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[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201780026979.1有效
发明人：林昌之;远藤亨;河原启之;岩田敬次;根来世 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理装置包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口。在基板处理装置中执行：第一处理步骤，将第一药剂流体从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出，对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将第二药剂流体供给至所述基板的主面，对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水置换所述药剂流体配管的内部。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201780047398.6有效
发明人：林昌之;岩田敬次 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理装置包含：旋转单元，使被收容在腔室内的基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线旋转；喷嘴，具有喷出口，用于从所述喷出口朝被所述旋转单元保持的基板的主表面喷出液体；第一药液供给单元，用于对所述喷嘴供给第一药液；处理杯，用于收容所述基板保持单元，并具有多个筒状的防护罩，所述多个筒状的防护罩包含围绕所述基板保持单元的周围的筒状的第一防护罩以及围绕所述第一防护罩的周围的筒状的第二防护罩；升降单元，用于使所述多个防护罩中的至少一个防护罩升降；以及控制装置，控制所述旋转单元、所述第一药液供给单元以及所述升降单元；所述控制装置执行：上位置配置步骤，将所述多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置，该上位置是比预定的接液位置靠上方并能通过所述防护罩接住从被所述旋转单元旋转的基板飞散的液体的预定的上位置，所述预定的接液位置是能通过所述防护罩接住从该基板飞散的第一药液的位置；以及第一药液供给步骤，在所述防护罩配置在所述上位置的状态下，一边通过所述旋转单元使基板旋转一边对基板的主表面供给第一药液。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法-CN202180058516.X在审
发明人：江本哲也;山本滋;藤井大树;枝光建治;岩田敬次;川井侑哉;伊藤健一 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种基板处理方法。基板处理方法包括：对基板(W)供给拒水剂(SMT)的工序(S7)；在供给拒水剂(SMT)后，对基板(W)供给稀释异丙醇(dIPA)的工序(S11)，所述稀释异丙醇是经过稀释的异丙醇；以及在供给稀释异丙醇(dIPA)后，使基板(W)干燥的工序(S12)。
处理方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202210898031.8在审
发明人：山本滋;岩田敬次;藤井大树;枝光建治;川井侑哉;伊藤健一 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一减压工序、第一加压工序以及第一常压工序。在第一减压工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂。第一加压工序是在第一减压工序之后执行。在第一加压工序中，将混合气体(K)供给至腔室(3)内的基板(W)，腔室(3)的内部从经减压的状态(D)被加压至常压状态(J)。混合气体(K)包含有机溶剂与惰性气体。第一常压工序是在第一加压工序之后执行。在第一常压工序中，腔室(3)的内部保持为常压状态(J)，进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202210898032.2在审
发明人：山本滋;枝光建治;藤井大树;岩田敬次;伊藤健一;川井侑哉 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序。在第一气体处理工序中，在腔室(3)的内部经减压的状态(D)下，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂的气体。疏水处理工序是在第一气体处理工序之后执行。在疏水处理工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将疏水剂(H)供给至腔室(3)内的基板(W)。散布工序是在疏水处理工序之后执行。在散布工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一液(L1)散布至腔室(3)内的基板(W)。第一液(L1)包含有机溶剂的液体。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201910630061.9有效
发明人：根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN202111585021.0在审
发明人：山本滋;藤井大树;岩田敬次;枝光建治;川井侑哉;伊藤健一 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制形成基板的图案的崩坏。基板处理方法包括：淋洗工序，利用淋洗液(L2)来处理基板(W)；浸渍工序，在淋洗工序之后，将基板(W)浸渍于贮存在处理槽(230)中的经稀释化的异丙醇(dIPA)；第一异丙醇处理工序，在浸渍工序之后，利用异丙醇来处理基板(W)；以及疏水处理工序，在第一异丙醇处理工序之后，对基板(W)进行疏水处理。
处理装置以及方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202110849761.4在审
发明人：山本滋;藤井大树;枝光建治;岩田敬次;川井侑哉;伊藤健一 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高基板的清洁度的基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包含将被稀释化的异丙醇即稀释异丙醇(dIPA)储存在处理槽(3)中的工序(S14)，以及将经憎水化处理的基板(W)浸渍在处理槽(3)内的稀释异丙醇(dIPA)中的浸渍工序(S15)。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202110864672.7在审
发明人：合田和树;岩田敬次;松永恭幸;高桥朋宏 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地确认气泡供给管的开口的状态的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100A)具备处理槽(110)、气泡供给管(180A)、测量部(353)和判定部(12)。处理槽(110)贮留处理液(LQ)并浸渍基板(W)。气泡供给管(180A)具有向处理液(LQ)中供给气体以形成气泡的多个开口(G)。测量部(353)在处理液(LQ)中测量由被供给了气泡的处理液(LQ)的状态引起的物理量。判定部(12)基于物理量判定多个开口(G)的状态。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理装置-CN201710622173.0有效
发明人： 岩田敬次;岩见优树;小林知之;天久贤治;佐藤昌治 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，包括：多个夹具构件(13)，其通过将基板夹持为水平而将上述基板保持为水平的姿势；处理液供给单元，向基板(W)供给处理液；以及热源，配置于基板的上方。夹具构件(13)包括：导电性构件(41)，至少一部分由含有碳的材料形成，包括：底座部(46)，配置在比基板(W)靠近下方的位置；以及接触部(47)，从上述底座部(46)的上表面(46a)向上方突出，按压于基板(W)的外周部；以及夹具盖(42)，安装于导电性构件(41)，俯视时未覆盖底座部(46)的至少一部分而覆盖接触部(47)。
处理装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法-CN202010482294.1在审
发明人： 岩田敬次;森田明;高桥朋宏;枝光建治;杉冈真治 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法。本发明的课题在于根据处理的进展来调节处理液的循环流量。基板处理装置(1)具有：处理槽(11)，其使基板W浸渍于处理液；溢流槽(12)，其对从处理槽溢出的处理液进行回收；循环配管(13)，其将处理槽(11)与溢流槽(12)连接而使处理液循环；旁通配管(20)，其绕过设置于循环配管(13)的管线上加热器(16)和过滤器(17)而与循环配管(13)并行地连接；和开闭阀(21)，其对旁通配管(20)进行开闭，在硅浓度增高的蚀刻初期等将开闭阀(21)打开，使处理槽(11)中的处理液的流量增加。
处理装置系统方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201410443035.2有效
发明人：根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201410458114.0有效
发明人：根来世;永井泰彦;岩田敬次;大须贺勤;村元僚 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括处理液供给工序，向基板的主面供给处理液；基板旋转工序，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；加热器加热工序，与所述基板旋转工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器，对所述处理液的所述液膜进行加热；热量调整工序，与所述加热器加热工序并行地进行，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜的规定部分的热量。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201410458220.9有效
发明人：根来世;永井泰彦;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括液膜保持工序，用于将处理液的液膜保持在基板的主面上，加热器加热工序，与所述液膜保持工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器对处理液的所述液膜加热；所述加热器加热工序，在其执行过程中，使该加热器的功率从之前的功率发生变更。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201410443208.0在审
发明人：根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：SPM供给工序，将高温的SPM供给到基板的上表面；DIW供给工序，在SPM供给工序之后，通过将室温的DIW供给到基板的上表面，来冲洗残留在基板上的液体；双氧水供给工序，在SPM供给工序后且在DIW供给工序前，在SPM残留在基板上的状态下，将液温比SPM的温度低且室温以上的双氧水供给到基板的上表面的双氧水供给工序；以与双氧水供给工序并行的方式，将高温的纯水供给到基板的下表面的温度降低抑制工序。
处理方法以及装置

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