“广东中显科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果127个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜-CN201120440884.4有效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜，包括：玻璃衬底，位于玻璃衬底上的硅氧化物，位于硅氧化物上面的全部晶化的多晶硅层；位于多晶硅层上的纳米二氧化硅层；纳米二氧化硅层上蚀刻出多个诱导窗口，多晶硅层形成连续的带状结构。
一种金属诱导多晶薄膜

[实用新型]一种顶栅薄膜晶体管-CN201120577306.5有效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供一种顶栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在具有条状的V字型凹槽或V字型凸起的衬底表面上，多晶硅薄膜均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁，其特征在于，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中，掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。
一种薄膜晶体管

[实用新型]一种顶栅薄膜晶体管-CN201120577308.4有效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供一种顶栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在具有条状的凸齿的衬底表面上，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形，多晶硅薄膜均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部，其特征在于，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。
一种薄膜晶体管

[实用新型]一种多晶硅薄膜-CN201120577309.9有效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多晶硅薄膜，该薄膜生长在具有V字型凹槽或V字型凸起的衬底表面上，该多晶硅薄膜均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其特征在于，掺杂的部分形成搭桥晶粒线。
一种多晶薄膜

[实用新型]一种用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置-CN201120338472.X有效
发明人：王彬 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置。该用于检测IGZO-TFT驱动特性的装置包括IGZO-TFT驱动单元以及阵列制备所用到的掩模板，数个微胶囊电泳显示单元；该掩模板包含三个功能区，分别为：对准标记区、单个器件区、阵列区域。通过该检测装置，不但能够对阵列TFT晶体管进行驱动性能的检测，而且对单一TFT晶体管也能够实现逐个检测；同时，也可以根据需要对阵列数量进行设定，并且TFT阵列在单像素静态驱动时，能够实现驱动显示功能。另外，采用对准标记区能够加快检测工作的效率和准确性。
一种用于检测 igzo tft 驱动特性装置

[实用新型]一种有源矩阵显示器-CN201120577247.1有效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种有源矩阵显示器，包括多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管包括：有源层，由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜中具有平行的导电带或导电线，所述导电带或导电线连接多个晶粒；有源层上的源极和漏极；栅极绝缘层；栅极；所述导电带或导电线由掺杂的线条构成；平行的导电带或导电线的方向垂直于电流方向。
一种有源矩阵显示器

[实用新型]一种底栅薄膜晶体管-CN201120577248.6有效
发明人：黄宇华;史亮亮;赵淑云 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种底栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在栅极上，该栅极具有V字型凹槽或V字型凸起，且栅极表面覆盖有栅极绝缘层，其特征在于，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。
一种薄膜晶体管

[实用新型]一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管-CN201120488284.5有效
发明人：周玮;赵淑云;郭海成 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型披露了一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管，包括一个由低温多晶硅半导体材料构成的有源层和支撑上述半导体材料的玻璃衬底，有源层中具有多个横向导电桥；横向导电桥的位置垂直于沟道区域内所需电流的流动方向，横向导电桥的位置平行于源/漏极区域内所需电流的流动方向；有源层中的源极区与漏极区构造为对称或者不对称的位置。
一种搭桥晶粒多晶薄膜晶体管

[实用新型]一种多晶硅薄膜晶体管-CN201120329720.4有效
发明人：周玮;赵淑云;孟志国;郭海成 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，衬底上的绝缘层，覆盖栅电极和氧化铝层的低温沉积氧化物层；还包括：多晶硅有源层，由固相结晶法制成，该多晶硅有源层中具有源区和漏区；多晶硅有源层上的由原子层沉积的氧化铝层，用作栅介质层；氧化铝层上的栅电极；其中衬底为单晶硅、玻璃、石英。
一种多晶薄膜晶体管

