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[发明专利]用于沉积膜的衬底处理系统-CN201910128259.7有效
发明人：唐伟;巴特·范·斯查文迪克;钱俊;康胡;阿德里安·拉瓦伊;迪纳什·帕迪;大卫·C·史密斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及用于无缝特征填充的抑制剂等离子体介导的原子层沉积。用于在衬底处理系统中沉积膜的系统和方法包括在处理室中执行第一原子层沉积(ALD)周期以在包括特征的衬底上沉积膜；在第一ALD周期之后，在处理室中将衬底暴露于抑制剂等离子体达到预定时间段以在特征中生成变化的钝化表面；以及在所述预定时间段之后，在处理室中执行第二ALD周期以在衬底上沉积膜。
用于沉积衬底处理系统

[发明专利]用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法-CN202110296810.6在审
发明人：康胡;伊斯达克·卡里姆;普鲁沙塔姆·库马尔;钱俊;拉梅什·钱德拉赛卡兰;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法。用于化学沉积装置的处理调整套件，其中处理调整套件包括承载环、马蹄形物和垫片。马蹄形物具有相同的尺寸，并且垫片设置成具有不同厚度的组以控制马蹄形物相对于上面安装有马蹄形物和垫片的基座组件的上表面的高度。通过放置在马蹄形物上的承载环将半导体衬底输送到化学沉积装置的真空室中，使得最小接触面积支撑件从承载环提升衬底并且相对于基座组件的上表面以预定的偏移量支撑衬底。在衬底的处理期间，可以通过使用期望厚度的垫片来控制预定偏移量来减少背侧沉积。
用于减少晶片沉积可变温度硬件方法

[发明专利]抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置-CN201811330813.1有效
发明人：阿德里安·拉维依;康胡;普鲁肖坦·库马尔;尚卡·斯瓦米纳坦;钱俊;弗兰克·L·帕斯夸里;克洛伊·巴尔达赛罗尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文公开的是抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置，具体公开了采用次级清扫的用途在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括使膜前体流入处理室并使所述膜前体吸附到所述处理室中的衬底，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层。该方法还可以包括通过用初级清扫气体清扫处理室从围绕所吸附的前体的体积去除至少一些未被吸附的膜前体，然后，在次级清扫气体流入所述处理室时使吸附的膜前体反应，导致在衬底上形成膜层。次级清扫气体可包括具有等于或大于O2的电离能和/或解离能的电离能和/或解离能的化学物质。还公开了其中实现前述处理的装置。
抑制喷头背面寄生等离子体方法装置

[发明专利]用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法-CN201611177342.6有效
发明人：康胡;伊斯达克·卡里姆;普鲁沙塔姆·库马尔;钱俊;拉梅什·钱德拉赛卡兰;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法。用于化学沉积装置的处理调整套件，其中处理调整套件包括承载环、马蹄形物和垫片。马蹄形物具有相同的尺寸，并且垫片设置成具有不同厚度的组以控制马蹄形物相对于上面安装有马蹄形物和垫片的基座组件的上表面的高度。通过放置在马蹄形物上的承载环将半导体衬底输送到化学沉积装置的真空室中，使得最小接触面积支撑件从承载环提升衬底并且相对于基座组件的上表面以预定的偏移量支撑衬底。在衬底的处理期间，可以通过使用期望厚度的垫片来控制预定偏移量来减少背侧沉积。
用于减少晶片沉积可变温度硬件方法

[发明专利]用于原子层沉积的动态前体投配-CN202010730406.0在审
发明人：普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;钱俊;康胡;伊时塔克·卡里姆;欧丰松 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于原子层沉积的动态前体投配。公开了用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法和装置。一种方法可以包括：使气体流动通过气体管线；在投配步骤之前，打开一个或多个安瓿阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；关闭所述一个或多个安瓿阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。控制器可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，并且至少一个存储器可以存储用于控制至少一个处理器的指令以控制在半导体加工工具内的前体流。
用于原子沉积动态前体投配

