成电路技术，尤其涉及一种新型围栅VFET理想开关结构及其工艺实现方式。本发明提出的新型围栅VFET理想开关采用纵向设计，器件四面环栅，且沟道区相对漏漂移区重掺杂的技术方案。本发明所要解决的关键技术问题是：在新结构中引入一种新的机制抑制DIBL效应，减小由短沟道效应引起的阈值电压漂移带来的影响，显著降低导通电阻，增加器件导通电流密度，消除寄生BJT效应。本专利优化了其工艺实现流程，器件沟道长度不再受到光刻精度的限制，沟道长度能够小于12nm，大幅缩小了器件的特征尺寸，降低了单个器件占用面积，提高了集成度，突破了当前摩尔定律的限制。
一种新型 vfet 理想开关结构

[发明专利]一种天然虾青素复合肥料、制备方法、装置-CN202310513124.9在审
发明人： 廖永波;王刚;黄平;白付明 -专利权人：贵州西洋实业有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种天然虾青素复合肥料、制备方法、装置，用于降低天然虾青素复合肥的生产成本。本申请包括：将虾蟹壳清洗干净并烘干；向反应罐中加入虾蟹壳和氢氧化钾进行水解反应；将水解液经过80‑300目的分离设备进行分离，收集碱性滤液和碱性滤渣；在反应罐中加入碱性滤渣和磷酸进行消解反应；将消解液经过80‑300目的分离设备进行分离，收集酸性滤液和酸性滤渣；将酸性滤渣重复水解和消解的步骤，直到滤渣完全溶解；将碱性滤液和酸性滤液进行混合，使用酸性溶媒和碱性溶媒调节混合液，使得混合液达到PH5‑8，生成虾青素混合液；将虾青素混合液结合氨基酸溶液、微量元素矿粉、有机质、无机肥料按照预设质量比例进行混合，生成天然虾青素复合肥料。
一种天然虾青素复合肥料制备方法装置

[发明专利]一种纵向堆叠的栅极自对准反相器集成电路结构-CN202310686181.7在审
发明人： 廖永波;徐丰和;李平;万旭;牛耀都;袁丕根;宋健强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向堆叠的栅极自对准反相器集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统集成电路堆叠技术的不同，本发明提出一种具有高集成度的垂直围栅器件的堆叠结构，该堆叠结构将反相器的NMOS与PMOS在纵向进行堆叠，NMOS和PMOS的漏极连接在一起，极大的提高了IC集成度，节约芯片面积。此外，该结构采用了栅极对准的方式，该结构栅极区域仅包裹沟道区或沟道区及与其相邻的轻掺杂漂移区，能够极大减小了栅极与重掺杂源漏区域间的寄生电容，使器件频率特性提高。
一种纵向堆叠栅极对准反相器集成电路结构

[发明专利]一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构-CN202310686192.5在审
发明人： 廖永波;万旭;李平;牛耀都;徐丰和;宋健强;袁丕根 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路领域。本发明提供一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，在纵向上分别设置有源极区域一、半导体沟道区一、漏极区域一、二氧化硅隔离区域、漏极区域二、半导体沟道区二和源极区域二，同时实现了NMOS和PMOS，且特殊的工艺使得PMOS的面积是NMOS的三倍。NMOS和PMOS均采用沟道区重掺杂和轻掺杂漏区的方式来抑制DIBL效应。器件周围通过刻槽的方式环绕着栅极区域，栅极与半导体区之间设置有栅介质层，两个器件的栅极以及源漏电极均可以单独的引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，用以提高数字电路基本的集成度。
一种纵向堆叠异质结垂直沟道场效应晶体管 hvtfet 集成电路结构

[发明专利]一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构-CN202310686179.X在审
发明人： 廖永波;徐丰和;李平;宋健强;万旭;袁丕根;牛耀都 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明中的纵向堆叠结构将NMOS与PMOS在垂直方向上堆叠，在器件之间有SiO2隔离，将四个纵向堆叠结构通过层层互联构成了一种高集成度6管SRAM基本单元。该堆叠结构同时采用了栅极对准的方式，栅极区域仅包裹沟道区或沟道区及与其相邻的轻掺杂漂移区。通过将SRAM基本单元在纵向进行堆叠，能够显著提高SRAM集成度，节约芯片面积。
一种纵向堆叠垂直沟道 sram 集成电路结构

[发明专利]一种高集成度SRAM-CN202011246004.X有效
发明人： 廖永波;冯轲;李平;李垚森;聂瑞宏;唐瑞枫;林凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本专利提出一种高集成度纳米墙结构SRAM及实现方法，相比传统在FINFET和GAA中的MOSFET而言，本专利中的MOSFET的栅极不必全包围沟道区，因此，集成密度大大提高；通过NMOS管占用1面侧墙，PMOS管占用3面侧墙来实现P管的宽长比为N管的宽长比的3倍，极大的减小了芯片面积；在同一面纳米墙上可以制做大量MOSFET，MOSFET间由绝缘体隔离，形成类似门海结构；由上述MOSFET构成六管单元SRAM，可大大提高集成度。
一种集成度 sram

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