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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片扩片装置-CN201911211800.7在审
发明人：曾生斗;徐坤基;巫勤达;邱垂良;曾仁栋;刘金城 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶片扩片装置，包含一晶片扩片铁圈、一承载座、一晶片扩张组件以及一固定机构。晶片扩片铁圈包含一外框及一胶膜，其中胶膜连接于外框，用以贴附一晶片。承载座承载晶片扩片铁圈。晶片扩张组件用以顶推并扩张胶膜，其中晶片扩张组件包含不同尺寸的顶推滚轮，或者包含距晶片中心不同距离的顶推滚轮。固定机构用以与承载座同时固定晶片扩片铁圈的外框，并当晶片扩张组件向上顶推胶膜时，扩张胶膜而对晶片进行扩片。本发明还提供一施力组件，用以对胶膜施力，以改变胶膜的局部张力。
晶片装置

[发明专利]晶片研磨后增加等离子体工艺的晶片薄化方法-CN201911094629.6在审
发明人： 巫勤达;徐坤基;邱垂良;曾仁栋 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片研磨后增加等离子体工艺的晶片薄化方法，其包括提供一晶片，晶片包括一第一表面、一第二表面以及一晶片表面线路。第二表面相对于第一表面，以及晶片表面线路设置在晶片的第一表面。对晶片的第二表面进行一研磨处理，以形成晶片的一第三表面，且第三表面相对于第一表面。对晶片的第三表面进行一等离子体工艺并于第三表面上形成多个破坏纹路，其中等离子体工艺使用的气体包括氩气。
晶片研磨增加等离子体工艺方法

[发明专利]调整移动芯片设备的方法及该移动芯片设备-CN201811546120.6在审
发明人：宋政宏;曾生斗;陈炳谷;林家纬;刘金城;曾仁栋;庄木谨;徐坤基;巫勤达 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明为一种调整移动芯片设备的方法及该移动芯片设备，其设置荷重感测器于机械手臂上。由荷重感测器可获得芯片在被移动离开固定机台的过程中的力量与时间图，并通过该力量与时间图调整移动芯片设备上的零件。藉此可找出最适合用来将各种芯片移动脱离固定机台的零件及参数的组合，进而避免批量制造时，芯片在被移动离开固定机台的过程中产生异常或毁损。
调整移动芯片设备方法

[发明专利]全边切削的晶圆加工方法-CN201810863992.9在审
发明人：邱垂良;徐坤基;曾仁栋;巫勤达 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种晶圆加工方法，使用直径小于待加工的半导体晶圆的加工平台。因此，可在半导体晶圆的周边进行全切穿的边缘切削，以于周边形成全切穿的平直面，且于周边形成平坦部，进而在胶带贴合与背面研磨制程利用平坦部作定位。
半导体晶圆平坦部背面研磨边缘切削加工平台平直面胶带贴合制程种晶加工

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