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[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201210506054.6有效
发明人：褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;吴振兴;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：基底，所述基底内形成有基区和主结，所述基区内形成有发射区；发射极金属电极，所述发射极金属电极形成于所述基区和发射区表面，且与所述基区和发射区电连接；第一场板，所述第一场板覆盖所述主结，且与所述发射极金属电极电连接。本发明提供的半导体器件的靠近过渡区主结的基区处存在一个电流通路，为半导体器件在开启过程和关断过程中出现的动态雪崩电流提供了电流泄放通路，从而避免动态雪崩电流使半导体器件失效，改善了半导体器件的性能。而且，第一场板覆盖主结的同时与基区电连接，第一场板电位恒为零，增强了第一场板的电场屏蔽作用，从而提高半导体器件的反向耐压能力。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT及其制造方法-CN201210540052.9在审
发明人：张文亮;朱阳军;陆江;赵佳;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT及其制造方法，属于半导体器件技术领域。该沟槽型IGBT包括发射极、栅氧、P^-基区、N^-漂移区，栅氧镶嵌于沟槽中，发射极呈L型，L型发射极的一条边形成于沟槽的侧壁，L型发射极的另一条边水平覆盖于P^-基区上，相邻的两个沟槽之间相邻的两个L型发射极之间形成接触孔。该沟槽型IGBT发射极为L型，闩锁电流密度提高，元胞密度增加，设计时的自由度提升。本发明还公开了基于该沟槽型IGBT的制造方法，该方法包括向P^-基区顶部位于沟槽之外的区域分别大角度左、右注入N型杂质，形成N型杂质层；对N型杂质层进行掩膜光刻，同时形成L型发射极和接触孔。该方法工艺简单、成本低。
一种沟槽 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种绝缘栅双级晶体管-CN201210526368.2无效
发明人： 左小珍;张杰;褚为利;赵佳;田晓丽;吴振兴;卢烁今;朱阳军 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：元胞区，包围所述元胞区的终端区；位于所述元胞区的多个IGBT元胞；位于所述终端区的终端结构，所述终端结构包括：多个场限环，所述多个场限环间隔分布；其中，所述场限环包括：水平部，竖直部，连接所述水平部与竖直部的弧形连接部；所述弧形连接部包括：弧形内边和弧形外边；所有弧形内边以及弧形外边的曲率中心不完全相同。本申请实施例所述IGBT通过设计场限环的结构，进而分散半导体衬底同一个顶角区域电场线的分布，避免了由于电场线过于集中同一导致顶角区域PN结的击穿，提高了IGBT的耐压能力。
一种绝缘栅双级晶体管

[实用新型]一种IGBT的版图-CN201320121908.9有效
发明人：田晓丽;朱阳军;陆江;赵佳;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT的版图，属于大功率半导体器件技术领域。该版图包括有源区、Gatebus、终端区、栅PAD、源PAD和Gatefinger，有源区由并联的元胞构成，在有源区的外围有一周Gatebus，在Gatebus的外围一周有终端区,有源区内部有栅PAD，栅PAD位于IGBT的芯片中央、多个源PAD由Gatefinger间隔分布。本实用新型不仅保证了芯片各处传导的栅压基本均等，使电流分布均匀，器件参数一致性良好。同时，还大大减弱了电流集中产生的热集中现象，提高了器件可靠性，适用于大电流芯片及更便于封装。
一种 igbt 版图

[发明专利]一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图-CN201210345372.9在审
发明人： 左小珍;朱阳军;赵佳;卢烁今;田晓丽;陆江;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图，属于半导体技术领域，该大电流IGBT版图包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点，终端区位于元胞区的周围，源极压焊点位于元胞区上，栅极压焊点位于源极压焊点中心，源极压焊点彼此之间和源极压焊点与栅极压焊点之间均有Gatebus；其中，元胞区与终端区衔接部分有一个以上不连续的Gatebus。本发明解决了原有版图设计方案中栅极开启电压分布不均的问题，保证了整个元胞区内元胞的充分开启，电流分布均匀；同时也加快了整体元胞区元胞的开启速度，提升了器件的开启速度。
一种栅极电压均匀分布电流 igbt 版图

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220672867.8有效
发明人： 左小珍;朱阳军;吴振兴;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IGBT版图，属于半导体大功率器件的技术领域。该版图元胞区、源极压焊点、栅极压焊点和多晶硅，源极压焊点位于元胞区上，元胞区由多个元胞排列并联组成，元胞的栅极通过多晶硅相连，并将栅极的电位引出至栅极压焊点，其中，栅极压焊点下的金属层的下方为氧化层，氧化层下为多晶硅层，多晶硅层包括多个块状多晶硅，多个块状多晶硅之间互不相连。本实用新型利用了减小多晶硅面积来实现栅极电容的减小,从而减小电容充放电速度，减小器件开关时间，提高器件性能。
一种 igbt 版图

