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[发明专利]一种基于电感的耦合匹配电路-CN202210997200.3在审
发明人：陈哲;刘祖华;李铖;章国豪 -专利权人： 广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种基于电感的耦合匹配电路，所述电路包括第一共振电路、第二共振电路、负载电路以及寄生电容，其中：所述第一共振电路的一端与所述第二共振电路的一端耦接，所述第一共振电路的另一端与所述寄生电容的一端连接，所述寄生电容的另一端接地，所述第一共振电路适于得到第一电感；所述第二共振电路的另一端与所述负载电路的一端连接，所述第二共振电路适于增强电流比的幅度和相位；所述负载电路的另一端接地，所述负载电路适于得到最佳值电流，所述最佳值电流与集电极的电压相同。实施本发明实施例，该方法使得耦合线圈的耦合环路阻抗基本上被在主路径和辅助路径上提供频率相关的电感值控制。
一种基于电感耦合匹配电路

[发明专利]一种改进的单刀双掷毫米波波段分布式开关-CN202110323707.6有效
发明人：张艺;章国豪;刘祖华;陈哲 -专利权人： 广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03K17/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的单刀双掷毫米波波段分布式开关，包括第一pHEMT管，漏极连接第三pHEMT管源极和第三微带线一端，源极接地，栅极通过第一电阻连接VG1；第三微带线另一端连接发射端TX；第二pHEMT管，漏极连接第四pHEMT管源极和第六微带线一端，源极接地，栅极通过第三电阻连接VG2；第六微带线另一端连接接收端RX；第三pHEMT管，漏极连接第四pHEMT管漏极，栅极通过第二电阻连接VG2；第四pHEMT管，栅极通过第四电阻连接VG1；第二、第一、第四和第五微带线的一端分别连接于第三微带线和第一pHEMT管、第一pHEMT管和第三pHEMT管、第三pHEMT管和第二pHEMT管、第二pHEMT管和第六微带线之间，另一端分别接地。本发明基于GaAs的pHEMT工艺实现一个改进的SPDT的射频开关，在保证插损的前提下，实现了高隔离。
一种改进单刀毫米波波段分布式开关

[发明专利]一种应用于低电源电压射频开关的控制电路-CN202110323851.X有效
发明人：刘小妮;刘斌;章国豪;刘祖华;陈哲 -专利权人： 广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于低电源电压射频开关的控制电路，包括环形振荡器、第一反相器、第二反相器、第一非交叠时钟产生电路、第二非交叠时钟产生电路、正电压电荷泵、负电压电荷泵，第一电平转换电路及第二电平转换电路，其中正电压电荷泵的三个输出端分别与第一电平转换电路、第二非交叠时钟产生电路及负电压电荷泵的输入端连接作为电源使用；还公开了另一种结构，其另外还包括带隙基准及低压差线性稳压器，其正电压电荷泵的三个输出端分别与第一电平转换电路，第二非交叠时钟产生电路，低压差线性稳压器的输入端连接作为电源使用。本发明的结构能够实现低电平驱动电路并控制射频开关，确保在低电源供电时仍能保持良好的射频性能。
一种应用于电源电压射频开关控制电路

[发明专利]一种具有宽带预失真和相位补偿的高线性AB类功率放大器-CN202110330990.5在审
发明人：王卓;章国豪;刘祖华;陈哲 -专利权人： 广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有宽带预失真和相位补偿的高线性AB类功率放大器，包括三个主放大器、第一偏置电路、第二偏置电路、宽带预失真电路、第一相位线性补偿电路和第二相位线性补偿电路，其中第三主放大器与第一、第二主放大器串联，其输入端与输入匹配连接，其输出与T型级间匹配连接，其与级间匹配和反馈电路构成宽带预失真电路，补偿非线性和提供恒定和增益幅度；第一主放大器和第二主放大器并联后的输入端与宽带预失真电路的一端连接，其并联后的输出端连接有π型匹配网络电路；第二偏置电路连接于第一主放大器与第二主放大器的基极之间。本发明通过改进电路结构来实现模拟预失真和相位补偿，从而实现满足效率要求的情况下，实现高线性化。
一种具有宽带失真相位补偿线性 ab 功率放大器

[实用新型]一种新型的带使能控制端的二分频器-CN201922187588.7有效
发明人：朱晓锐;章国豪;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：一种新型的带使能控制端的二分频器，它由时钟电路，主环路还有使能控制端组成，通过控制使能端的高地电平，来实现二分频器是否工作。对时钟电路模块进行优化，使得加在传输门两端的时钟信号更加匹配，提高了电路所能处理的输入信号的最高工作频率，1、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：采用中芯国际(SMIC)工艺，通过优化电路的时钟模块、主环路模块，并且设计了一种新型的使能控制电路。2、本实用新型的有益效果是，提高了电路可以处理的输入信号的最高工作频率，优化了电路的相位噪声性能，通过使用新型的使能控制电路，使得电路在使能关断的时候功耗为零。
一种新型带使能控制分频器

[发明专利]一种射频线性功率放大器电路-CN201910836046.X有效
发明人：刘祖华;彭林;章国豪 -专利权人： 广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提出一种射频线性功率放大器电路，包括射频驱动管(Q1)和射频功率放大管(Q2)；射频驱动管(Q1)的基极与放大器电路的输入端(RF IN)连接，射频驱动管(Q1)的集电极与所述射频功率放大管(Q2)的基极连接，射频功率放大管(Q2)的集电极与放大器电路的输出端(RF out)连接；射频驱动管(Q1)的基极到放大器电路的输入端(IN)之间并有联预失真电路和偏置电路(1)，并且串联镇流电阻(R10)，同时该镇流电阻(R10)并联电容(C10)；射频功率放大管(Q2)的基极到射频驱动管(Q1)之间并联偏置电路(2)，并且串联镇流电阻(R20)，同时该镇流电阻(R20)并联电容(C20)；本发明射频线性功率放大器不仅可提高功放设计的效率，并且能实现很好的线性度。
一种射频线性功率放大器电路

