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[实用新型]一种用于产生测量信号的厚膜集成电路-CN202222503437.X有效
发明人： 左希光;张雷;杨要军;段亚东;潘雅敏;刘明 -专利权人：青岛海博瑞微电子研究所有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于产生测量信号的厚膜集成电路，包括，信号输入引脚、信号输出引脚、电源引脚，与信号输入引脚连接的第一放大电路，与第一放大电路连接的双运算放大电路，比较电路，所述比较电路的一个输入端接地，另一输入端可选择地与双运算放大电路连接；模拟开关电路，与比较电路的输出端连接，所述模拟开关电路还通过外部连线的方式与双运算放大电路连接；第四放大电路，其输入端与模拟开关电路连接，其输出端与信号输出引脚连接；所述电源引脚用于为第一放大电路、双运算放大电路、比较电路、模拟开关电路和第四放大电路供电。本实用新型集成度高，能够适应高温、高压环境，满足了石油测井等苛刻工况下的使用需求。
一种用于产生测量信号集成电路

[实用新型]一种耐高温精密混合集成放大电路-CN202222055872.0有效
发明人：张雷;左希光;杨要军;刘明;严露肖 -专利权人：青岛海博瑞微电子研究所有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐高温精密混合集成放大电路，包括，供电端、信号输入端、信号输出端、信号放大电路、带通滤波器、相位校正电路和功率推动级电路，所述供电端分别为信号放大电路、带通滤波电路、相位校正电路和功率推动级电路供电；所述信号输入端与信号放大电路连接，所述带通滤波器包括第一带通滤波器和第二带通滤波器，用于对选定频率的信号进行放大；其中，第一带通滤波器的输出端与第二带通滤波器的输入端连接；所述相位校正电路用于对第一带通滤波器和第二带通滤波器产生的相位差进行校正，所述功率推动级电路与相位校正电路连接，用于放大电流输出能力，并与信号输出端连接。本实用新型电路稳定可靠，体积小，耐高温，输入阻抗高。
一种耐高温精密混合集成放大电路

[实用新型]一种黑水虻成虫加湿饮水系统-CN202222007402.7有效
发明人：李伟;宫述亮;林京波;左希光;杨有田 -专利权人：潍坊金信达生物化工有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： A01K67/033 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种黑水虻成虫加湿饮水系统，属于黑水虻养殖技术领域。包括上水槽，所述上水槽的底部设置有幕布，幕布的顶部插接在上水槽内部，幕布与上水槽间隙配合，幕布的底部放置有储水槽，储水槽管道连接有废水沉淀桶，废水沉淀桶管道连接净水设备，净水设备管道连接有供水系统，供水系统管道连接上水槽，废水沉淀桶与外部水管相连。上水槽内的水在幕布与上水槽的缝隙渗出并形成水珠，水珠在幕布上流动，增加了成虫室内的湿度，黑水虻成虫又可以自由地落在幕布上饮水，这样既解决了成虫室湿度小的问题，又解决了成虫饮用水难的问题，一举两得。
一种黑水成虫加湿饮水系统

[实用新型]一种耐高温高频H桥驱动电路-CN202221035062.2有效
发明人： 左希光;杨要军;张雷;刘明;刘岩 -专利权人：青岛海博瑞微电子研究所有限公司
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H02P6/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐高温高频H桥驱动电路，包括H桥驱动单元和H桥驱动控制单元，所述H桥驱动单元由两个驱动输出端子、四个开关元件构成，所述四个开关元件呈对角设置，所述H桥驱动控制单元，包括一反相器和H桥驱动芯片，所述反相器的输入端接PWM信号，反相器的两个输出端与H桥驱动芯片的两个输入端连接，所述H桥驱动芯片与四个开关元件连接，并控制四个开关元件的两两交替导通，所述H桥驱动单元和H桥驱动控制单元通过厚膜烧结工艺，形成一金属封装结构。本实用新型整体尺寸小，具有稳定、可靠、耐热能力强的优点。
一种耐高温高频驱动电路

[实用新型]一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构-CN202123380071.3有效
发明人： 左希光;段亚东;张雷;刘琰;潘雅敏;温玉波;杨淼;刘岩 -专利权人：青岛海博瑞微电子研究所有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高温、高频SiC‑MOSFET隔离式驱动电路结构，电路的输入端连接电阻R1；电阻R1的另一端连接发射器的输入端；发射器输入地端接数字地,接收器的输入端连接发射器的输出端；其输出端分别连接接隔离电源的VCC+引脚与VCC‑引脚，以及栅驱动器的输入端；接收器的输出端与隔离电源的VCC+引脚之间还连接有电阻R2,接收器的输出端与隔离电源VCC‑引脚之间连接有电容C1,隔离电源的VCC+引脚与隔离电源的VCC‑引脚之间连接有电容C2；栅驱动器的VCC+引脚与VCC‑引脚之间连接有电容C3；基于以上设计的SiC‑MOSFET/IGBT高温隔离式驱动器，可以在175℃的环境下使用，适用于高压大功率高端开关应用三相电机驱动以及半桥、H桥驱动。
一种高温高频 sic mosfet 隔离驱动电路结构