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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]线圈器件以及线圈器件的制造方法-CN202310297567.9在审
发明人：鸟井阳平;吉野学;山口靖雄;蔀拓一郎;今坂俊博 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：提供具有由绝缘膜绝缘的第1线圈及第2线圈、抑制了绝缘膜的变形的线圈器件及其制造方法。具有：基板，具有第1主面和与第1主面相对的第2主面；第1绝缘膜，在将从第2主面朝向第1主面的方向作为第1方向的情况下与基板在第1方向侧相接地设置；第1线圈部，与第1绝缘膜在第1方向侧相接地设置，为涡旋状的导体膜；第2绝缘膜，设置为覆盖第1线圈部的第1方向侧以及未设置第1线圈部的第1绝缘膜的第1方向侧；第2线圈部，与第2绝缘膜的第1方向侧相接地设置，为涡旋状的导体膜；以及第1槽，设置于第2绝缘膜，在俯视观察时在相比于第2线圈部的外周端处于内侧的区域，在第2绝缘膜的第1方向侧的面沿第1方向具有宽度。
线圈器件以及制造方法

[发明专利]变压器元件、半导体装置、变压器元件的制造方法以及半导体装置的制造方法-CN202310135786.7在审
发明人： 山口靖雄;吉野学;今坂俊博;鸟井阳平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：提供一种能够抑制对线圈的特性造成的影响且将用于线圈的导线键合的焊盘增厚的变压器元件及其制造方法、半导体装置及其制造方法。变压器元件具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于第1绝缘膜之上，与第1线圈相对；第1焊盘，其设置于第1绝缘膜之上，与第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于第1焊盘之上；以及第2绝缘膜，其以覆盖第2线圈的方式设置于第1绝缘膜之上以及第2线圈之上，第1焊盘和第2焊盘合起来的厚度比第2线圈厚，第2焊盘部分地覆盖第2绝缘膜。
变压器元件半导体装置制造方法以及

[发明专利]变压器装置及半导体装置-CN202210017074.0在审
发明人：今坂俊博;吉野学;山口靖雄;鸟井阳平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本发明涉及变压器装置及半导体装置。提供能够高品质地将导线接合于使线圈间绝缘的绝缘层上侧的焊盘的变压器装置。变压器装置具有：面状的第1线圈；第1绝缘层，其设置于第1线圈上侧；中间层，其设置于第1绝缘层上侧；第2绝缘层，其设置于中间层上侧；面状的第2线圈，其设置于第2绝缘层上侧，与第1线圈相对；以及导电性的焊盘，其设置于第2绝缘层上侧，与第2线圈的一端侧连接，焊盘配置于在俯视观察时与中间层至少局部地重叠的位置处，中间层比第1绝缘层及第2绝缘层的硬度高。
变压器装置半导体

[发明专利]变压器元件-CN202111422605.6在审
发明人： 山口靖雄;吉野学;今坂俊博;鸟井阳平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够减小变压器元件的尺寸的技术。变压器元件具有：初级线圈，其多个初级局部线圈的中心轴配置于绝缘膜的面内方向的一条直线上；次级线圈，其包含在绝缘膜内配置的多个次级局部线圈，多个次级局部线圈的中心轴配置于一条直线上。在俯视观察时，初级局部线圈夹在一组次级局部线圈之间，或次级局部线圈夹在一组初级局部线圈之间。
变压器元件

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法-CN201810078133.9有效
发明人： 山口靖雄;奥村美香 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够将收容可动部的密闭空间的压力设为预先设定的压力，而且能够抑制可动部向盖部的内壁粘附的半导体装置和半导体装置的制造方法。特征在于，具有：基板；可动部，其设置在该基板之上；接合框，其以将该可动部包围的方式设置在该基板之上；盖部，其与该接合框接合，具有凹部，通过使该凹部与该可动部相对而由该盖部将该可动部之上的空间覆盖，在该盖部的内壁设置有凹凸；以及防止膜，其形成于该盖部的内壁，在该防止膜的表面具有凹凸。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置-CN201911235337.X在审
发明人： 山口靖雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供抑制了断线的半导体装置的制造方法和半导体装置。具有以下工序：在形成了加速度传感器的传感器基板的上表面粘贴上部基板；在该上部基板的上表面形成掩模，该掩模提供第1开口以及与该第1开口相连且越是远离该第1开口则宽度越小的第2开口；对从该第1开口和该第2开口露出的该上部基板实施喷砂处理，在该第1开口的正下方使该传感器基板露出，在该第2开口的正下方，在该上部基板形成越是远离该第1开口则高度越高的斜面；以及形成第1配线和第2配线，该第1配线与露出的该传感器基板接触，该第2配线与该斜面接触、与该第1配线相连。
半导体装置制造方法

[发明专利]物理量检测传感器的制造方法、物理量检测传感器-CN201910815327.7在审
发明人： 山口靖雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够对切割中的碎裂或者裂缝的产生进行抑制的物理量检测传感器的制造方法和物理量检测传感器。具备下述步骤：将设置有多个传感器可动部的传感器基板和与该传感器基板的材料不同的异种基板粘贴，形成具有多个传感器器件的层叠构造；以及使用切割刀具对该层叠构造进行切割，在该传感器基板或者该异种基板以贯穿该传感器基板或者该异种基板的方式设置比该切割刀具的宽度大的宽度的槽，该切割的至少一部分是以该切割刀具容纳于该槽，不与该槽的左右的面接触的状态进行的。
物理量检测传感器制造方法

