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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种基于同组基板的双向发光元件-CN202122063761.X有效
发明人：邝光宁;朱瑶;林君彦;黄怡萍 -专利权人： 山西华晶恒基新材料有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型具体涉及一种基于同组基板的双向发光元件，属于半导体发光元件技术领域，所要解决的问题是提供一种提高发光亮度，且可以调节发光亮度的双向发光元件，采用的方案为：一种基于同组基板的双向发光元件，包括：基板，所述基板具有供外延生长的第一晶面和第二晶面；发光元件本体A，所述发光元件本体A配置于所述第一晶面上；发光元件本体B，所述发光元件本体B配置于所述第二晶面上；本实用新型通过单侧发光元件本体A或者发光元件本体B启动或者双侧发光元件本体同时启动，调节发光亮度，使用范围更广。
一种基于同组双向发光元件

[实用新型]一种采用金属反光层的发光元件基板-CN202122063777.0有效
发明人：邝光宁;朱瑶;林君彦 -专利权人： 山西华晶恒基新材料有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型为一种采用金属反光层的发光元件基板，属于发光半导体领域；提出一种采用金属反光方式的发光元件基板；技术方案为：一种采用金属反光层的发光元件基板，所述发光元件基板上表面设置有若干微结构，相邻微结构之间的发光元件基板上表面涂覆有金属反光层，且所述金属反光层上表面低于微结构上端。
一种采用金属反光发光元件

[实用新型]一种取光率高的发光元件-CN202122063779.X有效
发明人：邝光宁;王派天;江仁杰;李志杰 -专利权人： 山西华晶恒基新材料有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型为一种取光率高的发光元件，属于发光半导体领域；提出一种取光率高且整体品质优良的发光元件；技术方案为：一种取光率高的发光元件，包括：发光元件基板、金属反光层、第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第二电极；所述发光元件基板上端面设置有若干圆台凸起，圆台凸起上端面设置有中介层，所述中介层为若干微小凸起结构；若干圆台凸起之间的发光元件基板上端面设置有金属反光层；所述中介层上方依次磊晶成长第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一半导体层上还设置有第一电极,所述第二半导体层上还设置有第二电极。
一种取光率高发光元件

[实用新型]一种发光元件基板及其高品质发光元件-CN202122066002.9有效
发明人：邝光宁;江仁杰;李志杰 -专利权人： 山西华晶恒基新材料有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型具体涉及一种发光元件基板及其高品质发光元件，属于半导体发光元件技术领域，所要解决的问题是提供一种提高磊晶层生长品质稳定性的发光元件基板及其高品质发光元件，采用的方案为：透明基板本体的一个表面分布有多个圆台凸部，多个圆台凸部呈阵列均匀排布，相邻的圆台凸部之间设置有空隙，相邻的圆台凸部上部的平坦结构一之间的间距介于0.5μm至2.5μm之间；中介层分布于平坦结构一上，中介层由多个微凸块组合而成，多个微凸块呈阵列均匀排布，每个微凸块的顶部为平坦结构二；以及其高品质发光元件；本实用新型增加了磊晶成长的速度，改善了透明基板本体与磊晶层的晶格不匹配问题。
一种发光元件及其品质

[实用新型]一种单晶炉籽晶冷却杆-CN201920842291.7有效
发明人：高佑君;王维林 -专利权人： 山西华晶恒基新材料有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：一种单晶炉籽晶冷却杆，包括冷却管，所述冷却管设置有进水口和出水口，所述冷却管包括相互套接的内冷套管和外冷套管，所述内冷套管、外冷套管各自设置进出水口，所述内冷套管设置有其相对于外冷套管的第一位移传感器，所述外冷套管设置有其相对于单晶炉的第二位移传感器。本实用新型通过增加一个活动的内冷套管，通过内、外冷套管相对位置的变化，避免了现有技术中只能被动接受整体的熔体温度梯度，实现了对籽晶及籽晶附近熔体温度梯度的调整，极大的提高了引晶效率和放肩效率，具有较大的经济效益。
一种单晶炉籽晶冷却

[发明专利]一种单晶炉籽晶冷却杆及晶种附近熔体温度梯度调整方法-CN201910486470.6在审
发明人：高佑君;王维林 -专利权人： 山西华晶恒基新材料有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：一种单晶炉籽晶冷却杆，包括冷却管，所述冷却管设置有进水口和出水口，所述冷却管包括相互套接的内冷套管和外冷套管，所述内冷套管、外冷套管各自设置进出水口，所述内冷套管设置有其相对于外冷套管的第一位移传感器，所述外冷套管设置有其相对于单晶炉的第二位移传感器。本发明通过增加一个活动的内冷套管，通过内、外冷套管相对位置的变化，避免了现有技术中只能被动接受整体的熔体温度梯度，实现了对籽晶及籽晶附近熔体温度梯度的调整，极大的提高了引晶效率和放肩效率，具有较大的经济效益。
套管内冷籽晶温度梯度单晶炉冷却管熔体位移传感器套管设置冷却杆进出水口出水口进水口放肩晶种套接引晶

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