“封松林”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果316个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单片双芯或多芯半导体激光气体传感器、制作及使用方法-CN200610117006.2有效
发明人：张永刚;李爱珍;齐鸣;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-10-11 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器，其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时分解调电路、以及比较电路和显示输出电路组成。本发明利用目标气体对吸收激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量，也利用目标气体对参比激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。此传感器的核心是单片双芯或多芯半导体激光器和一只光电探测器，易于一体化、小型化和集成化；是一种普适的采用半导体激光的气体传感器，通用性强。
单片半导体激光气体传感器制作使用方法

[发明专利]相变存储器存储单元及其制备方法-CN200610117153.X有效
发明人：宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中包含与柱状加热电极套刻的孔洞；且在柱状加热电极孔内和绝热材料层孔洞内含有可逆相变材料层；在相变材料层上覆盖有绝热材料层，在绝热材料层中包含孔洞，并在其内填充了与相变材料相通的上电极材料。本发明将相变材料限定在加热电极的空心柱与绝热材料中的孔洞里，在电脉冲对存储单元进行操作时，使相变材料处于高温，高压环境下，优先发生相变，诱导周围的相变材料进一步相变，从而实现相变存储单元的低压、低功耗、高速功能。
相变存储器存储单元及其制备方法

[发明专利]金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置-CN200610030551.8无效
发明人：张楷亮;宋志棠;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： B24B57/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP)的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原理，将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的，同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中，增加抛光液原位批处理系统和抛光盘的在线修复，使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线检测，将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性消耗工艺相比，不仅可以减少抛光液的消耗，而且可以减少抛光液后处理所带来的不便，是解决集成电路化学机械抛光工艺高成本的一种有效方法和设备。
金属化学机械抛光抛光原位批处理方法使用装置

[发明专利]电子束曝光中套刻工艺的实现方法-CN200610030768.9无效
发明人：宋志棠;吕士龙;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子束曝光中套刻工艺的实现方法，属于微电子领域。其特征在于将套刻标志放置于曝光图形的中央，而后利用电镜放大倍数的缩放来实现套刻。传统的套刻技术是将对准标记和图形结构的位置独立开来，但是这需要较为昂贵的定位工件台来支持。针对现在实验电子束曝光的设备(主要是扫描电子显微镜外配图形发生器)。本发明提出了一种不需要定位工件台来实现套刻的方法，其套准精度小于μm，可以满足亚微米及纳米器件制备的工艺要求。
电子束曝光中套刻工实现方法

[发明专利]一种五蝶烯对苯二醌化合物的制备方法-CN200610030474.6有效
发明人：贺庆国;程建功;赵建龙;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： C07C50/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种五蝶烯对苯二醌化合物的合成方法，其特征在于一步法制备是将对苯二醌或对苯多醌、蒽、四氯苯醌化合物，溶于溶剂中，加热至回流反应，趁热过滤，用乙醚洗涤滤饼，真空干燥；所述的对苯二醌或对苯多醌、蒽、四氯苯醌三种化合物的摩尔比为依次为1mmol∶1.2～5mmol∶1.2～10mmol；对苯二醌或对苯多醌化合物与溶剂的用量比为1mmol∶3～200mL；所述的回流反应温度为117－118℃，时间为6－24小时。本发明提供的一步合成方法，产率最高可达88.5％，这高于文献报道值，且环境友好型，适合于规模合成和工业化生产。
一种五蝶烯苯二醌化合物制备方法

[发明专利]相变存储器器件单元测试系统及测试方法-CN200610028229.1有效
发明人：宋志棠;刘波;梁爽;陈小刚;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器器件单元的测试系统及测试方法，其特征在于所述的测试系统是由控制计算机、脉冲信号发生器、数字信号源、微控探针台和转换连接部件组成；其中，通过通用接口总线使主控计算机与脉冲信号发生器和数字信号源相连；通过控制卡的控制电缆使脉冲信号发生器和数字信号源与微控探针台相连；主控计算机通过控制于控制探针台在脉冲信号发生器和数字信号源之间切换；微控探针台的两个探针分别与相变存储器的上、下电极接触，构成一个存储单元，并通过操作模块进行电流－电压、电压－电流、电阻与写脉高、电阻与写脉宽、电阻与擦脉高、电阻与擦脉宽以及疲劳等七种测试。
相变存储器器件单元测试系统测试方法

