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[发明专利]一种LED芯片电极的制备方法-CN201811266029.9有效
发明人：李晓明;汤福国;王建华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种LED芯片电极的制备方法，在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层，此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。
一种 led 芯片电极制备方法

[发明专利]一种GaAs基LED芯片的无光刻制备方法-CN201710063966.3有效
发明人：李晓明;王建华;闫宝华;刘琦;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种GaAs基LED芯片的无光刻制备方法，包括以下步骤：（1）在GaAs衬底上生长外延层；（2）制备排列有电极孔洞的贴片；（3）将步骤（2）制备的贴片贴在步骤（1）制备的GaAs基LED外延层上；（4）在贴片上通过蒸镀进行Au膜沉积，电极孔洞处的Au膜与外延层接触形成P电极；（5）将贴片取下并进行退火处理，得到P电极；（6）对GaAs衬底减薄及生长N电极。该方法通过设计具有电极孔洞的贴片，将该贴片与GaAs基LED外延片贴在一起制备P电极，无需光刻直接进行电极蒸镀得到P电极，避免了现有技术中光刻制备GaAs基LED芯片的P电极因化学腐蚀或光刻胶造成的电极大小波动问题，避免了光电参数波动，提高了生产效率，流程简便，适合规模化生产。
一种 gaas led 芯片光刻制备方法

[发明专利]一种红光LED芯片的封装方法-CN201811587608.3有效
发明人：李晓明;罗艳梅;任忠祥 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种红光LED芯片的封装方法，使用玻璃纸在纯水中利用水的张力及玻璃纸将红光LED芯片的侧面固定在LED支架侧面基座上，再使用金丝或铝丝或合金丝将红光LED芯片的电极与支架的相应极性相连，此方法不再使用导电银胶，使用的环氧树脂胶固化温度相对导电银胶大幅降低，从根本上杜绝了导电银胶对LED灯珠光电参数的影响以及银胶烘烤时应力释放造成芯片裂的影响，由于玻璃纸本身是绝缘的，同时最后使用的环氧树脂胶也是绝缘的，因此有效避免了漏电情况的发生，此方法操作简单，封装过程未增加任何步骤，在不影响生产效率的情况下,红光LED灯珠良品率更高。
一种红光 led 芯片封装方法

[发明专利]一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法-CN201711081003.2有效
发明人：李晓明;闫宝华;刘琦;汤福国;陈康;郑兆河;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法，包括如下步骤：a)腐蚀掉GaAs衬底，并腐蚀掉外延生长的阻挡层GaInP；b)蒸镀一层GeAu膜，光刻制得欧姆接触电极图形；c)去除正性光刻胶，制得N面欧姆接触图形；d)通过光刻制得粗化保护图形；e)形成N型粗化层；f)对N型AlGaInP层进行湿法粗化，去除正性光刻胶，制得N型AlGaInP粗化表面。通过先将键合完成的AlGaInP四元LED芯片的衬底、阻挡层全部腐蚀去除，再在表面蒸镀上一层GeAu膜作为N型欧姆接触电极，再在表面制备粗化保护图形，通过粗化保护图形的作用将无粗化保护的N型AlGaInP层通过ICP刻蚀、湿法粗化的方式进行表面粗化处理，避免了反极性AlGaInP四元LED芯片粗化效果不稳定的问题，增加了出光效率，提升了芯片的品质。
一种极性 algainp led 芯片方法

[发明专利]一种提高LED管芯亮度的无损裂片方法-CN201810527819.1有效
发明人：郑军;刘晓;闫宝华;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提高LED管芯亮度的无损裂片方法，过ICP刻蚀到一定程度的深度后直接采用研磨机对LED芯片进行背面减薄，直至到刻蚀的深度处，管芯自然裂开，既有效解决了切割中存在的崩边、斜劈裂等问题，又因为芯片背面直接不做任何切割，最大限度的保留了芯片正面的发光面积，有效提高出光效率。
一种提高 led 管芯亮度无损裂片方法

