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[发明专利]一种LED灯珠器件及其生产工艺-CN202310868271.8在审
发明人：钟伟祥;颜海波;涂良成;杨山清;官盛果 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明属于红外线光源技术领域，尤其涉及一种LED灯珠器件，包括支撑架体、从所述支撑架体一侧外壁向其内部开设并延伸一段长度的反射凹腔、固定绕设于所述支撑架体外侧且与所述反射凹腔部分相对的引线支架、固定封装于所述引线支架面向所述反射凹腔一侧的至少一个晶片单元、以及灌装于所述反射凹腔内部且覆盖所述晶片单元和部分引线支架的透光封胶，所述晶片单元用于向所述反射凹腔内部发射光线并经过反射后射出，晶片单元经引线支架传输电能后向反射凹腔内部发出光线，引线支架对面向反射凹腔的晶片单元进行阻挡，无法从外部观测到晶片单元的位置，消除LED的850nm红外线光源的红曝现象带来的影响，减少近距离观测红外管时被破坏或者躲避所造成的失效。
一种 led 器件及其生产工艺

[发明专利]一种热解双面胶在提高深硅刻蚀均一性中的应用-CN202310744782.9在审
发明人： 官盛果;陈婷;龚跃武;李志贤;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种热解双面胶在提高深硅刻蚀均一性中的应用。该应用中的热解双面胶由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的硅酮高分子聚合物弹性体组成。本发明将热解双面胶用于深硅刻蚀，替代常规粘接剂，不仅可以提供良好的粘接性能以防止晶圆片与托片在刻蚀过程中发生偏移，提高刻蚀精度；还可以增强晶圆片与托片之间的导热性能，使得晶圆片通过热解双面胶向托片快速传递扩散，从而提高刻蚀的均一性。
一种双面提高刻蚀均一中的应用

[发明专利]一种MEMS芯模的制备方法-CN202310728498.2在审
发明人：刘芹篁;龚跃武;陈婷;李志贤;官盛果;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体器件技术领域，涉及一种MEMS芯模的制备方法，包括以下步骤：先将硅片的氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合，同时采用深反应离子刻蚀在硅片表面形成所需图形，并在表面沉积金属膜；然后将硅片金属膜侧与晶圆衬底过热解膜粘合，进一步刻蚀形成所需图形，加热分离，剥离金属膜、去除氧化层，即得MEMS芯模；其中，S1和S2中所述热解膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的亚克力胶层组成。本发明利用热解膜与硅片的氧化层和金属膜相结合，有效避免叠片及释放过程中硅片与热解膜相接触，从而减少刻蚀过程中或刻蚀完成后对MEMS芯模的污染及损伤，还可以实现快速释放。
一种 mems 制备方法

[发明专利]一种大自然健康LED光源器件及其制备方法-CN202310347614.6在审
发明人：钟伟祥;颜海波;涂良成;杨山清;官盛果 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种大自然健康LED光源器件及其制备方法。本发明的大自然健康LED光源器件，包括近紫外发光芯片、支架、用于粘接近紫外发光芯片与支架的固化荧光胶，以及涂覆于近紫外发光芯片上的光转化层；所述固化荧光胶由封装胶与荧光粉末组成，所述荧光粉末为浅蓝白色粉末；所述光转化层由浅蓝白色粉末、浅蓝绿色粉末、黄绿色粉末、橘红色粉末和白色粉末按质量比(28.5～39):(4.5～21):(3～5.9):(0.56～5.3):(0.5～0.7)组成的复合荧光粉与封装胶混合制得。本发明通过筛选芯片和选用多种特定荧光粉及特定比例混合，可有效抑制紫外强度、增加近紫外转换蓝光峰值，保证高显色指数的同时提高光效，使得本发明的光源更舒适，更接近大自然健康光源光谱。
一种大自然健康 led 光源器件及其制备方法

[实用新型]一种利用扭秤测量毫瓦激光光压的实验装置-CN202221901470.1有效
发明人： 官盛果;曾观军;白福双;全俊杰;徐慧莹;宋海波;程晏蓓 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种利用扭秤测量毫瓦激光光压的实验装置，它包括激光器组合、真空系统、特制扭秤系统和数据采集系统；激光器组合包括氦氖激光器和功率可调的半导体激光器；真空系统包括真空室、真空泵、数字温度气压计和真空软管；特制扭秤系统包括钨丝悬挂的硅片，硅片底部设置有铝圆盘和强磁铁构成的磁阻尼器，外部设置有金属铝静电屏蔽罩；数据采集系统包括激光功率计、一维位置探测器、二维平移台和计算机。本实用新型采用高灵敏度的扭秤技术，在低真空下利用激光垂直照射硅片的末端产生光压作用，使扭秤发生角度偏转，精确测定该偏转角度，并根据扭转系数以及力臂大小得到光压值，从而实现对毫瓦激光光压的精确测量，加深人们对光压的理解。
一种利用扭秤测量毫瓦激光光压实验装置

