专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种抗WiFi干扰芯片的加工方法及芯片结构-CN202310791072.1在审
  • 廖世容;况诗吟;叶瑾琳 - 浙江光特科技有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-10-13 - H01L31/0216
  • 本发明公开了一种抗WiFi干扰芯片的加工方法,所述方法包括:在芯片表面上生长出厚度为#imgabs0#的SiNx;通过采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形,再进行扩散使之形成P型层;在P型层上生长0.2‑3微米厚度的SiO2介质层,对SiO2介质层进行第二次蚀刻处理;在第二次蚀刻后的芯片表面生长0.1‑0.5微米厚度的SiNx增透膜,并对SiNx增透膜进行第三次蚀刻处理;在第三次蚀刻后的芯片表面生长出P型电极层,对P型电极层进行金属剥离后得到金属图案,再在芯片表面沉积抗干扰金属层,最后对芯片背面进行研磨减薄并在减薄后的芯片背面沉积N型电极层。应用本发明实施例,简化了芯片结构。
  • 一种wifi干扰芯片加工方法结构
  • [发明专利]一种生长硅锗外延的方法、外延片及器件-CN202310701465.9在审
  • 龚正致;廖世容;李超翰 - 浙江光特科技有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-09-12 - C30B25/02
  • 本发明提供了一种生长硅锗外延的方法,外延片及器件,方法包括:确定每一个FK通道对应的目标吸收波长,获取对应于目标吸收波长的生长外延的菜单,根据预先建立的吸收波长与虚拟图形密度之间的关联关系,识别出目标吸收波长对应的目标密度;根据所述目标密度以及对应的目标FK通道,制作对应的目标光刻板;根据所述目标光刻板,根据所述生长外延的菜单实施外延的生产,其中,外延生产得到的芯片用于封装光的多波长调制器件。应用本发明实施例,可以实现光的光的多波长调制。
  • 一种生长外延方法器件
  • [实用新型]一种定向夹具-CN202320870095.7有效
  • 廖世容 - 浙江光特科技有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-18 - B24B7/22
  • 本实用新型公开了一种定向夹具,涉及磷化铟晶体的技术领域;而本实用新型包括加工台,滑块的一端固定设有支撑板,支撑板相对的一侧转动安装有转轴,转轴的一端固定设有弧形夹板,其中一个支撑板的一侧固定设有第一电机;通过滑块带动支撑板移动,支撑板带动弧形夹板移动,使得弧形夹板将磷化铟晶体夹紧,这样就可以避免人工装夹夹伤,再通过转轴带动弧形夹板转动,弧形夹板带动磷化铟晶体转动,这样就可以调节磷化铟晶体的加工角度,从而达到自动操作的目的;通过第一齿轮带动第一螺纹杆转动,使得第一螺纹杆带动升降杆向上移动,升降杆带动升降板移动,这样就可以调节磷化铟晶体的高度,从而达到方便调节的目的。
  • 一种定向夹具
  • [发明专利]一种改善温度均匀性的光学器件及其制造方式-CN202310482260.6在审
  • 龚正致;李超翰;廖世容 - 浙江光特科技有限公司
  • 2023-04-29 - 2023-07-14 - G02F1/01
  • 本发明涉及一种改善温度均匀性的光学器件及其制造方式,一种改善温度均匀性的光学器件,包括:硅底层、氧化埋层、脊形波导结构、介质材料层和热电阻材料层;氧化埋层位于硅底层的上方;脊形波导结构位于氧化埋层的上方;介质层覆盖脊形波导结构;热电阻材料层覆盖在介质材料层上对应脊形波导结构;在光信号传播的方向上,位于上游的热电阻材料层的宽度大于位于下游的热电阻材料层的宽度以使位于上游的热电阻材料层的局部电阻小于位于下游的热电阻材料层的局部电阻。本发明的有益效果是:通过对热电阻的改进,从而改善光学器件的温度均匀性。
  • 一种改善温度均匀光学器件及其制造方式
  • [发明专利]一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管-CN202310289329.3在审
  • 龚正致;李超翰;廖世容;万远涛 - 浙江光特科技有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-07-11 - H01L31/0216