[发明专利]用于原子层沉积的动态前体投配-CN201610865153.1有效
发明人：普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;钱俊;康胡;伊时塔克·卡里姆;欧丰松 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用于原子层沉积的动态前体投配。公开了用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法和装置。一种方法可以包括：使气体流动通过气体管线；在投配步骤之前，打开一个或多个安瓿阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；关闭所述一个或多个安瓿阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。控制器可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，并且至少一个存储器可以存储用于控制至少一个处理器的指令以控制在半导体加工工具内的前体流。
用于原子沉积动态前体投配

[发明专利]用于改善流动均匀性的具有面板孔的低体积喷头-CN201610345779.X有效
发明人：拉梅什·钱德拉塞卡拉;萨昂格鲁特·桑普朗;尚卡尔·斯娃米纳森;弗兰克·L·帕斯夸里;康胡;阿德里安·拉瓦伊;爱德华·奥古斯提尼亚克;行则崎山;克洛伊·巴尔达赛罗尼;萨沙撒耶·瓦拉达拉简;巴莎·萨贾德;詹妮弗·L·彼得拉利亚 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于改善流动均匀性的具有面板孔的低体积喷头。在半导体处理装置中的喷头可包括配置成改善原子层沉积期间的流动均匀性的面板通孔。该喷头可包括用于分配气体到衬底上的具有多个通孔的面板，其中所述面板包括小直径的通孔。例如，所述通孔中的每一个的直径可小于约0.04英寸。此外或可替代地，该喷头还可包括边缘通孔，这些边缘通孔沿具有大于正在处理的衬底直径的直径的环被周向地定位。该喷头可以是低体积喷头并且可包括邻近与喷头的充气容腔连通的一个或多个气体入口的挡板。具有小直径通孔和/或边缘通孔的面板能够改善总的膜非均匀性，能够改善在衬底边缘处的方位角膜非均匀性，并且能够在较高RF功率下执行操作。
用于改善流动均匀具有面板体积喷头

[发明专利]超薄原子层沉积膜厚度的精密控制-CN201610160517.6有效
发明人：钱俊;康胡;阿德里安·拉沃伊;松山清治;普鲁肖塔姆·库马尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及超薄原子层沉积膜厚度的精密控制，提供了通过原子层沉积来沉积具有减小的晶片比晶片的变化的超薄膜的方法。方法涉及在第一原子层沉积循环之前，将衬底暴露于包含在原子层沉积循环的等离子体暴露操作期间使用的一种或多种气体的浸泡气体以将衬底加热到沉积温度。
超薄原子沉积厚度精密控制

[发明专利]用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置-CN201510642077.3有效
发明人：钱俊;弗兰克·L·帕斯夸里;阿德里安·拉沃伊;克洛伊·巴尔达赛罗尼;康胡;尚卡尔·斯瓦米纳坦;普鲁肖塔姆·库马尔;弗兰岑·保罗;特伦格·T·勒;阮途安;詹尼弗·L·彼得拉利亚;大卫·查尔斯·史密斯;塞沙萨绮·瓦拉达拉简 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中，衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化，在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地，通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量，使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。
用于等离子体辅助原子沉积中的 rf 补偿方法装置

[发明专利]用RF等离子体循环和清洗去除处理室颗粒的系统和方法-CN201510308675.7有效
发明人：康胡;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用RF等离子体循环和清洗去除处理室颗粒的系统和方法。操作衬底处理系统的系统和方法包括在处理室内处理放置在衬底支撑件上的衬底。在处理期间供应前体气体和/或反应气体中的至少一种。从处理室移除衬底。选择性地供应运载气体和清洗气体到处理室。在N个循环期间在处理室内生成RF等离子体，其中N是大于1的整数。在N个循环中的每个循环期间，RF等离子体开通持续第一时间段并且关闭持续第二时间段。在N个循环中的每个循环的至少部分期间供应清洗气体。
rf 等离子体循环清洗去除处理颗粒系统方法