[发明专利]一种AlGaInP四元LED芯片制备方法-CN201811266051.3有效
发明人：彭璐;张兆梅;闫宝华;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种AlGaInP四元LED芯片制备方法，通过临时键合材料层键合临时键合衬底，并在欧姆接触层下端面键合制成键合层，利用电子束蒸发工艺在键合层下方制成永久衬底层，通过二次键合技术，实现P电极在上，从P面出光，这种方法既置换了衬底，实现发光效率的提升，同时获得了P面出光的传统电极结构，方便后续的电路管理。同时透明导电膜采用ITO或Zno或SiO2或TCF材料，其折射率有利于降低光线在硅胶、环氧等封装材料中的临界角，因此本方法制成的LED芯片会比普通倒装芯片功率提高约10%。
一种 algainp led 芯片制备方法

[发明专利]一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法-CN201710507203.3有效
发明人：胡夕伦;闫宝华;汤福国;刘琦;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法。该方法包括：将蒸镀垫片从蒸发台行星架上取下，在一定能量密度脉冲激光辐照下对垫片表面进行辐照处理，再经过去离子水超声清洗后进行热氮烘干，即可得到表面无划痕、颗粒物、氧化膜的垫片。本发明有效解决了蒸镀晶片上架时划伤、裂片、蒸镀掉片等异常问题，延长了垫片使用寿命，降低了产品成本。
一种 led 晶片电极垫片表面清理方法

[发明专利]一种简便的LED晶片低温去蜡清洗工艺-CN201710984819.X有效
发明人：胡夕伦;闫宝华;刘琦;徐现刚;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种简便的LED晶片低温去蜡清洗工艺，包括：将装有待清洗晶片的花篮置于加热的去蜡溶液中超声清洗，花篮在去蜡溶液中上下振动为15‑35次/分钟，然后室温丙酮清洗，再进行室温乙醇或异丙醇清洗，热氮烘干即可。本发明方法处理后的晶片表面无残留蜡、试剂印迹等表面异常，保证了晶片表面清洗质量，同时本发明方法加热温度低、清洗步骤简单、易操作，能耗和原材料消耗低，提高生产效率的同时也降低了产品成本。
一种简便 led 晶片低温清洗工艺

[发明专利]一种GaAs基发光二极管芯片的切割方法-CN201810994610.6有效
发明人：李晓明;汤福国 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基发光二极管芯片的切割方法，包括步骤如下：(1)在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面喷淋纯水，并在表面覆盖一张透明的白膜；(2)使用常规的芯片切割机进行切割；(3)将切割完成的芯片放入到盛满纯水的容器内，因开始表面已喷淋上纯水，利用纯水的张力，可简单地取下透明的白膜。本发明通过在GaAs基发光二极管芯片外延层表面喷淋上纯水，再在表面覆盖一张透明的白膜，再进行切割，这样既保证GaAs基发光二极管芯片发光区的完整性，且切割过程中与切割水隔离开避免切割水对芯片造成的影响，对切割水提纯的要求也较低大大降低了芯片的制造成本。
一种 gaas 发光二极管芯片切割方法

[发明专利]一种GaAs基发光二极管芯片的制备方法-CN201910427150.3在审
发明人：王建华;闫宝华;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基发光二极管芯片的制备方法，属于光电子技术领域，包括在GaAs基发光二极管外延片p型外延层GaP上蒸镀电流扩展导电膜ITO；通过对表面的电流扩展导电膜ITO高温退火形成欧姆接触；N面减薄，蒸镀N面Au制作N电极，N面合金；在电流扩展导电膜ITO表面涂匀负性光刻胶，通过对准、曝光、显影光刻出电极图形；采用等离子去胶机去除负性光刻胶胶膜，在带负性光刻胶的晶片表面蒸镀GrTiAl或者TiAl，常规剥离制作出P电极；将芯片分割成单独的发光二极管管芯。本发明简化了工艺流程，缩短了生产周期，提高工作效率，同时又降低了光刻胶、化学药品等原材料的消耗。
一种 gaas 发光二极管芯片制备方法

