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[发明专利]非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法-CN201410666066.4有效
发明人：南尚完;李康斌;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法。提供了一种擦除非易失性存储装置的方法，非易失性存储装置包括沿垂直于基底的方向形成的多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串。所述方法包括下述步骤：利用电源电压选择将被擦除的存储块；利用负电压取消选择除了选择的存储块以外的剩余的存储块；设置偏置条件以减小取消选择的存储块的泄漏电流；以及对选择的存储块执行擦除操作。
非易失性存储装置除非易失性方法

[发明专利]操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统-CN201310206487.4有效
发明人：李知尚;金武星;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统。操作非易失性存储装置的方法可包括识别在非易失性存储装置中的已进行从擦除的状态到至少部分编程的状态的无意的编程的一个或多个多位非易失性存储单元。可通过执行多个读取操作以产生差错检测数据并且随后对差错检测数据进行解码以识别具有差错的特定单元，来检测对第一多个非易失性存储单元中进行编程的操作期间产生的差错。编程的第一多个多位非易失性存储单元和在编程操作期间更改的强迫位数据矢量可被读取以支持差错检测。该数据以及从与第一多个多位非易失性存储单元相关联的页缓冲器读取的数据随后可被解码，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的哪个是无意地编程的单元。
操作非易失性存储装置方法集成电路存储系统

[发明专利]读取存储单元的方法和使用该方法的非易失性存储器件-CN201210375708.6在审
发明人：朱相炫;宋基焕;李柱硕;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。
读取存储单元方法使用非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器和根据被选字线控制虚设字线电压的方法-CN201210182593.9无效
发明人：朱相炫;崔奇焕;金武星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：非易失性存储器装置包括在操作期间选择字线的访问电路，访问电路在操作期间选择字线、将被选字线电压施加到被选字线、将未被选字线电压施加到字线中的未被选择的字线并将虚设字线电压施加到虚设字线。当被选字线不与虚设字线相邻时，虚设字线电压是第一虚设字线电压，当被选字线与虚设字线相邻时，虚设字线电压是与第一虚设字线电压不同的第二虚设字线电压。
非易失性存储器根据被选字线控制虚设电压方法

[发明专利]非易失性存储器件及其读取方法-CN201110380017.0有效
发明人：李知尚;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：在一个实施例中，所述方法包括：接收读取在与第一字线相关联的第一存储单元中所存储的数据的请求；以及响应于该请求对与第二字线相关联的至少一个存储单元执行读取操作。所述第二字线按照字线编程顺序跟在第一字线之后，并且在第一时间段上执行第一读取操作。所述方法进一步包括基于来自第一读取操作的输出对第一存储单元执行第二读取操作。第二读取操作被执行一第二时间段，并且如果从执行第一读取操作的输出指示第一存储单元没有被耦合，则第一时间段短于第二时间段。
非易失性存储器及其读取方法

[发明专利]利用编程定序器的闪存器件和系统，以及编程方法-CN201110145953.3有效
发明人： 崔奇焕;李城秀;朴宰佑;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种用于非易失性存储器件的编程方法，包括：执行LSB编程操作编程全部LSB逻辑页面，之后执行MSB编程操作编程全部MSB逻辑页面，其中，在LSB编程操作期间，将选择的MLC编程为负中间编程状态。用于LSB和MSB编程操作的编程序列相对于字线的排列次序可以是顺序的或非顺序的。
利用编程定序器闪存器件系统以及方法

[发明专利]对非易失性存储器器件编程的方法-CN201010158548.0有效
发明人：权五锡;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种对非易失性存储器器件编程的方法。该方法将存储器单元从一个或一个以上第一逻辑状态编程为两个或两个以上第二逻辑状态。在所述方法中，向选定字线提供编程电压的数目，并且与第二逻辑状态相对应的验证电压被提供到所述选定字线。提供到所述选定字线的编程电压的数目根据第一逻辑状态中的每个与第二逻辑状态中的每个之间的阈值电压差而变化。
非易失性存储器器件编程方法

[发明专利]非易失性存储器器件和相关的编程方法-CN201010150541.4有效
发明人：尹盛远;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器器件和相关的编程方法。该非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生电压，以对多个存储器单元进行编程；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制电压生成器，以在编程循环的连续迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压。其中，在当前编程循环迭代期间判断与一个逻辑状态相对应的存储器单元被编程通过的情况下，控制逻辑组件控制电压生成器，使得在后续编程循环迭代期间，跳过与一个逻辑状态相对应的编程电压。
非易失性存储器器件相关编程方法

[发明专利]非易失性存储设备及其编程方法和预充电电压提升方法-CN200910179289.7有效
发明人：权五锡;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种根据本发明的对非易失性存储设备编程的方法包括：根据载入页缓冲区中的数据对位线预充电；将预充电的位线分别电连接到与所述位线对应的沟道，以便对沟道充电；以及在对沟道充电之后施加用于编程的字线电压。根据载入相邻页缓冲区中的数据来确定所述沟道中每个沟道的沟道电压提升。
非易失性存储设备及其编程方法充电电压提升

[发明专利]用于非易失性存储器的编程方法-CN200810188771.2有效
发明人：文承炫;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。
用于非易失性存储器编程方法

[发明专利]用于非易失性存储器的编程和擦除方法-CN200810179960.3有效
发明人：文承炫;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程或擦除的方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每一个单元编程或擦除循环包括向非易失性存储设备的一部分(例如，字线或衬底)施加作为正或负电压的至少一个编程脉冲、至少一个擦除脉冲、至少一个时间延迟、至少一个软擦除脉冲、至少一个软编程脉冲和/或至少一个验证脉冲。
用于非易失性存储器编程擦除方法

[发明专利]编程非易失性存储装置的方法-CN200810213560.X有效
发明人：朴祥珍;薛光洙;崔奇焕;成政宪;崔相武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种编程非易失性存储装置的方法，该方法可以包括：将编程电压施加到存储单元；在施加了编程电压之后，可以将辅助脉冲施加到存储单元以有助于电荷的热化；在施加辅助脉冲之后，可以将恢复电压施加到存储单元；在施加恢复电压之后，可以利用校验电压来校验存储单元的编程状态。
编程非易失性存储装置方法

[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法-CN200810074198.2有效
发明人：薛光洙;朴祥珍;李晟熏;朴星一;金钟燮;崔正达;崔奇焕;沈载星;文承炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：提供一种操作非易失性存储器装置执行擦除操作的方法。所述方法包括：将包括直流(DC)脉冲和DC微扰脉冲的组合脉冲施加于非易失性存储器装置，以执行擦除操作。
操作非易失性存储器装置方法

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