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[外观设计] 游戏卡牌（轻松玩家桌游） -CN202230739045.6 有效
发明人：
王燕 ;宋晰 夏俊宜 ;崔雪凤
- 专利权人：
青松健康科技(北京)有限公司
申请日：
2022-11-07
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公布日：
2023-02-24
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主分类号：
21-01 文献下载
摘要： 1.本外观设计产品的名称：游戏卡牌（轻松玩家桌游）。2.本外观设计产品的用途：用于休闲娱乐、文娱桌游。3.本外观设计产品的设计要点：在于图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：组件1主视图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.后视图（组件2‑组件5）与组件1后视图相同，省略后视图（组件2‑组件5）；后视图（组件7‑组件10）与组件6后视图相同，省略后视图（组件7‑组件10）；后视图（组件12‑组件15）与组件11后视图相同，省略后视图（组件12‑组件15）；后视图（组件17‑组件20）与组件16后视图相同，省略后视图（组件17‑组件20）；后视图（组件22‑组件25）与组件21后视图相同，省略后视图（组件22‑组件25）；后视图（组件27‑组件36）与组件26后视图相同，省略后视图（组件27‑组件36）。7.本外观设计产品是组件产品，实物为单张卡牌，共有45张设计面卡牌，由8个单元组成，其中组件1至组件5为一个基本单元；组件6至组件10为一个基本单元；组件11至组件15为一个基本单元；组件16至组件20为一个基本单元；组件21至组件25为一个基本单元；组件26至组件36为一个基本单元；组件37为一个基本单元；组件38为一个封面基本单元；其它视图无设计要点，故省略其它视图。游戏卡 轻松 玩家
[发明专利] 半导体结构及其制备方法 -CN202011631134.5 在审
发明人：
韩鹏宇 ;裴轶 ;宋晰 吴星星
- 专利权人：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请日：
2020-12-30
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公布日：
2022-07-01
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主分类号：
H01L29/40 文献下载
摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括衬底、叠层结构及场板结构，所述叠层结构远离所述衬底的一侧设有源极、漏极及位于二者之间的栅极；场板结构位于源极、栅极远离叠层结构的一侧，所述场板结构包括场板主体、导电桥柱及场板接头，所述场板主体位于所述源极与所述漏极之间；所述场板接头位于所述源极远离所述叠层结构的表面；所述导电桥柱位于所述场板主体与所述场板接头之间，所述场板接头的数量为至少一个，所述导电桥柱的数量与所述场板接头的数量相同，且所述导电桥柱与所述场板接头一一对应连接。本申请在增大半导体器件的击穿电压，减小栅极的泄漏电流的同时，兼顾半导体器件的频率特性及稳定性。半导体 结构 及其 制备 方法
[发明专利] 半导体器件和半导体器件的制备方法 -CN202011643648.2 在审
发明人：
裴轶 ;宋晰
- 专利权人：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请日：
2020-12-30
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公布日：
2022-07-01
-
主分类号：
H01L29/40 文献下载
摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体层、金属电极和金属连接层，半导体层位于衬底的一侧，金属电极位于半导体层远离衬底的一侧，金属电极包括源极，金属连接层位于源极远离衬底的一侧，并与源极连接，通过隔离结构将金属连接层分隔成至少两个金属连接块，使得在沉积形成金属连接层的过程中，位于金属连接层一侧多余金属能够与隔离结构处对应的金属沉积物连接，并且使得待剥离金属沉积物面积更大，从而使得多余金属的剥离更加容易，且剥离过程更加安全，不会破坏场板结构和金属连接层，降低了金属连接层和场板结构的制作工艺难度，提高了制作效率。半导体器件 制备 方法
[发明专利] 电极的制造方法、电极及半导体器件 -CN202010296432.7 在审
发明人：
宋晰
- 专利权人：
苏州能讯高能半导体有限公司
申请日：
2020-04-15
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公布日：
2021-10-22
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主分类号：
H01L21/28 文献下载
摘要： 本发明提供了一种电极的制造方法、电极及半导体器件，涉及半导体制造技术领域，所述方法包括如下步骤：S1.在半导体层的表面上形成刻蚀层，在刻蚀层上得到刻蚀图形，其中，刻蚀图形包括位于刻蚀层远离半导体一侧表面并与半导体层的表面连通的第一开口；通过第一开口对半导体层的表面进行刻蚀，从而在半导体层的表面形成凹陷；S2.刻蚀所述凹陷上方对应的第一开口，对第一开口宽度方向的相对两侧边沿进行刻蚀，从而扩大所述第一开口的宽度；S3.通过所述第二开口向所述凹陷内填充金属原料，直到金属原料完全覆盖所述凹陷。从而可以做到在宽度方向上金属原料将凹陷完全覆盖，制备后的电极耐腐蚀性、电学性能可以得到提高。电极 制造 方法 半导体器件
[发明专利] 肖特基二极管及其制造方法 -CN201410158781.7 有效
发明人：
宋晰
- 专利权人：
苏州捷芯威半导体有限公司
申请日：
2014-04-18
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公布日：
2018-03-30
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主分类号：
H01L29/872 文献下载
摘要： 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管依次包括衬底、氮化镓缓冲层、重掺杂n型氮化镓层、轻掺杂n型氮化镓层、重掺杂p型氮化镓层和电极结构，其中重掺杂p型氮化镓层位于轻掺杂n型氮化镓层上的部分区域，形成特定的图形；衬底和氮化镓缓冲层的部分区域进行了开孔，露出部分重掺杂n型氮化镓层；电极结构包括位于轻掺杂n型氮化镓层上的肖特基电极、位于重掺杂p型氮化镓层上的第一欧姆电极和位于开孔中并与重掺杂n型氮化镓层相接触的第二欧姆电极。本发明可以使肖特基二极管在保持低开启电压的同时通过更大的电流，并降低反向漏电；而且在工艺中不需要超高温退火，从而避免了对氮化镓材料的损伤。肖特基 二极管 及其 制造 方法