[发明专利]一种微米级直径的石英丝手工制作方法-CN202210659371.5在审
发明人： 官盛果;孙静;乐建新;黄标;程晏蓓 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C03B37/025 文献下载
摘要：本申请涉及一种微米级直径的石英丝手工制作方法，它包括如下步骤：将一根2mm直径的纯石英棒竖直固定在支架上，中部利用氢氧焰加热软化后拉断，形成锥形尖端；再取一节同样粗的石英棒与固定石英棒的锥形尖端通过氢氧焰加热粘黏在一起；等待粘黏点完全冷却后再对粘黏点上部2mm处进行加热，使石英接近融化；利用下端石英棒自身重力产生一个恒定微小的拉力，把氢氧焰灼烧点的石英拉制成丝。本发明制出的石英丝的粗细程度与下端的拉力成正比，选取的下端石英棒的重量越轻，拉制出来的石英丝越细；通过控制灼烧点的位置和下石英棒的自身重量拉制石英细丝，可制得直径为微米级且粗细均匀的长石英丝，有效提高手工拉制石英丝的精细程度。
一种微米直径石英手工制作方法

[实用新型]一种黄光曝光用挡板装置-CN202220958442.7有效
发明人：龚跃武;陈婷;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种黄光曝光用挡板装置，包括曝光挡板，所述曝光挡板为圆形、尺寸为4寸‑12寸；所述曝光挡板分成N块盖板，N≥2；所述曝光挡板的中央设有旋转件，所述N块盖板分别通过所述旋转件串联，各块盖板能够单独转动。通过在曝光光源与Mask版之间设置本实用新型的挡板装置，挡住不需要的曝光部分，进行多次实验，摸索不同曝光、显影等条件，成本降低较明显，效率提高十分多。
一种曝光挡板装置

[实用新型]一种键合强度测试装置-CN202220959378.4有效
发明人：陈婷;龚跃武;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本实用新型属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种键合强度测试装置，包括底座(1)，所述底座(1)上均匀设有密集的真空吸附孔洞(2)，所述底座(1)上设有可滑动的刀片(3)，所述刀片(3)由设置在控制单元(6)中的电机马达通过电路控制，所述刀片(3)上设置有拉力传感器，所述拉力传感器与显示单元(7)电性连接。本实用新型通过在控制单元中安装电机马达，实现自动拉动刀片，并在控制单元中安装拉力感应器，显示单元实时显示拉力值，结束后显示最大值、平均值和最小值。操作安全性高、误差基本可忽略不计。
一种强度测试装置

[发明专利]一种检测键合偏移量的结构和方法-CN202210392496.6在审
发明人：龚跃武;陈婷;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种检测键合偏移量的结构，包括：上盖晶圆片，所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域；下盖晶圆片，所述下盖晶圆片的中央形成有与所述上预留区域相对设置的下预留区域，所述下预留区域上形成有刻度尺；所述上盖晶圆片键合在所述下盖晶圆片上。本发明通过在上盖晶圆片上提前制备一个“窗口”，在下盖晶圆片的相应位置上形成一个“刻度尺”，上盖晶圆片与下盖晶圆片键合完成之后对上盖晶圆片进行打磨，将“窗口”漏出，在显微镜下即能够测出键合偏的移量。与现有技术相比，本发明简化流程，低成本精准测量键合偏移量。
一种检测偏移结构方法

[发明专利]一种提高金属键合强度的方法-CN202210433575.7在审
发明人：陈婷;龚跃武;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体微纳加工制造技术领域，具体涉及一种提高金属键合强度的方法，包括以下步骤：包括以下步骤：(1)在晶圆表面沉积的牺牲层上或晶圆的表面涂覆光刻胶；(2)曝光、显影；(3)湿法腐蚀去牺牲层或刻蚀晶圆；(4)湿法腐蚀去光刻胶；(5)再次匀胶、曝光、显影；(6)沉积金属层；(7)湿法腐蚀去光刻胶；(8)在4000mBar‑8000mBar压力条件下，键合温度360℃‑400℃，进行金属键合。本发明通过预处理金属的接触层，改变金属直接键合的接触面积，在同等的键合条件下，达到提高键合强度的效果。
一种提高金属键强度方法