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220587115.1有效
发明人：喻巧群;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括栅极总线，所述栅极总线位于所述有源区的至少三条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，所述栅极总线与所述栅极压焊点电连接。通过栅极总线将栅极电压传导到各个元胞处，能够保证各处的元胞同时开启，从而达到电流分布均匀。同时，克服了现有技术中电流路径增大，导致器件开态电阻增大的问题。
一种 igbt 版图

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220652972.5有效
发明人：赵佳;朱阳军;左小珍;田晓丽;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT版图，包括元胞区、位于所述元胞区周围的终端区、源极压焊点和多个栅极压焊点，所述栅极压焊点的数量与所述元胞区的顶点数相同，所述源极压焊点位于所述元胞区的中间位置，所述栅极压焊点均匀分布在所述源极压焊点的周围，且位于所述元胞区边缘区域，所述源极压焊点的面积占元胞区面积的比例范围为60%~80%，包括端点值。本实用新型提供的IGBT版图，多个栅极压焊点均匀分布在源极压焊点的周围，保证元胞区所有区域都能在相同的条件下开启，省略了gatebus，使gatebus对源极压焊点的限制消失，从而允许增加源极压焊点的面积，而大面积的源极压焊点可以缓解因电流集中效应产生的热集中现象。
一种 igbt 版图

[实用新型]一种半导体器件-CN201220647148.0有效
发明人：褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；阱区，所述阱区形成于所述半导体衬底内；栅极总线，所述栅极总线形成于所述阱区的表面；第一场板，所述第一场板形成于所述半导体衬底表面且覆盖部分阱区；其中，所述第一场板与所述栅极总线电连接。本实用新型提供的半导体器件的第一场板与栅极总线电连接，使第一场板与栅极总线的电位保持一致，那么，当半导体器件承受相同的反向电压时，第一场板与半导体衬底之间的偏压差会有所增大，使得半导体表面的耗尽区进一步展宽，从而使半导体器件的反向耐压能力得到加强。
一种半导体器件

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220586619.1有效
发明人：喻巧群;张杰;朱阳军;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和至少一条gate finger，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点、所述源极压焊点和所述gate finger位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括gate bus，所述gate bus位于所述有源区的至少两条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，其中的两条边处于相对的位置；其中，所述gate finger连接所述栅极压焊点和所述gate bus。本实用新型通过gate finger和gate bus将栅压传导到各个元胞处，能够确保处于不同位置的元胞充分开启，使得电流分布均匀。
一种 igbt 版图

[实用新型]一种沟槽型IGBT版图结构-CN201220674679.9有效
发明人： 左小珍;朱阳军;赵佳;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽型IGBT版图结构，属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直，所述元胞的栅极通过多晶硅连接。本实用新型由于四个不同区域内元胞的排列方向不同，即相邻两个区域内的元胞排列方式是垂直的，因此在流片过程中产生应力的方向也是垂直的。在多个重复单元排列的情况下便可减少单一方向应力的集中，从而减轻圆片翘曲的可能。
一种沟槽 igbt 版图结构

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201110201384.X有效
发明人：孙宝刚;左小珍;朱阳军;卢烁今;吴振兴;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度；在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法，通过在漂移区内形成沟槽栅区，从而使得导电沟道垂直化，且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度，因此不存在JFET区，使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积，而且可减小产生闩锁效应发生的几率。
绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN201110175526.X有效
发明人：孙宝刚;吴振兴;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到所述栅区下方的沟道区，并且所述掺杂区的深度小于所述阱区的深度，大于所述源区的深度，掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度。本发明实施例在器件的阱区内形成的是高掺杂浓度的浅结，降低了源区与阱区接触面的接触电阻，避免了闩锁效应，且由于浅结并未扩散到沟道处，保证了该IGBT器件具有较低的阈值电压，改善了器件的性能。
igbt 器件及其制作方法

[发明专利]沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201110168499.3有效
发明人：赵佳;朱阳军;卢烁今;孙宝刚;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。
沟槽绝缘双极晶体管及其制作方法

[实用新型]绝缘栅双极晶体管-CN201120214540.1有效
发明人：赵佳;朱阳军;孙宝刚;卢烁今;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管，由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状，因此，单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞总面积的比值较大，从而使得器件的导通电阻较小；而且，采用正六角形形状或正方形形状作为绝缘栅双极晶体管的元胞结构，能够使得各元胞更紧密地结合，从而使得电流分布更均匀，还能提高器件的表面利用率。
绝缘双极晶体管

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