[发明专利]加速度传感器-CN201110266728.5无效
发明人： 山口靖雄;奥村美香;村上刚史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种加速度传感器，能够用一个加速度传感器元件检测宽范围的加速度。本发明涉及的加速度传感器具备：第一质量体(21)，由第一梁(31)保持，能够因加速度而发生位移；固定电极(51、52)，以能够将第一质量体(21)的位移转换成电量的方式配置；以及位移容易度变化部件(22、32、8、9)，在第一质量体(21)的位移超过既定的范围时，给第一质量体(21)的位移容易度带去变化。
加速度传感器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110165501.1有效
发明人：奥村美香;山口靖雄;村上刚史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种半导体装置，能够作为表面保护膜而形成氮化膜并且抑制模制树脂的剥离。本发明所涉及的半导体装置，具有衬底、在该衬底上形成的元件、在该衬底上形成的氮化膜、在该氮化膜上形成的防止剥离膜、以及覆盖该防止剥离膜和该元件而形成的模制树脂。而且，该半导体装置的特征在于，该防止剥离膜为残留有压缩应力的膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201010511012.2有效
发明人：佐藤公敏;奥村美香;山口靖雄;堀川牧夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。第一布线(13)沿着衬底(SB1)的槽部设置在槽部的底面上，并具有第一膜厚。第二布线(3)与第一布线(13)电连接，并具有比第一膜厚厚的第二膜厚。加速度检测部(EL)与第二布线(3)电连接。密封部(6S)具有与衬底(SB1)之间夹持第一布线(13)的部分，在衬底(SB1)上包围第二布线(3)及加速度检测部(EL)。盖层(10)以在衬底(SB1)上的被密封部(6S)包围的区域上形成腔(CV)的方式设置在密封部(6S)上。由此，确保腔(CV)的气密性和降低与加速度检测部(EL)连接的布线的电阻可以并存。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]印刷物干燥方法及印刷物干燥装置-CN200780100010.0无效
发明人： 山口靖雄;朝仓健太郎;秋月雄治;山口俊明 -专利权人：大道产业株式会社
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： B41F23/04 文献下载
摘要：一种印刷物干燥方法及印刷物干燥装置，利用纳米高温干燥蒸气对印刷油墨进行干燥处理，生成簇化成纳米级的纳米高温干燥蒸气，使所述纳米高温干燥蒸气喷射在印刷物的印刷面上，利用所述纳米高温干燥蒸气将分子内振动能量赋予所述印刷面的油墨，由此，纳米级的纳米高温干燥蒸气通过印刷物的纤维细孔，并碰撞在印刷面的油墨上。碰撞在印刷面的油墨上的纳米高温干燥蒸气将热激励的能量作为分子内振动能量而赋予具有极性分子的所述油墨。所述油墨利用分子内能量而被干燥处理。
印刷干燥方法装置

[发明专利]元件晶片和元件晶片的制造方法-CN200810166473.3有效
发明人：奥村美香;堀川牧夫;佐藤公敏;山口靖雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01P15/00 文献下载
摘要：本发明涉及元件晶片和元件晶片的制造方法。本发明的目的在于提供一种元件晶片的制造方法，该方法能够抑制裂隙对在半导体晶片上层叠的膜的用于形成元件的部位的损伤。在半导体晶片(21)上的第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)上设置凹部(10)。第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)被加工，在半导体晶片(21)上的用于形成加速度传感器(20)的主要区域(6)上设置布线(26)。进一步在布线(26)上层叠牺牲膜(24)和导电性膜(25)，这些膜被加工，在主要区域(6)设置多个薄膜结构体(28)。凹部(10)包围主要区域(6)。
元件晶片制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN200810213840.0有效
发明人：佐藤公敏;奥村美香;山口靖雄;堀川牧夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。第一布线(13)沿着衬底(SB1)的槽部设置在槽部的底面上，并具有第一膜厚。第二布线(3)与第一布线(13)电连接，并具有比第一膜厚厚的第二膜厚。加速度检测部(EL)与第二布线(3)电连接。密封部(6S)具有与衬底(SB1)之间夹持第一布线(13)的部分，在衬底(SB1)上包围第二布线(3)及加速度检测部(EL)。盖层(10)以在衬底(SB1)上的被密封部(6S)包围的区域上形成腔(CV)的方式设置在密封部(6S)上。由此，确保腔(CV)的气密性和降低与加速度检测部(EL)连接的布线的电阻可以并存。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]加速度传感器和加速度传感器的制造方法-CN200710006797.6有效
发明人： 山口靖雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-07-13 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明提供一种加速度传感器和加速度传感器的制造方法，该加速度传感器的特征在于包括：基板；在上述基板上形成的传感器元件；在上述基板上形成的、在平面视图内包围上述传感器元件的多晶硅接合框；以及通过使其端面与上述多晶硅接合框的上表面接合，而隔着预定的空间覆盖在上述传感器元件的上方的盖；上述多晶硅接合框中未掺杂杂质。由此可以提供可提高接合框和玻璃盖的接合强度的加速度传感器。
加速度传感器制造方法

[发明专利]加速度传感器和加速度传感器的制造方法-CN200710006798.0有效
发明人： 山口靖雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-07-13 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明提供一种加速度传感器和加速度传感器的制造方法，该加速度传感器的特征在于包括：基板；在上述基板上形成的传感器元件；在上述基板上形成的、在平面视图内包围上述传感器元件的多晶硅接合框；以及通过使其端面与上述多晶硅接合框的上表面接合，而隔着预定的空间覆盖在上述传感器元件的上方的盖；上述多晶硅接合框中未掺杂杂质。由此可以提供可提高接合框和玻璃盖的接合强度的加速度传感器。
加速度传感器制造方法

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