  • 本发明涉及一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管;一种改善APD响应度均匀性的光电二极管,光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。一种改善APD响应度均匀性的方法,包括以下步骤:步骤1:在盖帽层上生长第一绝缘介质层,将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉,之后由盖帽层上表面向下扩散形成P型层;步骤2:在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层,将第二绝缘介质层中间刻蚀掉;步骤3:在第二绝缘介质层及P型层上表面生长第三绝缘介质层,其中,第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。本发明的有益效果是:通过在非活性区域上方设置抗反射涂层,减少非活性区域(非光敏面)的表面反射,以改善响应度均匀性。
  • 一种改善apd响应均匀方法光电二极管
  • [发明专利]一种用于晶圆清洗后烘干处理装置-CN202210200176.6有效
  • 龚正致;廖世容;沈琪良 - 浙江光特科技有限公司
  • 2022-03-02 - 2023-07-04 - F26B21/00
  • 本发明公开了一种用于晶圆清洗后烘干处理装置,包括:一夹具,用于夹持所述晶圆;一供气机构;一烘干单元,其包括两个烘干组,两个烘干组沿所述晶圆的轴线布置于所述晶圆的两侧;所述烘干组包括:一第一供气件,其内设有第一供气腔,所述第一供气件上设有多个第一出气孔,多个所述第一出气孔均与所述第一供气腔连通,多个所述第一出气孔朝向所述晶圆;其中,所述第一供气腔与所述供气机构连通。在利用夹具夹持好清洗后的晶圆后,利用供气机构箱第一供气腔内通入高温气体,经过第一出气孔,对晶圆进行烘干处理。可以对晶圆的两个表面同时进行烘干处理,效率高。
  • 一种用于清洗烘干处理装置
  • [发明专利]平窗TO的光电流自动测试装置-CN202310021291.1在审
  • 袁超;方成诚;廖世容 - 浙江光特科技有限公司
  • 2023-01-07 - 2023-03-28 - G01S7/497
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种平窗TO的光电流自动测试装置,包括光源、光纤、准直器、数字源表和上位机;光纤输入端连接于光源,光纤输出端连接于准直器,准直器输出端对应于平窗TO的光敏面;平窗TO信号输出端信号连接于数字源表,数字源表和光源信号连接于上位机;光源的光通过光纤和准直器发射至平窗TO的光敏面,平窗TO的光敏面耦合找光,通过数字源表得到最大光电流后上传至上位机,完成平窗TO光电流自动测试。本发明确保生产效率、测试准确度以及产品质量。
  • 平窗to电流自动测试装置
  • [实用新型]一种花篮-CN202221393572.7有效
  • 袁超;万远涛;廖世容 - 浙江光特科技有限公司
  • 2022-06-07 - 2023-03-03 - H01L21/673
  • 本实用新型提供一种花篮。所述花篮包括:花篮本体;所述花篮本体包括环形座、三个弧形挡板、三个螺纹孔一、弧形连接块、螺纹孔二和十字型支架,所述花篮本体是由环形座、三个弧形挡板、三个螺纹孔一、弧形连接块、螺纹孔二和十字型支架几个部分组合而成;三个弧形挡板均固定安装在环形座的顶部;三个螺纹孔一均开设在环形座上;所述弧形连接块固定安装在环形座的顶部;所述螺纹孔二开设在弧形连接块的顶部;所述十字型支架固定安装在环形座上。本实用新型提供的花篮具有使用方便,能够简单有效的对减薄抛光后的晶圆片在清洗的过程中,减少碎片的几率,易于使用者操作的优点。
  • 一种花篮
  • [实用新型]一种设置在支架上的芯片位置检测校对装置-CN202221241138.7有效
  • 廖世容;李超翰;方成诚 - 浙江光特科技有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-09-16 - G01B11/00