[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法-CN201110020998.8无效
发明人：赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法。该多晶硅薄膜晶体管包括有源层，其中所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成。本发明中，通过事先在硅氧化物层上定义完全等宽的凹槽获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，从而可以使整个多晶硅薄膜成为高性能的薄膜晶体管有源层，因此解决了玻璃衬底收缩引起掩膜错位的问题，进而提高了晶体管的性能。
一种多晶薄膜晶体管制备方法

[发明专利]多晶硅薄膜晶体管-CN201110020990.1无效
发明人：赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管，包括：多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs，结晶多晶硅薄膜有低的镍浓度，其特征在于，成核点(NS)以及补充点(SS)通过组合溶剂法提供，成核点和补充点重复性有规则分布，实现相同形状和大小的晶畴，通过获取不同形状的晶畴来适应性设计蜂窝结构和带状结构。
多晶薄膜晶体管

[发明专利]一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构-CN201110020959.8无效
发明人：赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：绝缘衬底；位于所述绝缘衬底上的阻挡层及非晶硅薄膜层；位于所述非晶硅薄膜上的氧化物层，所述氧化物层上光刻有间距相同、尺寸相等的凹槽；位于所述氧化物层及凹槽表面的金属诱导层，其中，所述非晶硅薄膜经过退火处理后完全转变为连续带状晶畴多晶硅。利用本发明的多层膜结构可以在较短的退火时间内获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，使整个多晶硅薄膜成为薄膜晶体管的有源层。
一种用于制备多晶薄膜多层膜结构

[发明专利]一种液晶背光驱动系统-CN201010623511.0无效
发明人：洪立力;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本申请提供一种液晶背光驱动系统，包括：恒流驱动集成电路、液晶背光源、模数转换器、比较器、微控制器和与门电路；还包括位于液晶背光源内部的温度传感器，用于侦测液晶背光源的工作环境温度；其中，所述模数转换器把温度传感器传递的表示所述环境温度的电信号转变成数字信号，并输出到比较器；所述比较器将该数字信号和温度阈值做比较，输出比较结果到微控制器；微控制器根据所述比较结果，产生不同占空比的脉宽调制信号输入到与门电路；与门电路把所述脉宽调制信号与外部输入的开关使能信号做相与运算，并输入到恒流驱动集成电路的开关使能信号端，控制恒流驱动集成电路的输出。
一种液晶背光驱动系统

[发明专利]一种可调节亮度的液晶背光驱动系统-CN201010623512.5无效
发明人：洪立力;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种可调节亮度的液晶背光驱动系统，包括：恒流驱动集成电路、液晶背光源和比较器；其特征在于，还包括位于液晶背光源内部的温度传感器，用于侦测液晶背光源的工作环境温度；其中，温度传感器获取表示所述工作环境温度的电信号，所述比较器将该电信号和温度阈值做比较，根据比较结果，产生不同占空比的脉宽调制信号输入到恒流驱动集成电路的开关使能信号端，控制恒流驱动集成电路的输出；液晶背光源的亮度变化时，发热量变化，其工作环境温度随之变化，温度传感器侦测到环境温度变化时，输出的电信号也会随之变化，使得恒流驱动集成电路调节驱动电流来调节液晶背光源的亮度。
一种调节亮度液晶背光驱动系统

[实用新型]一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管-CN201120338446.7有效
发明人：王彬 -专利权人： 广东中显科技有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本实用新型提出一种柔性半透明IGZO薄膜晶体管，包含缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、塑料衬底、IGZO半导体层以及保护层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层；其特征在于，栅电极位于缓冲保护层的中心顶部区域，并在缓冲保护层的两端的顶部区域形成对准标记层；栅电极的中心区域上部覆盖栅绝缘层；IGZO半导体层位于栅绝缘层的上部；源、漏两极分别位于半导体层的上部的两侧，仅在半导体层的顶部，源漏两极的中间形成通道，保护层覆盖整个通道；所述塑料衬底的厚度为25μm；其中栅电极采用梯形结构，对准标记层采用长方形结构。
一种柔性半透明 igzo 薄膜晶体管

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 127 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top