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[发明专利]静电电容式换能器及声音传感器-CN201780002680.2有效
发明人：笠井隆;桃谷幸志;寺阪麻理子 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供在过大的压力作用在声音传感器的情况下，即使振动电极膜朝任意方向变形，都能够抑制振动电极膜的过度变形并避免振动电极膜破损的技术。静电电容式换能器具备背板(37)和以与背板(37)之间隔着空隙与背板(37)对置的方式配设的振动电极膜(35)，还具备：压力释放孔(35b)，其设置于振动电极膜(35)；凸部(37b)，其采用与背板(37)相同的部件与背板(37)一体设置，在振动电极膜(35)变形前的状态下进入压力释放孔(35b)；压力释放流路，其是通过压力释放孔(35b)和凸部(37b)的间隙形成的空气流路，凸部(37b)在背板(37)侧的规定区域具有截面积减小部，与凸状(37b)的比上述规定区域靠前端侧的区域相比，截面积减小部的截面积小。
静电电容式换能器声音传感器

[发明专利]静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置-CN201510055458.1在审
发明人：井上胜之;寺阪麻理子;佐野浩二;奥野敏明;古村由幸 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置，在使用了半导体基板的静电容量型压力传感器中进一步扩大动态范围。通过电介体层(33)覆盖P型或N型的半导体基板(32)的上面。在电介体层的上面形成凹槽(34)。在电介体层的上面层叠上基板(35)。上基板(35)中与凹槽(34)相对的区域为可变形的隔膜(36)，隔膜(36)的外周部分(37)固定于电介体层的上面。在半导体基板的表层部设置有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的固定电极(42)。另外，在半导体基板的表层部，在上基板(35)的被固定的区域(外周部分37)的下方形成有由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层(46)。
静电容量压力传感器压力检测器输入装置

[发明专利]光传感器-CN200910207352.3无效
发明人：清水正男;寺阪麻理子;中川慎也;鹈饲茂和 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2009-10-26 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种光传感器，具有电磁屏蔽用的导电膜并且在与光检测区域相对的区域将电磁屏蔽用的导电膜除去，其中，在与光检测区域相对的区域也能够不使电磁干扰侵入。本发明的光传感器在硅基板(12)的表层部形成有光电二极管(13)和IC电路(15)。在硅基板(12)的上表面隔着绝缘层(16)而形成有遮光金属(18)，IC电路(15)被遮光金属(18)覆盖。在与光电二极管(13)相对的区域，在遮光金属(18)上开设受光窗(19)，受光窗(19)被导电性滤光片(32)覆盖。
传感器