[发明专利]一种GaAs基AlGaInP单面双电极高亮四元发光二极管灯丝及其制备方法-CN201710055014.7有效
发明人：刘琦;闫宝华 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基AlGaInP四元发光二极管灯丝及其制备方法。包括GaAs基AlGaInP四元发光二极管芯片，在芯片的每个周期单元两端均刻蚀形成端台面，并在该端台面上制作有金属引线电极；在每个周期单元内沿芯片单元一侧，经刻蚀形成对芯片单元的水平环切，并在GaAs衬底上芯片单元之间形成缝隙；对DBR层进行氧化使之成为绝缘层；裂片后以GaAs衬底为基板，周期单元内的相邻芯片单元之间P电极与N电极导线连通，有荧光胶包覆层将各芯片单元及基板完全包覆，引脚线部分露出荧光胶包覆层外。本发明突破了LED封装难题，使外延芯片至LED灯丝的整体成本降低55％以上，可直接进行封装，提高封装产出率。
一种 gaas algainp 单面极高亮四元发光二极管灯丝及其制备方法

[发明专利]一种改善硅基LED芯片外观的分割方法-CN201910216387.7在审
发明人：吴金凤;李法健;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种改善硅基LED芯片外观的分割方法，在对LED芯片切割前，先对正常工艺减薄后的LED芯片进行细磨，从而达到减少芯片翘曲度的目的，之后再结合刀轮切割和隐形激光切割相结合的方法，翘曲度减少后结合本分割办法进行分割，既能解决切割过程中的崩边（P面或N面）、崩角、产生毛刺等影响美观性的瑕疵，又能提高效率。
一种改善 led 芯片外观分割方法

[发明专利]一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法-CN201711010438.8有效
发明人：徐晓强;闫宝华;刘琦;肖成峰;郑兆河;徐现刚 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法，包括如下制作步骤：（1）GaAs衬底腐蚀；（2）水洗；（3）阻挡层去除；（4）水洗；（5）干燥。本发明通过氨水双氧水溶液的适当比例以及适当的角度调整，快速完成底层砷化镓的腐蚀，然后使用适当配比的稀盐酸溶液，通过合适时间的配合，完成阻挡层的腐蚀，整个过程快速有效，既完成了衬底的均匀有效腐蚀，又没有对其它结构产生影响。本发明方法整个过程制作效率较高，成本较低，缩短制程时间的同时减少了晶片表面的污，提高了整个晶片的良率。本发明方法，适合所有GaAs基LED晶片的衬底腐蚀制作。
一种 gaas led 晶片衬底腐蚀方法

[发明专利]提高反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片焊线性能的管芯制作方法-CN201811115077.8有效
发明人：徐晓强;张兆喜;吴向龙;闫宝华;王成新 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提高反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片焊线性能的管芯制作方法，由于主电极中金属Ni层和金属Au层使主电极底层与N型AlGaInP层具有较好的粘附，通过在阻挡层中设置若干通孔组成孔型图案能够有效阻挡金属Ni层的过度扩散，使主电极底层可以与N型AlGaInP层之间形成良好的接触，能够完全解决焊线时焊盘容易脱落的问题。工艺方法简单易操作，不需要引入特殊设备，利用较低的成本，解决了焊线难问题，该工艺方法适用于所有GaAs基红光LED芯片的制作工艺。
提高极性 gaas algainp 红光 led 芯片线性管芯制作方法

[发明专利]一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法-CN201711081002.8有效
发明人：胡夕伦;闫宝华;刘琦;彭璐;徐现刚;肖成峰 -专利权人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，包括如下步骤：a)将在硅衬底上生长完毕的GaN外延片表面进行化学清洗；b)将蒸镀反射镜后的GaN外延片的正面图形化并进行刻蚀；c)沉积一层二氧化硅；d)去除二氧化硅层；e)对N型GaN外延层外露的表面进行等离子体处理；f)形成N型欧姆接触；g)将GaN外延片进行衬底剥离、键合、电极焊盘制作，并测试芯片的正向电压。可有效防止后续高温键合对N型欧姆接触产生不利影响而导致电压升高的现象，有效改善键合后欧姆接触性能降低、芯片电压升高的现象，提高产品良率和器件的光电性能，提升器件光电参数和使用寿命。
一种提升 gan 发光二极管内置欧姆接触性能方法