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[发明专利]具有偏心或反向倾斜阶梯区域的三维存储器器件及其形成方法-CN202280016893.1在审
发明人：田中宏幸;小川裕之 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括绝缘层和导电层的交替堆叠；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构竖直延伸穿过该交替堆叠中的相应一者，并且位于第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域内。包含下部阶梯和上部阶梯的阵列间区域位于该第一存储器阵列区域和该第二存储器阵列区域之间。该第一存储器阵列区域可具有比该第二存储器阵列区域更大的长度，或该下部阶梯通常可沿与该上部阶梯相反的方向上升。
具有偏心反向倾斜阶梯区域三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]包括无边缘晶体管的晶体管电路及其制造方法-CN202280016896.5在审
发明人：岩田大;中辻広志;小川裕之;藤仓荣一;赤岩俊;云晃洋 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了，第一场效应晶体管包含第一有源区、覆盖在该有源区上面的第一栅极介电质和覆盖在该第一栅极介电质上面的第一栅极电极，该第一有源区包括源极区、漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的沟道区。第二场效应晶体管包含第二有源区、覆盖在该有源区上面的第二栅极介电质和覆盖在该第二栅极介电质上面的第二栅极电极，该第二有源区包括源极区、漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的沟道区。沟槽隔离区围绕该第一有源区和该第二有源区。该第一场效应晶体管包括边缘区，在该边缘区中，该第一栅极电极垂直于该源极区至该漏极区方向延伸经过该有源区，并且该第二场效应晶体管不包括该边缘区。
包括边缘晶体管电路及其制造方法

[发明专利]具有穿过堆叠体的外围接触通孔结构的多层级存储器器件及其制造方法-CN201780004961.1有效
发明人： J.于;Z.卢;小川裕之;D.毛;K.山口;S.T.李;李耀升;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成牺牲存储器开口填充结构同时地在第一外围通孔腔中形成牺牲通孔填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在第一存储器开口中。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构同时地形成外围接触通孔结构。
具有穿过堆叠外围接触结构多层存储器器件及其制造方法

[发明专利]含有氢扩散阻挡结构的三维存储器装置及其制造方法-CN201980005829.1有效
发明人： T.藤田;K.宍户;小川裕之;西川昌利;A.西田;M.乔杜里 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体结构包含半导体装置、上覆氮化硅扩散屏障层，以及延伸穿过所述氮化硅扩散屏障层的互连结构。所述互连结构包含钛扩散屏障结构，其与所述氮化硅扩散屏障层接触以形成连续氢扩散屏障结构。
含有扩散阻挡结构三维存储器装置及其制造方法

[发明专利]用于三维存储器器件中直接源极接触的灯泡形存储器堆叠结构-CN201780062369.7有效
发明人： J.余;K.北村;张彤;C.葛;张艳丽;S.清水;Y.笠木;小川裕之;D.毛;K.山口;J.阿尔斯梅尔;J.凯;K.松本;Y.正森 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：掩埋源极层的源极带结构和存储器结构内的半导体沟道之间的接触面积可以通过横向扩展其中形成存储器堆叠结构的源极级体积进行增加。在一个实施方案中，可以在形成绝缘层和牺牲材料层的垂直交替堆叠体之前在源极级存储器开口中形成牺牲半导体基座。存储器开口可以包括通过移除牺牲半导体基座形成的凸出部分。存储器堆叠结构可以形成为在凸出部分中具有较大的侧壁表面积，以提供与源极带结构较大的接触面积。或者，在形成存储器开口期间或之后，可以相对于上部部分选择性地扩展存储器开口的底部部分，以提供凸出部分并增加与源极带结构的接触面积。
用于三维存储器器件直接接触灯泡堆叠结构

[发明专利]在存储叠层结构之间具有非均匀间距的三维存储器器件及其制造方法-CN201780058159.0有效
发明人： Y.水谷;小川裕之;F.富山;东谷政昭;天野文贵;K.船山;A.上田 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明提供了在衬底上方形成的绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。包括存储器膜和竖直半导体沟道的存储器堆叠结构穿过阵列构型中的所述交替堆叠体形成。穿过所述交替堆叠体形成沿长度方向延伸的背侧沟槽。通过去除所述牺牲材料层形成背侧凹陷部。通过以非均匀间距布置所述存储器堆叠结构，能够以无空隙或以最小空隙执行用导电层填充所述背侧凹陷部。所述非均匀间距可以沿着垂直于所述长度方向的所述方向，使得所述存储器堆叠结构之间的所述最近相邻距离在所述背侧沟槽之间最小。另选地或除此之外，所述间距可以沿着所述长度方向调节，以提供垂直于所述长度方向延伸的更宽的间隔区域。
存储结构之间具有均匀间距三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]具有级位移的台阶结构的三维存储器器件及其制造方法-CN201780002991.9有效
发明人：法月直人;冲住泰亲;马田省吾;小川裕之 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/50 文献下载
摘要：在衬底之上形成阶面结构。在衬底和阶面结构之上形成绝缘层和间隔体材料层的交替堆叠体，其具有阶面结构的高度的近似二倍的总高度。间隔体材料层形成为导电层或用导电层取代。通过平坦化工艺从阶面结构上方移除交替堆叠体的部分。可以在阶面结构上面的第一阶台区中和在位于交替堆叠体的存储器阵列区的相对侧的第二阶台区中兼时地形成阶梯表面。形成一对级位移的阶梯表面。到交替堆叠体的接触体可以仅向下达到该对级位移的阶梯表面的最低表面，并且可以短于交替堆叠体。
具有位移台阶结构三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]三维存储装置中的阶梯区域之间的直通存储级通孔结构及其制备方法-CN201780026897.7有效
发明人： Z.卢;J.于;J.阿尔斯梅尔;F.富山;Y.水谷;小川裕之;C.葛;D.毛;张艳丽;A.楚;Y.李 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B43/23 文献下载
摘要：本发明的下级金属互连结构在其上具有半导体装置的基板上方形成。半导体材料层以及电介质隔层和绝缘层的交替堆叠在所述下级金属互连结构上方形成。存储堆叠结构阵列穿过所述交替堆叠形成。沟槽穿过所述交替堆叠形成，由此使得阶梯区域位于远离距所述沟槽阈值横向距离处，而相邻的阶梯区域在距所述沟槽所述阈值横向距离内形成。所述沟槽近侧的所述电介质隔层的部分被导电层替换，而所述交替堆叠的保留部分存在于所述阶梯区域中。至少一个直通存储级通孔结构可以穿过所述电介质隔层的所述保留部分和所述绝缘层形成，以提供穿过存储级组件的竖直导电路径。
三维存储装置中的阶梯区域之间直通级通孔结构及其制备方法

