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- [发明专利]基板及发光元件-CN202080016889.6在审
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大井户敦;山泽和人
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TDK株式会社
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2020-02-27
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2021-10-19
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C30B29/38
- 基板(10)具备重叠的第一层(L1)及第二层(L2)，第一层(L1)包含结晶质的AlN及添加元素，第二层(L2)包含结晶质的α‑氧化铝，添加元素为选自稀土元素、碱土元素及碱金属元素中的至少一种，第一层(L1)的厚度为5～600nm，RC(002)为源自AlN的(002)面的衍射X射线的摇摆曲线，RC(002)通过第一层(L1)的表面SL1的ω扫描来测定，RC(002)的半值宽度为0～0.4°，RC(100)为源自AlN的(100)面的衍射X射线的摇摆曲线，RC(100)通过第一层(L1)的表面SL1的扫描来测定，RC(100)的半值宽度为0～0.8°。
- 发光元件
- [发明专利]氧化铝基板-CN201680011843.9有效
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山泽和人;大井户敦;川崎克己
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TDK株式会社
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2016-03-02
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2020-08-07
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C30B29/38
- 本发明提供一种形成有AlN层且降低了翘曲的氧化铝基板。本发明提供一种基板材料，在本基板上生长AlN晶体等的情况下，具有能够耐受通常的操作的程度的强度，并且在生长中或者冷却中施加了过度的应力的情况下防止在生长晶体中引入裂纹或碎裂。制成：在表面形成有AlN层的氧化铝基板中，在AlN层的内部或者AlN层与氧化铝基板界面形成有含稀土区域以及空隙的基板。通过含稀土区域集中晶格失配应力，另外空隙释放应力，从而能够降低AlN层的翘曲。另外，由于含稀土区域集中应力，空隙降低机械强度，因此能够诱发裂纹或者碎裂的起源和传播，结果能够防止在本基板上生长的晶体中混入裂纹或碎裂。进一步含稀土区域能够确保操作程度的机械强度。
- 氧化铝
- [发明专利]氧化铝基板-CN201580042829.0有效
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山泽和人;大井户敦;川崎克己
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TDK株式会社
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2015-08-06
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2019-10-11
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C30B29/38
- 本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。
- 氧化铝
- [发明专利]法拉第旋转子-CN200610101571.X有效
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菅原保;大井户敦;山泽和人
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TDK株式会社
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2002-12-17
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2007-03-28
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G02F1/09
- 本发明的目的是提供使用了法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料的法拉第旋转子。化学组成为(Bi3－a－b－cGdaTbbYbc)Fe(5－w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
- 法拉第旋转
- [发明专利]磁性石榴石单晶和使用该单晶的法拉第转子-CN00122520.0有效
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大井户敦;山泽和人
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TDK株式会社
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2000-08-02
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2004-09-08
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H01F10/20
- 本发明涉及磁性石榴石单晶和使用该单晶的法拉第转子，提供抑制了晶体缺陷发生的磁性石榴石单晶和提高消光比的法拉第转子。本发明的目的是通过使用用液相外延生长法生长，并用一般式BiaPbbM3-a-bFe5-c-dM4cPtdO12(式中的M3是从Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出来的至少一种元素，M4是从Ga、Al、Sc、Ge、Si中选出来的至少一种元素，a、b、c、d分别为：0＜a＜3.0，0＜b≤2.0，0≤c≤2.0，0＜d≤2.0)表示的磁性石榴石单晶实现的。
- 磁性石榴石使用法拉第转子
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