  • 本实用新型提供一种设置在支架上的芯片位置检测校对装置。所述设置在支架上的芯片位置检测校对装置包括:支架、L型固定块和检测校对组件,所述L型固定块固定安装在支架上,所述检测校对组件设置在支架上;所述检测校对组件包括有激光位移传感器、光透传感器发射器和光透传感器接收器,所述激光位移传感器固定安装在L型固定块的一侧外壁上,所述光透传感器发射器固定安装在L型固定块的底部上,所述光透传感器接收器固定安装在支架上,所述光透传感器接收器位于光透传感器发射器的下方。本实用新型提供的设置在支架上的芯片位置检测校对装置操作简单,占用体积空间小,可以大大提高检测速度和检测精度的优点。
  • 一种设置架上芯片位置检测校对装置
  • [发明专利]一种用于晶圆光刻胶烘干处理的设备-CN202210089724.2在审
  • 廖世容;况诗吟;谢建平 - 浙江光特科技有限公司
  • 2022-01-25 - 2022-05-10 - G03F7/16
  • 本发明公开了一种用于晶圆光刻胶烘干处理的设备,包括:一传送机构;多个夹具,沿所述传送机构的移动方向间隔设置在所述传送机构上;沿所述传送机构的移动方向设置有滴胶区、烘干区;一滴胶机构,位于所述滴胶区,布置于所述夹具的上方;一烘干机构,位于所述烘干区,布置于所述夹具的上方,沿所述传送机构的移动方向,所述烘干机构位于所述滴胶机构的下游侧。利用多个夹具夹持固定多个晶圆,利用传送机构带动夹具连续传送。利用滴胶机构向晶圆上滴加光刻胶。在匀胶后,利用烘干机构进行烘干处理。本实施例集合滴胶、烘干一体化处理,可以多个晶圆连续处理,效率高。
  • 一种用于圆光烘干处理设备
  • [发明专利]一种晶圆清洗装置-CN202111617114.7在审
  • 廖世容;叶瑾琳;沈琪良 - 浙江光特科技有限公司
  • 2021-12-27 - 2022-04-15 - B08B1/02
  • 本发明公开了一种晶圆清洗装置,包括:一支架;三个轴,平行安装在所述支架上,其中两个所述轴位于另一所述轴的两侧,并位于另一所述轴的上方;至少一个所述轴能够改变与其它两个所述轴中至少一个的间距;三个所述轴上均设有用于与晶圆相配合的限位槽。将晶圆置于三个轴的限位槽内,支撑晶圆,方便清洗。三个轴之间的间距能够改变,如此,便于放置不同直径的晶圆,适应性好。
  • 一种清洗装置
  • [发明专利]一种晶圆或SOI晶圆的处理方法-CN202111402135.7在审
  • 龚正致;李超翰;廖世容 - 浙江光特科技有限公司
  • 2021-11-19 - 2022-03-25 - H01L21/762
  • 本发明公开了一种晶圆或SOI晶圆的处理方法,该方法包括:提供一晶圆;所述晶圆表面淀积有二氧化硅掩膜或氮化硅掩膜;涂覆第一光刻胶,并光刻;刻蚀处理,形成的刻蚀角度为β;刻蚀形成预定为P型的侧壁、第一欧姆接触区、预定为N型的侧壁、第二欧姆接触区;去除所述第一光刻胶;涂覆第二光刻胶,覆盖所述预定为N型的侧壁、所述第二欧姆接触区;对所述预定为P型的侧壁、所述第一欧姆接触区进行P型离子注入,注入角度α1,形成P型的侧壁。本发明通过对现有的干法刻蚀方法做出改进,改变其中的刻蚀角度,并选择刻蚀的离子注入角度,使四个区域的结的形成,在一次注入时即达到最佳化的效果,提高生产效率,整个刻蚀工艺缩短为两次离子注入。
  • 一种soi处理方法
  • [发明专利]一种改善金属线在台阶侧壁的覆盖率的方法-CN202111513142.4在审
  • 龚正致;廖世容;叶瑾琳 - 浙江光特科技有限公司
  • 2021-12-12 - 2022-03-25 - H01L23/498
  • 半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来制作特定功能的电子器件。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间,这些半导体材料通常是硅、锗、磷化铟或砷化镓,并经过各式特定的渗杂,产生P型或N型半导体,作成如整流器、振荡器、发光器、放大器、光探测器、光调制器等组件或设备。因器件需要经由金属线链接外部的电源,除非是完全平面式的器件,否则金属线很难避免的会跨越不同高度的器件台阶,如何确保此金属线的可靠性便成为一道重要的课题。本发明公开了一种改善金属线在台阶表面覆盖率的半导体器件及其制取方法。本发明可在不改变器件形貌角度及不需采买更好的金属沉积的机台情况下,增加金属在台阶侧壁的覆盖率,确保产品可靠性。
  • 一种改善金属线台阶侧壁覆盖率方法

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