[发明专利]相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法-CN200610028740.1有效
发明人：宋志棠;刘波;梁爽;陈小刚;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明涉及相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法，其特征在于所述的演示系统由控制计算机、脉冲信号发生器、控制电路板、相变存储器存储阵列芯片及转换连接部件构成，其中所述的电路板是由控制电路、选址电路、切换电路、读出电路、显示电路组成的；整个演示系统得核心为单片机，控制计算机通过自带的RS232接口实现与单片机的通信，接受指令和数据的传递；单片机通过可编程逻辑器件实现对周围各种模块，如发光二极管、液晶显示屏、读出电路、切换电路或选址电路的控制，所述的演示方法包括数据的存储、读出以及简单数据运算的演示，也即对器件单元阵列的数据读/写/擦过程进行可视化的演示。
相变存储器器件单元阵列演示系统可视化方法

[发明专利]减小相变存储器加热电极面积的方法-CN200610028107.2有效
发明人：吴良才;宋志棠;刘波;冯高明;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方法，首先通过微纳加工技术或亚微米CMOS标准工艺，在SiO2衬底上制备出较大直径的200－500nm的孔洞，接着利用CVD或PVD技术在该孔洞中填充W、TiN等加热材料，然后进行化学机械抛光，形成柱状加热电极。之后，在柱状加热电极上生长量子点(如Si等)，然后将量子点氧化形成绝缘的物质(如SiO2等)，这样就减小了柱状加热电极的有效面积，从而提高电流密度。本发明既避免了直接制备100nm以下加热电极的困难，降低了制造成本，更重要的是降低相变存储器的功耗。不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。
减小相变存储器加热电极面积方法

[发明专利]用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法-CN200610027258.6有效
发明人：宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：(1)在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；(2)沉积过渡层与底电极薄膜；(3)再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；(4)通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳米孔；(5)沉积相变材料，填满纳米孔；(6)对相变材料用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(7)再沉积绝缘介质层，刻蚀出小孔，且与纳米孔对应；(8)沉积电极；(9)对电极用化学机械抛光进行去除处理和平坦化；(10)通过引线引出上电极，形成器件单元或阵列。方法简单而且与集成电路工艺完全兼容。
用电曝光化学机械抛光工艺制备电子存储器方法

[发明专利]一种集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用-CN200610026523.9有效
发明人：李昕欣;李鹏;左国民;王跃林;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高，结构简单、制作简便。
一种集成二氧化硅悬臂梁微量检测传感器制作方法应用

[发明专利]一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法-CN200610026520.5有效
发明人：李昕欣;左国民;程振兴;王跃林;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G01N33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法，特征在于所述的敏感膜的组成材料为6－巯基尼古丁酸(6－MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(－NO₂)或硝酸酯基(－ONO₂)的爆炸物敏感，可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰，形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点，在敏感性能方面明显优于国外使用的4－巯基苯甲酸(4－MBA)单分子层敏感膜，能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气，可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。
一种用于爆炸物检测组装单分子层敏感制备方法

[发明专利]用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法-CN200610027008.2有效
发明人：宋志棠;刘奇斌;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100)硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出SiO₂，在SiO₂上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO₂。(4)用刻蚀液对(100)硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。(7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。
湿法刻蚀工艺制备相变存储器方法

[发明专利]相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法-CN200610024614.9无效
发明人：张挺;宋志棠;冯高明;刘波;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法：直接利用氧化硅片作为衬底(栅极)/绝缘层的结构，再在该衬底上方制备源、漏电极，通过剥离沉积的相变材料薄膜形成简单的相变薄膜场效应晶体管单元器件。该方法制备工艺极其简单，成本低廉，有利于提高生产效率，降低成本，从而推动相变薄膜场效应晶体管的实际应用。
相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法

[发明专利]实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法-CN200610023827.X有效
发明人：宋志棠;吴良才;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-02-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，其特征在于将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中，缓慢调节探针升降旋钮，先粗调后细调，当探针针尖和样品表面接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中的报警器报警，表明针尖与样品已经接触上，可以进行样品的电学性能测量；具有有效地保护样品，避免纳米电极和相变材料被针尖划伤甚至扎穿，造成上、下电极短路；可以保护针尖本身，避免压力过大使针尖翘曲、变形，甚至断裂；可以实现低温、高温或其它环境下探针与电极的可靠接触。
实现探针相变存储器器件单元纳米电极可靠接触方法

[发明专利]用于相变存储器的加热电极材料及制备方法-CN200610023390.X有效
发明人：刘波;宋志棠;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为Ge_xW_yN_1－x－y、Ge_xTi_yN_1－x－y、Ge_xW_yO_1－x－y、Ge_xTi_yO_1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。
用于相变存储器加热电极材料制备方法