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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成封装件的方法-CN202210811598.7在审
发明人： 宋述仁;李志鸿;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括将第一晶圆接合至第二晶圆，在第一晶圆上执行修整工艺，以及沉积与第一晶圆的侧壁接触的侧壁保护层。沉积侧壁保护层包括沉积与第一晶圆的侧壁接触的高密度材料。侧壁保护层具有高于氧化硅的密度。方法还包括去除与第一晶圆重叠的侧壁保护层的水平部分，以及在第一晶圆上方形成互连结构。互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。
形成封装方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210720022.X在审
发明人： 宋述仁;涂官瑶;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括在第一晶圆上形成第一接合层，以及形成延伸至第一接合层中的第一导热通道。第一导热通道的第一导热率值高于第一接合层的第二导热率值。该方法还包括在第二晶圆上形成第二接合层，以及形成延伸至第二接合层中的第二导热通道。第二导热通道的第三导热率值高于第二接合层的第四导热率值。将第一晶圆接合至第二晶圆，并且第一导热通道至少物理接触第二导热通道。在第一晶圆上方形成互连结构。互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。本发明的实施例还涉及半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路结构与其制造方法-CN202210319350.9在审
发明人：涂官瑶;宋述仁;李资良;詹宏伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路结构与其制造方法，方法包含形成晶体管在基材的前侧上；形成前侧内连接结构在晶体管上，其中前侧内连接结构包含导线层，且导通孔内连接至导线层；形成第一接合层在前侧内连接结构上；形成第二接合层在承载基材上；通过挤压第一接合层至第二接合层，以接合前侧内连接结构与承载基材；以及接合前侧内连接结构与承载基材后，形成背侧内连接结构在基材的背侧上。
集成电路结构与其制造方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN202110184546.7在审
发明人：李回;黄柏翔;黄文社;王仁宏;宋述仁;纪志坚;李佩璇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本文公开了沿接触蚀刻停止层(CESL)和互连件之间的界面表现出减少的铜空位累积的互连结构以及制造方法。方法包括：在介电层中形成铜互连件；以及在铜互连件和介电层上方沉积金属氮化物CESL。金属氮化物CESL和铜互连件之间的界面具有第一表面氮浓度、第一氮浓度和/或第一数量的氮‑氮结合。实施氮等离子体处理以修改金属氮化物CESL和铜互连件之间的界面。氮等离子体处理将第一表面氮浓度增大至第二表面氮浓度，将第一氮浓度增大至第二氮浓度和/或将第一数量的氮‑氮结合增大至第二数量的氮‑氮结合，它们的每个可以最小化界面处铜空位的累积。
互连结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310314310.6在审
发明人： 宋述仁;苏怡年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方形成蚀刻停止层。蚀刻停止层相对于所述工件的材料层具有大于约4至约30的蚀刻选择比。所述方法包括在所述蚀刻停止层上方形成绝缘材料层；以及将所述蚀刻停止层用作为蚀刻停止对绝缘材料层进行图案化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于改进的沉积选择性的保护层-CN201310167362.5在审
发明人：王超群;宋述仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及改进后段工艺(BEOL)可靠性的方法和装置。在一些实施例中，该方法在半导体衬底上方形成具有一个或多个金属层结构的极低k(ELK)介电层。在ELK介电层上方在一个或多个金属层结构之间的位置形成第一保护层。然后在一个或多个金属层结构上方在通过第一保护层与ELK介电层分离开的位置沉积第二保护层。第一保护层具有限制第二保护层和ELK介电层之间的相互作用的高选择性，从而降低原子从第二保护层至ELK介电层的扩散并且改进ELK介电层的电介质击穿。公开了用于改进的沉积选择性的保护层。
用于改进沉积选择性保护层

[发明专利]复合覆盖层的制作方法-CN201110049296.2无效
发明人：陈韦志;宋述仁;许丰裕;黄俊杰;陈美玲;邱建智 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合覆盖层的制作方法，包含有提供基底、在该基底表面形成复合覆盖层。该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于其上的第二覆盖层。在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层，以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，在该第二覆盖层中形成至少一开口。
复合覆盖层制作方法

[发明专利]超低介电常数介电层及其形成方法-CN200710154311.3有效
发明人：陈美玲;宋述仁;黄建中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种超低介电常数介电层的形成方法。该方法是在进行沉积过程中通过变温程序或变压程序的调控，以使所通入的介电基质反应，而在基底的介电阻挡层上形成具有密度梯度的多层多孔性低介电常数介电层。
介电常数介电层及其形成方法

[发明专利]复合覆盖层及其制作方法-CN200710101861.9无效
发明人：陈韦志;宋述仁;许丰裕;黄俊杰;陈美玲;邱建智 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种复合覆盖层的制作方法，包含有提供基底、在该基底表面形成复合覆盖层。该复合覆盖层至少包含有第一覆盖层与形成于其上的第二覆盖层。在该复合覆盖层表面形成图案化的金属硬掩模层，以及进行蚀刻工艺，经由该图案化的金属硬掩模层蚀刻该复合覆盖层，在该第二覆盖层中形成至少一开口。
复合覆盖层及其制作方法

[发明专利]固化多孔低介电常数层的方法-CN200710004070.4无效
发明人：陈美玲;赖国智;宋述仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种固化多孔低介电常数层的方法，应用于已形成有一多孔低介电常数层的基底，此多孔低介电常数层中尚含有一成孔剂。首先对多孔低介电常数层进行处理条件较温和的第一紫外光固化处理，再对多孔低介电常数层进行处理条件较剧烈的第二紫外光固化处理，以完成其固化。
固化多孔介电常数方法

[发明专利]内连线的制造方法-CN200510092412.3有效
发明人： 宋述仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种内连线的制造方法，此方法先于一衬底上形成一第一介电层，且第一介电层中已形成一开口。然后，形成一金属层以填满上述开口，于第一介电层与金属层上形成一材料层。接着，对材料层进行一表面处理工艺，以于金属层表面形成一顶盖层。随后，移除材料层与部分第一介电层。然后，于衬底上方形成一第二介电层，且第二介电层表面高于顶盖层表面。之后，进行一平坦化工艺，至少移除部分第二介电层与部分顶盖层至暴露出开口顶部。
连线制造方法

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