[实用新型]一种新型的应用于高速锁相环的二/三分频器电路-CN201922188451.3有效
发明人：朱晓锐;章国豪;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：一种新型的应用于高速锁相环的二/三分频器电路，包括时钟优化电路，主环路优化电路，控制信号r输入电路，控制信号mod输入电路，控制信号ld电路，其特征是：通过控制信号mod来控制电路是否开启二/三分频功能，通过控制信号r来控制电路是实现二分频功能还是三分频功能，通过控制ld信号来控制r信号输入的时间，使得加在传输门两端的时钟信号更加匹配，提高电路可以处理的输入信号频率，提高了电路可以处理的输入信号的最高工作频率，优化了电路的相位噪声性能。
一种新型应用于高速锁相环分频器电路

[实用新型]一种可优化噪声系数的传输线直流偏置结构-CN201922187602.3有效
发明人：章国豪;陈锦涛;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可优化噪声系数系数的传输线直流偏置结构。由于传输线TL1自身的寄生电阻比单个电感Lg的小，因此，如说明书附图2所示，在低噪声放大器的首级直流偏置结构中，使用传输线代替电感，可以达到优化整体电路噪声系数的效果，这种供电方式适用于低频段，同时其噪声性能不够好。后者是直接通过在晶体管的源极和漏极进行双电源供电；这种供电方式常用于高频段，而且噪声性能比单电源供电改善了许多。
一种优化噪声系数传输线直流偏置结构

[实用新型]一种带隙基准电路-CN201922187607.6有效
发明人：黄敬馨;章国豪;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带隙基准电路，包括产生单元、电源抑制比提高单元、偏置单元电路，所述产生单元包括一个基本电流镜带隙基准电路结构，所述电源抑制比提高单元包括一运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述偏置电路包括一PMOS管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一三极管、第二三极管、第一电阻以及第二电阻，第二电阻与第三PMOS管的漏极连接处为基准电压输出端；本实用新型的有益效果是，达到了使正负输入端电压更为一致的效果，使得带隙基准电路的精度进一步提高。
一种基准电路

[实用新型]一种高电源抑制比的带隙电压源结构-CN201922187608.0有效
发明人：黄敬馨;章国豪;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高电源抑制比的带隙电压源结构，包括产生单元，电源抑制比提高单元以及偏置单元。电源抑制比提高单元利用放大器做钳位以及局部电压反馈来提高电源抑制比。采用电流镜形式的带隙电压源作为基础结构，通过使用放大器电流镜钳位，来解决了传统带隙电压源的由于沟道长度调制效应引起的问题。同时为了提高电源抑制比，将输出端连接到电流镜的电源端，构成一个局部电压反馈，使得电流镜的电源端不直接受电源电压的影响而改变，从而大大提高了传统电流镜形式结构带隙基准电路的电源抑制比。
一种电源抑制电压结构

[发明专利]一种逆F功率放大器的电感耦合匹配电路-CN201910800965.1在审
发明人：刘祖华;李铖;蓝焕青;章国豪 -专利权人： 广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种逆F功率放大器的电感耦合匹配电路，包括第一谐振子电路和第二谐振子电路，其中所述第一谐振子电路包括第一电感和第一电容，第一电感和第一电容并联连接，第二谐振子电路包括第二电感、第三电感和第二电容，第二电感和第三电感耦合连接，第三电感和第二电容并联连接，第二电感的第一端与第一电感的第一端电连接，第二电感的第二端接地，第三电感的第一端与负载端电连接，第三电感的第二端和第一电感的第二端均与电路输入端电连接。第二谐振子电路引入耦合电感进行匹配，可提供与频率相应的电感值，是的逆F类功率放大器可以抑制二次和三次谐波。从而在简化匹配电路的基础上，减小了直流损耗，题号了功放的效率。
电感谐振子电路第一端电连接电感耦合电容并联匹配电路电容逆F类功率放大器电路输入端功率放大器三次谐波直流损耗耦合电感端接地负载端功放减小匹配引入申请

[发明专利]一种射频可重构级间匹配电路、功率放大器及芯片-CN201910801296.X在审
发明人：刘祖华;蓝焕青;张志浩;章国豪 -专利权人： 广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H03F3/185 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频可重构级间匹配电路、功率放大器及芯片，射频可重构级间匹配电路中的第二变压器和第二寄生电容并联连接，第一开关的第一端与第二变压器的第一端电连接，第二开关和第三开关的第一端均与第二变压器的第二端电连接，第二开关的第二端与匹配电容的第一端电连接，匹配电容的第二端将第二变压器分为第一子变压器和第二子变压器，匹配电容的第二端与第一子变压器和第二子变压器的连接端电连接，第一开关和所述第三开关的第二端均与匹配电容的第二端电连接。通过控制三个开关的开端状态可实现第二子变压器或其对应的任一子变压器与不同电容的组合进行级间匹配，进而可实现多模和多频特性，避免了传统的多个功率放大器导致芯片面积大的问题。
子变压器电连接匹配电容第一端变压器功率放大器第一开关匹配电路可重构射频芯片并联连接寄生电容电容传统的连接端多模多频匹配申请

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