[发明专利]在多站式衬底沉积系统中单个ALD循环厚度的控制-CN201510245528.X有效
发明人：罗穆尔德·诺瓦克;康胡;阿德里安·拉瓦伊;钱俊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及在多站式衬底沉积系统中单个ALD循环厚度的控制，具体公开了在多站式处理室中在多个半导体衬底上沉积膜材料的方法。该方法可以包括：将第一成组的一个或多个衬底加载至所述处理室中第一成组的一个或多个处理站处以及通过执行N个膜沉积循环将膜材料沉积至所所述第一成组的衬底上。此后，该方法可以进一步包括将所述第一成组的衬底从所述第一成组的处理站传送到在所述第二成组的一个或多个处理站；将第二成组的一个或多个衬底加载至所述第一成组的处理站处；以及通过执行N'个膜沉积循环，沉积膜材料至所述第一成组的衬底上以及所述第二成组的衬底上；其中，N'与N不相等。本发明还公开了可以用于执行类似操作的装置和计算机可读介质。
多站式衬底沉积系统单个 ald 循环厚度控制

[发明专利]用于无缝特征填充的抑制剂等离子体介导的原子层沉积-CN201510088812.0有效
发明人：唐伟;巴特·范·斯查文迪克;钱俊;康胡;阿德里安·拉瓦伊;迪纳什·帕迪;大卫·C·史密斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及用于无缝特征填充的抑制剂等离子体介导的原子层沉积。用于在衬底处理系统中沉积膜的系统和方法包括在处理室中执行第一原子层沉积(ALD)周期以在包括特征的衬底上沉积膜；在第一ALD周期之后，在处理室中将衬底暴露于抑制剂等离子体达到预定时间段以在特征中生成变化的钝化表面；以及在所述预定时间段之后，在处理室中执行第二ALD周期以在衬底上沉积膜。
用于无缝特征填充抑制剂等离子体原子沉积

[发明专利]具有多孔挡板的低体积喷淋头-CN201510221479.6有效
发明人：拉梅什·钱德拉塞卡拉;萨昂格鲁特·桑普朗;尚卡尔·斯娃米纳森;弗兰克·帕斯夸里;康胡;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及具有多孔挡板的低体积喷淋头。披露了在半导体处理装置中的低体积喷淋头，其可包括多孔挡板以改善原子层沉积期间的流动均一性和清洗时间。该喷淋头可包括增压体积、与增压体积流体连通的一个或多个气体入口、包括多个第一通孔以在半导体处理装置内将气体分配到衬底上的面板以及位于增压体积和一个或多个气体入口之间的区域内的多孔挡板。一个或多个气体入口可包括具有小体积的茎状部以改善清洗时间。挡板可以是多孔的并位于茎状部和增压体积之间以改善流动均一性并避免喷射。
具有多孔挡板体积喷淋

[发明专利]抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置-CN201510459965.1有效
发明人：阿德里安·拉维依;康胡;普鲁肖坦·库马尔;尚卡·斯瓦米纳坦;钱俊;弗兰克·L·帕斯夸里;克洛伊·巴尔达赛罗尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开的是抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置，具体公开了采用次级清扫的用途在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括使膜前体流入处理室并使所述膜前体吸附到所述处理室中的衬底，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层。该方法还可以包括通过用初级清扫气体清扫处理室从围绕所吸附的前体的体积去除至少一些未被吸附的膜前体，然后，在次级清扫气体流入所述处理室时使吸附的膜前体反应，导致在衬底上形成膜层。次级清扫气体可包括具有等于或大于O₂的电离能和/或解离能的电离能和/或解离能的化学物质。还公开了其中实现前述处理的装置。
抑制喷头背面寄生等离子体方法装置

[发明专利]用于提高膜均匀性的装置和方法-CN201510969185.1有效
发明人：普鲁沙塔姆·库马尔;康胡;阿德里安·拉瓦伊;赵伊春;弗兰克·L·帕斯夸里;钱俊;克洛伊·巴尔达赛罗尼;尚卡·斯瓦米纳森;卡尔·F·李瑟;大卫·查尔斯·史密斯;威-吉·赖 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于提高膜均匀性的装置和方法，本发明已经构思了用于在衬底处理装置中使用的多阶段工艺气体输送系统。在某些实施方式中，第一工艺气体可以首先被输送到在衬底处理室中的衬底上。在稍后的时间，第二工艺气体可被输送到衬底以促进衬底的均匀投配。可以在相同的时间停止或在不同的时间停止第一工艺气体和第二工艺气体的输送。
用于提高均匀装置方法

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