[发明专利]一种防止金属剥离残留的方法-CN202111620905.5在审
发明人：龚跃武;陈婷;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种防止金属剥离残留的方法，包括以下步骤：(1)在晶圆表面采用PECVD沉积牺牲层；(2)采用匀胶机在所述牺牲层的表面涂覆光刻胶；(3)用光刻机进行曝光、然后显影；(4)采用蒸发镀膜机或磁控溅射机沉积金属层；(5)湿法腐蚀去光刻胶；(6)湿法腐蚀去牺牲层。本发明在匀胶前沉积一层牺牲层(二氧化硅或者易腐蚀的金属)，在显影后湿法腐蚀的过程利用各向同性特点保证光刻胶形成倒梯形，而防止后续金属剥离有残留。与现有技术相比，本发明有效改善金属剥离的残留问题，提升产品品质。
一种防止金属剥离残留方法

[发明专利]一种减少曝光累积误差的方法-CN202111484872.6在审
发明人：龚跃武;张晨艳;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种减少曝光累积误差的方法，包括如下步骤：(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度；(2)在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标(X1，Y1)与理论值坐标(X0，Y0)进行比对，并计算相应的差值(X1‑X0，Y1‑Y0)；(3)针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差。本发明通过在晶圆片的平边制备一个刻度用于多次曝光位置的调整，减少曝光制程多次累积误差；明显减少曝光制程累积误差，提升产品品质。
一种减少曝光累积误差方法

[实用新型]一种圆锥体轴承结构的气浮气动转台-CN202121406276.1有效
发明人： 官盛果;程晏蓓;孙静 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B23Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆锥体轴承结构的气浮气动转台，它包括固定座、气浮轴承、气浮转子和气动装置，所述固定座为一圆柱体，固定座底部设有一进气孔，所述进气孔用于连接气体流量计；所述气浮轴承为一圆锥体，所述圆锥体内部为一空腔，圆锥体顶部设有对称分布的小孔；所述气浮转子为一圆柱体，所述气浮转子内部设有与气浮轴承锥度相同的空腔；所述气动装置为一圆柱筒，所述气动装置上设有一对正转和一对反转吹气孔，所述正转吹气孔和反转吹气孔对称分布，所述正转吹气孔和反转吹气孔之间设有一对对称分布的出气孔；所述气浮轴承与固定座密闭连接，气浮转子套设在气浮轴承上，气动装置套设在气浮转子外围。该装置自由度少，稳定度高。
一种圆锥体轴承结构气动转台

[发明专利]一种改善湿法刻蚀均一性的方法-CN202110883433.6在审
发明人：陈婷;涂良成;杨山清;官盛果;龚跃武 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工制造技术领域，具体是一种改善湿法刻蚀均一性的方法，包括应用于湿法刻蚀由金形成的单层膜的刻蚀液，所述刻蚀液由以下质量百分比组分组成：碘单质1.5％～5％，碘化钾2％～5％，纯水35％～50％和小分子醇40％～65％。本发明有效地提高了湿法刻蚀由Au形成的单层膜的均一性，良品率大大提高。通过实验发现，刻蚀时间满足要求，无Au残留、无Undercut残留，CD loss和Taper均在合理范围内且金属线路形貌优。
一种改善湿法刻蚀均一方法

[发明专利]一种圆锥体轴承结构的气浮气动转台-CN202110701258.4在审
发明人： 官盛果;程晏蓓;孙静 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B23Q1/38 文献下载
摘要：本发明涉及精密机械技术领域，具体涉及一种气浮气动转台，它包括固定座、气浮轴承、气浮转子和气动装置，所述固定座为一圆柱体，固定座底部设有一进气孔，所述进气孔用于连接气体流量计；所述气浮轴承为一圆锥体，所述圆锥体内部为一空腔，圆锥体顶部设有对称分布的小孔；所述气浮转子为一圆柱体，所述气浮转子内部设有与气浮轴承锥度相同的圆锥体空腔；所述气动装置为一圆柱筒，所述气动装置上设有一对正转和一对反转吹气孔，所述正转吹气孔和反转吹气孔对称分布，所述正转吹气孔和反转吹气孔之间设有一对对称分布的出气孔；所述气浮轴承与固定座密闭连接，气浮转子套设在气浮轴承上，气动装置套设在气浮转子外围。该装置自由度少，稳定度高。
一种圆锥体轴承结构气动转台

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