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[发明专利]多晶硅装料方法-CN201510573026.X有效
发明人：张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明技术是一种多晶硅装料方法，将石英坩埚的内部以坩埚上口中心点为基点分成中心区域，中间区域和外部区域三个体积区域。将多晶硅原料分成三个粒径范围，在不同的区域分别填充不同粒径的多晶硅原料。装料时从坩埚底部开始分层向上装料，采用超声振动的方式将细颗粒的多晶硅填充进大块体的间隙中，提高填充的体积分数。有效防止熔化过程中漏硅、喷硅和粘接挂边的问题。坩埚中填充的多晶硅原料的实际填充密度达到坩埚体积的70％以上。
多晶装料方法

[发明专利]硅片及制造方法-CN201510335859.2在审
发明人：李秦霖;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种高品质硅片及制造方法。所述方法采用切克拉斯基法（Cz法）拉制氧浓度5×10¹⁷atoms/cm³~1×10¹⁸atoms/cm³、氮浓度5×10¹⁴atoms/cm³~2×10¹⁶atoms/cm³的晶棒，用此晶棒加工成硅片后，使硅片在700℃~1000℃的升温区间里处于氮气气氛中、在1000℃~1100℃的升温区间里处于氮气和氩气混合气氛中，在1100℃~1150℃的升温区间里处于氩气气氛中，在氩气气氛中1150℃恒温热处理后降温至700℃以下制备硅片。
硅片制造方法

[发明专利]一种硅片的抛光方法-CN201510574048.8在审
发明人：沈思情;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅片的抛光方法，通过改善抛光工艺（如抛光液组分、抛光压力、抛光时间、抛光转速等）来提高抛光质量，尤其是提供了一种在线检测PH值的抛光工艺，能及时检测到抛光液PH值的变化，从而及时添加PH调节剂来精确控制PH值，可以降低硅片抛光过程中硅片表面几何参数变差的程度，提高最终产品的成功率；还可以减少抛光时间，提高生产效率。
一种硅片抛光方法

[发明专利]单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术-CN201510573050.3在审
发明人：张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种提拉法单晶硅生长分区式不间断稳定供电技术。市电与单晶生长炉完全断开，只通过本发明供电技术供电。硅单晶生长炉用电分成直流和交流两个区域，直流区域为加热器和控制系统，交流区域为炉体冷却、晶体旋转、坩埚旋转等辅助系统。本发明主体分成四个部分，第一部分为市电及备用电源输入、整流稳定及充电部分，且通过升压将电压提高12%；第二部分为电池组部分，采用锂离子电池做为长效型电池存储单元；第三部分为直流输出部分，是主功率输出部分，具备电压和电流的双重供电调节能力，分为多级体系，为加热器和控制系统供电；第四部分为交流输出部分，采用逆变器输出，为冷却水等辅助系统供电，稳定性高，电压及频率波动小。
单晶硅生长分区不间断稳定供电技术

[发明专利]直拉法生长单晶硅用石英坩埚的设计及制备方法-CN201510573079.1在审
发明人：张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明技术是一种直拉法生长单晶硅用石英坩埚的设计及制备方法。石英坩埚形状设计为三段式结构，第一段为底部为平面，第二段为抛物线弧形连接面，第三段为圆柱形立柱面。石英坩埚壁各部分的厚度相同。石英坩埚壁为双层结构，外层为基体，由石英陶瓷构成。内层为杂质浓度和气泡极低的石英玻璃构成，内层石英玻璃厚度大于1mm。在内层石英玻璃的外壁上制备一层氮化硅层。其厚度为50µm，氮化硅中含有75-150ppm的碱金属或碱土金属。将外层基体和带有镀层的内层装在一起形成复合体，在真空条件下，将复合体加热到1500℃以上，将外层基体与内层石英熔合，形成石英坩埚。此石英坩埚在生长单晶硅时，硅晶体心部与边部的温度差小，晶体质量高。
直拉法生长单晶硅石英坩埚设计制备方法

[发明专利]直拉法单晶硅生长中硅熔液的温度场控制技术-CN201510572950.6在审
发明人：张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明技术提供一种直拉法单晶硅生长中硅熔液的温度场控制技术。制备两层结构的石英坩埚，内层由高纯石英玻璃构成，在石英玻璃的外壁抛光，并镀上一层氮氧化硅薄膜。用于反射熔体的热量，在单晶硅和石英坩埚壁之间形成一个高温环。石英坩埚的形状分成上下两个部分，上半部分是一个圆柱体。下半部分是一个半椭球体，长轴水平放置，短轴垂直放置。长轴和短轴的尺寸与拉制单晶的尺寸和提拉工艺相关。通过控制晶体转速和坩埚转速，可以控制熔体温度场和温度分布，从而控制单晶硅中的氧分布和掺杂元素分布的均匀性，提高单晶的质量。
直拉法单晶硅生长中硅熔液温度场控制技术

[发明专利]单晶硅生长炉用导流筒及其应用-CN201510572960.X在审
发明人：李秦霖;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅生长炉用导流筒。该导流筒包括锥形导流内筒和外筒，内筒和外筒之间具有填充保温碳毡的保温层，外筒与保温层之间设有金属钼或钨制备的隔热层。通过锥形内筒吸收来至晶锭的辐射热，并整流气体冷却晶锭，提高晶锭的轴向温度梯度。同时借助导流筒整流气体，提高气体的流速，降低熔体液面处的SiO分压，从而降低熔体中的氧含量。提高晶锭的品质，加快晶体生长速率，降低生产成本。本发明还提供一种借助该导流筒消除石英坩埚壁多晶颗粒的应用方法。
单晶硅生长导流及其应用

[发明专利]提拉法单晶硅生长流场控制技术-CN201510573377.0在审
发明人：张俊宝;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明技术是一种提拉法单晶硅生长流场控制技术。主加热器形成一个从熔体外侧向中心的自然对流Gr，通过坩埚的旋转，将使坩埚外侧熔体往中心的流动Tc。晶体的旋转，形成一个强迫对流Re，在坩埚的底部加一个底部加热器，加热器为双螺旋渐开线形结构，随坩埚同步上下移动。底部加热器使坩埚的底部的温度高于四周的温度，形成一个从中心向上的对流Gz。通过控制将熔体分成内外两个流场区域，交汇在晶体与坩埚壁的中间区域，最佳点位置为，从而控制晶体生长界面处的温度分布和熔体中氧分布，再通过提拉速度，进而控制晶体中的元素均匀性。
提拉法单晶硅生长控制技术

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