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- [发明专利]一种WO3包覆AZO粉体的制备及其烧结方法-CN201510315549.4有效
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杨海涛;高玲;尚福亮;高庆庆
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深圳大学
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2015-06-08
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2019-04-26
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C04B35/628
- 一种AZO‑WO3包覆粉末的制备及具烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备WO3掺杂AZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂,得到充分混合、均匀掺杂的的粉体。适用于微量(0.01‑0.1at%)的的WO3粉末掺杂,可制备出致密度超过99%,强度超过100MPa,电阻率小于5×10‑4Ω·cm的掺杂AZO靶材,这种掺杂AZO靶材,可经济、高效的制成各种复杂形状。AZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势,在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用,是新一代透明导电膜,最有可能替代昂贵的ITO,在薄膜太阳能电池和low‑E玻璃等领域,正显示出巨大的应用前景和市场,是一种被广泛研究的功能材料。
- 一种wo3azo制备及其烧结方法
- [发明专利]一种MoO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法-CN201610817752.6在审
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杨海涛;高玲;尚福亮;朱佐祥;彭伟
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深圳大学
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2016-09-07
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2018-03-13
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C04B35/453
- 一种TZO‑MoO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO3掺杂TZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂,得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2‑0.5at%)的MoO3粉末掺杂,可制备出致密度超过99.9%,强度超过120MPa,电阻率小于5.0×10‑3Ω·cm的掺杂TZO靶材,这种掺杂TZO靶材,可经济、高效的制成各种复杂形状。TZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势,在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用,是新一代透明导电膜,最有可能替代昂贵的ITO,在薄膜太阳能电池和low‑E玻璃等领域,正显示出巨大的应用前景和市场,是一种被广泛研究的功能材料。
- 一种moo3tzo制备及其烧结方法
- [发明专利]一种WO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法-CN201610817783.1在审
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杨海涛;高玲;尚福亮;朱佐祥;彭伟
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深圳大学
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2016-09-07
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2018-03-13
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C04B35/453
- 一种TZO‑WO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备WO3掺杂TZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂,得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2‑0.5at%)的WO3粉末掺杂,就可制备出致密度99%,强度大于118MPa,电阻率小于5×10‑3Ω·cm的掺杂TZO靶材,这种掺杂TZO靶材,可经济、高效的制成各种复杂形状。TZO薄膜是一种被广泛研究的功能材料。TZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势,在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用,是新一代透明导电膜,最有可能替代昂贵的ITO,在薄膜太阳能电池和low‑E·玻璃等领域,正显示出巨大的应用前景和市场。
- 一种wo3tzo制备及其烧结方法
- [发明专利]一种MoO3包覆AZO粉体的制备及其烧结方法-CN201610143056.1在审
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杨海涛;高玲;尚福亮;朱佐祥;彭伟
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深圳大学
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2016-03-11
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2017-09-19
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C04B35/628
- 一种AZO‑MoO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO3掺杂AZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂,得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.01‑0.1at%)的MoO3粉末掺杂,可制备出致密度超过99%,强度超过100MPa,电阻率小于8×10‑4Ω·cm的掺杂AZO靶材,这种掺杂AZO靶材,可经济、高效的制成各种复杂形状。AZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势,在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用,是新一代透明导电膜,最有可能替代昂贵的ITO,在薄膜太阳能电池和low‑E玻璃等领域,正显示出巨大的应用前景和市场,是一种被广泛研究的功能材料。
- 一种moo3azo制备及其烧结方法
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