[发明专利]基板处理装置和气体导入板-CN202010192194.5有效
发明人： 小川裕之;大久保智也;清水昭贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和气体导入板。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激发NF3气体、O2气体以及H2气体的等离子体空间(P)和对晶圆(W)进行自由基处理的处理空间(S)。而且，构成为在等离子体空间(P)中激发的NF3气体、O2气体以及H2气体经由形成于分隔部(5)的狭缝(42)而以自由基进行供给，并且从分隔部(5)的下表面的载置台(3)的中央侧的中央侧气体供给部和载置台(3)的周缘侧的周缘侧气体供给部供给Ar气体。
处理装置气体导入

[发明专利]半导体结构和三维NAND存储器器件-CN202210904177.9在审
发明人： F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过所述存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并且将所述至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，依次包含沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块；贯穿存储器层级通孔区域，位于相邻于所述第二块的纵向端部且在所述第一块的阶梯区域与所述第三块的阶梯区域之间，其中所述贯穿存储器层级通孔区域包括嵌入在电介质填充材料部分中的垂直延伸的贯穿存储器层级通孔结构；以及字线开关器件。还公开了一种三维NAND存储器器件。
半导体结构三维 nand 存储器器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210904597.7在审
发明人： F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包括导电层和绝缘层的第一部分的至少一个第一交替堆叠体，并且还包括垂直延伸穿过至少一个第一交替堆叠体的存储器堆叠体结构，其中存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道，其中导电层包括用于存储器堆叠体结构的字线；绝缘深沟沟槽结构，垂直延伸穿过存储器层级组件并限定贯穿存储器层级通孔区域的与至少一个第一交替堆叠体横向间隔的区域；至少一个第二交替堆叠体，位于贯穿存储器层级通孔区域；以及贯穿存储器层级通孔结构。还公开了形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构和三维NAND存储器器件-CN202210904642.9在审
发明人： F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和垂直延伸穿过至少一个交替堆叠体的存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并将至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，包含沿着垂直于第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块，并且其中第一子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第一块，第二子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第二块，并且第三子组的存储器堆叠体结构延伸穿过第三块；以及贯穿存储器层级通孔区域。还公开了一种三维NAND存储器器件。
半导体结构三维 nand 存储器器件

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN202210904643.3在审
发明人： F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的至少一个处理中交替堆叠体；形成深沟沟槽；在深沟沟槽的侧壁上形成图案化的绝缘衬垫层；在贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级开口；形成后侧凹部；形成至少一个交替堆叠体；形成位于半导体衬底之上的存储器层级组件；形成穿过存储器层级组件的多个横向伸长的接触通孔结构；以及在块中的贯穿存储器层级通孔区域中形成至少一个贯穿存储器层级通孔结构。
形成半导体结构方法

[发明专利]三维存储器阵列之下的字线解码器电路-CN201680076473.7有效
发明人： 小川裕之;F.富山;T.有木 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：三维存储器器件的总芯片区域可以采用设计布局来减少，该布局中字线解码器电路形成在存储器堆叠体结构的阵列底下。在字线和字线解码器电路之间的互连可以通过形成分立字线接触通孔结构来提供。分立字线接触通孔结构可以通过采用具有重叠开口区域的多个蚀刻的集合来形成，并且用于蚀刻不同数量的绝缘层和导电层对，由此避免了形成具有阶梯式表面的阶梯区域的需求。至少一个导电互连结构的集合可以用于将垂直电接触提供到字线解码器电路。位线驱动器还可以形成在存储器堆叠体结构的阵列底下以提供较大的面积效率。
三维存储器阵列之下解码器电路

[发明专利]具有分离的源极侧线的三维存储器器件及其制造方法-CN202180006591.1在审
发明人：津美正三里;矢田信介;虫贺光昭;西田昭夫;小川裕之;翁照男 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于至少一个源极层上方；和存储器开口填充结构组，该存储器开口填充结构组竖直延伸穿过该交替堆叠。每个存储器开口填充结构可包括存储器元件的竖直堆叠和竖直半导体沟道。多个源极侧选择栅极电极可通过源极选择层级介电隔离结构横向间隔开。另选地或除此之外，该至少一个源极层可包括多个源极层。可通过选择源极层和/或通过选择源极层级导电层选择存储器开口填充结构组。
具有分离侧线三维存储器器件及其制造方法

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